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富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開(kāi)工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 13 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
氧化鎵憑借其性能與成本優(yōu)勢(shì)，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)熱度不斷上漲，頻頻傳出各類(lèi)利好消息。 9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽(yáng)開(kāi)工建設(shè)。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖...  [詳內(nèi)文]

時(shí)代電氣：已具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅產(chǎn)能
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 13 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
9月10日，時(shí)代電氣參加投資者調(diào)研活動(dòng)，披露了其在功率半導(dǎo)體、信號(hào)系統(tǒng)、電驅(qū)系統(tǒng)等業(yè)務(wù)上的最新進(jìn)展情況。 其中，在碳化硅產(chǎn)品方面，時(shí)代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)今年形成銷(xiāo)售，明年實(shí)現(xiàn)批量推廣。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正...  [詳內(nèi)文]

嘉晶電子8英寸碳化硅外延片預(yù)計(jì)Q4送樣
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 13 日 17:29 | 分類(lèi) 企業(yè)
9月12日，據(jù)MoneyDJ報(bào)道，嘉晶電子今年上半年硅外延營(yíng)收年減12%，展望明年，公司認(rèn)為，硅外延明年需求將逐漸恢復(fù)。 在化合物半導(dǎo)體部分，因減碳趨勢(shì)，以及化合物半導(dǎo)體使用效率提升以及成本下降，未來(lái)需求會(huì)逐步上升，應(yīng)用市場(chǎng)包括在電動(dòng)車(chē)、AI、資料中心、機(jī)器人等，估化合物半導(dǎo)體的...  [詳內(nèi)文]

Soitec在歐洲啟動(dòng)Move2THz項(xiàng)目，開(kāi)發(fā)基于InP的高頻半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 12 日 15:03 | 分類(lèi) 企業(yè)
9月10日，據(jù)Soitec官網(wǎng)消息，由Soitec主導(dǎo)的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟已經(jīng)開(kāi)始著手開(kāi)發(fā)基于磷化銦（InP）的下一代高頻半導(dǎo)體。 source：Soitec 這項(xiàng)技術(shù)能夠滿足用于大型數(shù)據(jù)中心和AI的光子學(xué)，用于6G移動(dòng)通信的射頻前端和集成天線，以及亞太赫茲雷達(dá)傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓問(wèn)世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 12 日 14:55 | 分類(lèi) 企業(yè)
9月11日，英飛凌宣布，公司已成功開(kāi)發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。 source：英飛凌 英飛凌表示，公司是全球首家在現(xiàn)有可擴(kuò)展的大批量生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的公司。這一突破將極大地推動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。 英飛凌表示，12英寸晶圓與...  [詳內(nèi)文]

士蘭微：擬向參股公司士蘭集科增資8億元
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 12 日 14:53 | 分類(lèi) 企業(yè)
9月11日晚間，士蘭微發(fā)布公告，擬向參股公司廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：士蘭集科）增資8億元。 根據(jù)公告，士蘭集科本次擬新增注冊(cè)資本148155.0072萬(wàn)元。士蘭微擬與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：廈門(mén)半導(dǎo)體）以貨幣方式共同出資16億元認(rèn)繳士蘭集科本次新增的全...  [詳內(nèi)文]

六大院士專(zhuān)家“劇透”：第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)和機(jī)遇
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 12 日 10:31 | 分類(lèi) 企業(yè)
第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨先進(jìn)半導(dǎo)體展 “芯”材料 新領(lǐng)航 11月6-8日，深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安） 主辦單位 中國(guó)生產(chǎn)力促進(jìn)中心協(xié)會(huì)新材料專(zhuān)業(yè)委員會(huì) DT新材料 聯(lián)合主辦 深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) 支持單位 粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 橫琴粵澳深度合作區(qū)半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

5.5億，晶圓代工大廠世界先進(jìn)進(jìn)軍碳化硅
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 11 日 15:43 | 分類(lèi) 企業(yè)
9月10日，晶圓代工大廠世界先進(jìn)宣布，擬投資24.8億新臺(tái)幣（折合人民幣約5.5億元），以獲取漢磊科技公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“漢磊”）13%的股權(quán)。雙方將進(jìn)行策略合作，共同推動(dòng)8英寸碳化硅（SiC）晶圓技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造。 source：漢磊 資料顯示，漢磊位于中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園，專(zhuān)注...  [詳內(nèi)文]

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主體樓全面封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 11 日 15:40 | 分類(lèi) 功率
9月10號(hào)晚，長(zhǎng)飛先進(jìn)宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。 source：長(zhǎng)飛先進(jìn) 據(jù)悉，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個(gè)集芯片設(shè)計(jì)、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，占地面積約22.94萬(wàn)㎡，...  [詳內(nèi)文]

碳化硅設(shè)備廠商硅酷科技完成億元級(jí)融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
9月9日，據(jù)“硬氪”消息，珠海市硅酷科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：硅酷科技）日前完成億元級(jí)戰(zhàn)略融資，本輪融資由中車(chē)資本、哇牛資本（匯川高管系基金）和聞芯基金（聞泰科技下屬基金）領(lǐng)投，資金將用于加大碳化硅預(yù)燒結(jié)鍵合設(shè)備批量交付和先進(jìn)封裝HBM設(shè)備的商業(yè)化。 公開(kāi)資料顯示，硅酷科技成立于2...  [詳內(nèi)文]