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北京順義第三代半導(dǎo)體項目披露最新進展

作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
10月8日,據(jù)順義區(qū)融媒體中心消息,位于北京順義區(qū)的第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標準化廠房項目(二期)建設(shè)進度已過半。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目包括生產(chǎn)廠房、綜合樓、動力中心等11棟單體建筑,總投資6.3億元,總占地面積4萬平方米,總建筑面積6.47萬平方米。 目前,該項目...  [詳內(nèi)文]

針對溶液法碳化硅晶圓,OXIDE與JS Fundry達成合作

作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 17:50 | 分類 企業(yè)
10月9日,日本材料廠商OXIDE宣布,已與日本晶圓代工廠JS Fundry達成戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將在溶液法碳化硅領(lǐng)域展開深入合作。 OXIDE表示,近年來,為了實現(xiàn)高性能功率半導(dǎo)體,作為硅的下一代功率半導(dǎo)體材料,碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等受到關(guān)注。OXIDE致力于溶液法碳化硅襯...  [詳內(nèi)文]

15億,臺灣8英寸氮化鎵功率廠投資案通過

作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 17:50 | 分類 功率
10月4日,中國臺灣科學(xué)園區(qū)審議會第19次會議召開,會中通過冠亞半導(dǎo)體股份有限公司(下文簡稱“冠亞”)投資議案。 據(jù)介紹,該案投資金額達15億元新臺幣(折合人民幣約3.29億元),主要用來生產(chǎn)氮化鎵功率元件相關(guān)產(chǎn)品。 資料顯示冠亞為臺亞半導(dǎo)體子公司,專注于氮化鎵(GaN)功率技術(shù)...  [詳內(nèi)文]

電裝和羅姆宣布半導(dǎo)體領(lǐng)域合作計劃

作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 08 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月30日,據(jù)電裝官網(wǎng)消息,電裝和羅姆宣布計劃建立專注于汽車應(yīng)用的半導(dǎo)體合作伙伴關(guān)系。作為這一計劃的一部分,電裝將收購羅姆部分股份。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉,電裝為目前幾乎所有品牌和型號的車輛開發(fā)技術(shù)和組件,羅姆則生產(chǎn)一系列功率器件和分立器件,包括碳化硅芯片和模塊,在汽...  [詳內(nèi)文]

晶馳機電、云嶺半導(dǎo)體、氮矽科技完成新一輪融資

作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 08 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
第三代半導(dǎo)體賽道融資熱度持續(xù)高漲,近日又有3家相關(guān)廠商分別完成新一輪融資。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 碳化硅設(shè)備廠晶馳機電完成數(shù)千萬首輪融資 10月7日,據(jù)杭州晶馳機電科技有限公司(以下簡稱:晶馳機電)官微披露,晶馳機電近日完成數(shù)千萬首輪融資,由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司(正定縣...  [詳內(nèi)文]

三安光電獲得政府補助資金1040萬元

作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 08 日 18:00 | 分類 企業(yè)
繼今年6月底,三安光電發(fā)布公告,收到政府補助后,其在10月7日晚間再發(fā)布一則關(guān)于獲得政府補助的公告。 根據(jù)本次公告,2024年7月1日至2024年9月29日,三安光電及下屬子公司收到與收益相關(guān)、未履行信息披露義務(wù)且未達披露標準的政府補助款約1040萬元。 三安光電2024年第三...  [詳內(nèi)文]

鑫威源電子氮化鎵激光器芯片生產(chǎn)線通線試產(chǎn)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月29日,據(jù)武漢鑫威源電子科技有限公司(以下簡稱:鑫威源電子)官微消息,鑫威源電子近日在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破,同時氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線完成通線試產(chǎn)。 source:鑫威源電子 據(jù)悉,氮化鎵激光器芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器芯片。這種芯...  [詳內(nèi)文]

科友半導(dǎo)體實現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底批量制備

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月30日,據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息,科友半導(dǎo)體在今年9月成功實現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底的批量制備,通過優(yōu)化電阻爐溫場、引入緩沖層優(yōu)化長晶工藝、優(yōu)化原料區(qū)域溫度分布,發(fā)揮了電阻加熱式PVT法碳化硅單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢。 source:科友半導(dǎo)體 檢測表明,科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅襯底產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

射頻及功率器件廠商華太電子開啟上市輔導(dǎo)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 30 日 17:50 | 分類 射頻
9月27日,中國證監(jiān)會網(wǎng)站披露關(guān)于蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司(下文簡稱“華太電子”)首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報告。 報告顯示,2024年9月13日,華太電子與華泰聯(lián)合證券簽署了上市輔導(dǎo)協(xié)議。 資料顯示,華太電子成立于2010年3月,是一家擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術(shù)...  [詳內(nèi)文]