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港交所將迎中國(guó)碳化硅芯片首股，第三代半導(dǎo)體資本競(jìng)速
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月27日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”）正式向港交所遞交上市申請(qǐng)，中信證券、國(guó)金證券（香港）及中銀國(guó)際擔(dān)任聯(lián)席保薦人，這也是中國(guó)碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申請(qǐng)的廠商。 圖片來源：基本半導(dǎo)體上市申請(qǐng)書截圖 基本半導(dǎo)體成立于2016年，總部位于深圳，作為國(guó)...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國(guó)內(nèi)兩個(gè)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧?yīng)用，化合物半導(dǎo)體正加速重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域注入新動(dòng)能。隨著市場(chǎng)對(duì)高性能、高能效半導(dǎo)體器件需求的激增，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目層出不窮。近期，兩個(gè)相關(guān)項(xiàng)目傳出新進(jìn)展，...  [詳內(nèi)文]

羅姆首款高耐壓GaN驅(qū)動(dòng)器IC量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:16 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過程中實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)，有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 圖片來源：羅姆半...  [詳內(nèi)文]

頭部大廠碳化硅設(shè)備再獲訂單
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 27 日 15:50 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，中導(dǎo)光電 披露，公司NanoPro-150納米級(jí)晶圓檢測(cè)設(shè)備再次獲得全球碳化硅（SiC）行業(yè)頭部客戶的復(fù)購(gòu)訂單，將用于該客戶8英寸SiC晶圓前道制程的缺陷檢測(cè)。 圖片來源：中導(dǎo)光電 相較于傳統(tǒng)6英寸SiC晶圓，8英寸SiC在單位成本、生產(chǎn)效率和良率控制上具有顯著優(yōu)勢(shì)，是未...  [詳內(nèi)文]

新加坡迎來一條8英寸碳化硅相關(guān)產(chǎn)線，亞洲第三代半導(dǎo)體競(jìng)賽再升級(jí)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 27 日 15:48 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，#新加坡科技研究局（A-STAR）宣布啟動(dòng)全球首條200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工業(yè)級(jí)開放研發(fā)生產(chǎn)線。 圖片來源：A-STAR圖為A-STAR首席執(zhí)行官 Beh Kian Teik? 該生產(chǎn)線由ASTAR微電子研究所（IME）運(yùn)營(yíng)，整合了從材料生長(zhǎng)、缺陷分析到器件制...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed高層大調(diào)整與財(cái)務(wù)重組
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 27 日 15:47 | 分類 企業(yè)
近期，全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed正經(jīng)歷一場(chǎng)全面的領(lǐng)導(dǎo)層重塑與財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，以應(yīng)對(duì)當(dāng)前的挑戰(zhàn)并為未來的發(fā)展奠定基礎(chǔ)。 5月23日，Wolfspeed宣布了一項(xiàng)最新人事任命，公司正式任命行業(yè)資深人士David Emerson博士為新設(shè)立的執(zhí)行副總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官（...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體融資項(xiàng)目+2，金額超6億
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 26 日 15:29 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的臻驅(qū)科技與Finwave Semiconductor兩家企業(yè)相繼獲得重要融資，為行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新與突破注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。   01、臻驅(qū)科技獲6億元銀團(tuán)貸款 根據(jù)臻驅(qū)科技官微消息，5月20日，臻驅(qū)科技在上海完成6億元人民幣銀團(tuán)貸款簽約，由上?？苿?chuàng)銀行...  [詳內(nèi)文]

株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 26 日 15:24 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月21日，株洲中車董事長(zhǎng)李東林在“先進(jìn)軌道交通行業(yè)專場(chǎng)”說明會(huì)上透露了公司在碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)的最新進(jìn)展。 株洲中車正加快8英寸碳化硅產(chǎn)線建設(shè)，其中三期8英寸SiC晶圓項(xiàng)目已于2024年11月啟動(dòng)，計(jì)劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實(shí)現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC...  [詳內(nèi)文]

武漢一批集成電路重大項(xiàng)目迎來重大進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 26 日 15:21 | 分類 企業(yè)
據(jù)中國(guó)光谷消息，近兩月，杉數(shù)科技、此芯科技、君原電子等多家集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)陸續(xù)簽約落戶光谷，設(shè)立研發(fā)機(jī)構(gòu)及產(chǎn)線。近一年，圍繞存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，光谷新簽約億元以上項(xiàng)目約30個(gè)，涵蓋核心設(shè)備、零部件、關(guān)鍵原材料、EDA軟件、晶圓制造、封測(cè)、模組等各個(gè)領(lǐng)域。 經(jīng)過20年的積累，從20...  [詳內(nèi)文]

英偉達(dá)攜手納微升級(jí)電源架構(gòu)，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:31 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達(dá)達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計(jì)算平臺(tái)。 圖片來源：納微半導(dǎo)體 當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]