從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧茫衔锇雽w正加速重構半導體產業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網、工業(yè)電機驅動等領域注入新動能。隨著市場對高性能、高能效半導體器件需求的激增，國內化合物半導體項目層出不窮。近期，兩個相關項目傳出新進展，涉及碳化硅與氧化鎵。
瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測建設項目順利封頂
5月27日，瀚薪科技通過全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測建設項目”主體結構正式封頂。
圖片來源：瀚薪科技
這一里程碑的達成，標志著公司在第三代半導體產業(yè)化的征程中邁出了關鍵一步。未來瀚薪科技的產品生產將進一步實現(xiàn)自主可控，研發(fā)技術快速迭代，以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質的碳化硅解決方案，助力“雙碳”目標與新能源產業(yè)升級！
資料顯示，瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產業(yè)化超15年，擁有自主知識產權及國際領先的芯片設計、封裝工藝與測試能力。公司產品已通過車規(guī)級AEC-Q101及工規(guī)級JEDEC認證，與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關系。
廣州這個氧化鎵外延項目即將投產
近期，由香港科技大學霍英東研究院與香港科技大學（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進展，其位于南沙的首個先進生產廠房正式啟用。
該廠房配備高標準潔凈室設施和完善的生產研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實現(xiàn) “從實驗室走向產業(yè)”，為大規(guī)模推進氧化鎵外延產品走向市場奠定了堅實基礎。
圖片來源：香港科技大學快訊
氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。由香港科技大學（廣州）陳子強教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導體器件的開發(fā)，是全球獨家通過MOCVD工藝實現(xiàn)了穩(wěn)定p型導電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導電空白。
據(jù)悉，拓諾稀科技通過實現(xiàn)p型導電，使得氧化鎵材料具備構建pn結及其他雙極型器件（如BJT、IGBT）的能力，顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機器人、電力能源等領域的應用空間。團隊采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝，形成全球獨有的技術體系，支持多層pn結構設計以實現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導體行業(yè)標準設備，具備大規(guī)模量產與高度產業(yè)化的可行性，為晶圓加工和芯片集成提供堅實支撐。
（集邦化合物半導體 秦妍 整理）
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