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北京順義第三代半導(dǎo)體項目披露最新進展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
10月8日，據(jù)順義區(qū)融媒體中心消息，位于北京順義區(qū)的第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標準化廠房項目（二期）建設(shè)進度已過半。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目包括生產(chǎn)廠房、綜合樓、動力中心等11棟單體建筑，總投資6.3億元，總占地面積4萬平方米，總建筑面積6.47萬平方米。 目前，該項目...  [詳內(nèi)文]

針對溶液法碳化硅晶圓，OXIDE與JS Fundry達成合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 17:50 | 分類 企業(yè)
10月9日，日本材料廠商OXIDE宣布，已與日本晶圓代工廠JS Fundry達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在溶液法碳化硅領(lǐng)域展開深入合作。 OXIDE表示，近年來，為了實現(xiàn)高性能功率半導(dǎo)體，作為硅的下一代功率半導(dǎo)體材料，碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等受到關(guān)注。OXIDE致力于溶液法碳化硅襯...  [詳內(nèi)文]

15億，臺灣8英寸氮化鎵功率廠投資案通過
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 17:50 | 分類 功率
10月4日，中國臺灣科學(xué)園區(qū)審議會第19次會議召開，會中通過冠亞半導(dǎo)體股份有限公司（下文簡稱“冠亞”）投資議案。 據(jù)介紹，該案投資金額達15億元新臺幣（折合人民幣約3.29億元），主要用來生產(chǎn)氮化鎵功率元件相關(guān)產(chǎn)品。 資料顯示冠亞為臺亞半導(dǎo)體子公司，專注于氮化鎵（GaN）功率技術(shù)...  [詳內(nèi)文]

電裝和羅姆宣布半導(dǎo)體領(lǐng)域合作計劃
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 08 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月30日，據(jù)電裝官網(wǎng)消息，電裝和羅姆宣布計劃建立專注于汽車應(yīng)用的半導(dǎo)體合作伙伴關(guān)系。作為這一計劃的一部分，電裝將收購羅姆部分股份。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，電裝為目前幾乎所有品牌和型號的車輛開發(fā)技術(shù)和組件，羅姆則生產(chǎn)一系列功率器件和分立器件，包括碳化硅芯片和模塊，在汽...  [詳內(nèi)文]

晶馳機電、云嶺半導(dǎo)體、氮矽科技完成新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 08 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
第三代半導(dǎo)體賽道融資熱度持續(xù)高漲，近日又有3家相關(guān)廠商分別完成新一輪融資。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 碳化硅設(shè)備廠晶馳機電完成數(shù)千萬首輪融資 10月7日，據(jù)杭州晶馳機電科技有限公司（以下簡稱：晶馳機電）官微披露，晶馳機電近日完成數(shù)千萬首輪融資，由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司（正定縣...  [詳內(nèi)文]

三安光電獲得政府補助資金1040萬元
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 08 日 18:00 | 分類 企業(yè)
繼今年6月底，三安光電發(fā)布公告，收到政府補助后，其在10月7日晚間再發(fā)布一則關(guān)于獲得政府補助的公告。 根據(jù)本次公告，2024年7月1日至2024年9月29日，三安光電及下屬子公司收到與收益相關(guān)、未履行信息披露義務(wù)且未達披露標準的政府補助款約1040萬元。 三安光電2024年第三...  [詳內(nèi)文]

鑫威源電子氮化鎵激光器芯片生產(chǎn)線通線試產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月29日，據(jù)武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子近日在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線完成通線試產(chǎn)。 source：鑫威源電子 據(jù)悉，氮化鎵激光器芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器芯片。這種芯...  [詳內(nèi)文]

科友半導(dǎo)體實現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底批量制備
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月30日，據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，科友半導(dǎo)體在今年9月成功實現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底的批量制備，通過優(yōu)化電阻爐溫場、引入緩沖層優(yōu)化長晶工藝、優(yōu)化原料區(qū)域溫度分布，發(fā)揮了電阻加熱式PVT法碳化硅單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢。 source：科友半導(dǎo)體 檢測表明，科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅襯底產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

射頻及功率器件廠商華太電子開啟上市輔導(dǎo)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 30 日 17:50 | 分類 射頻
9月27日，中國證監(jiān)會網(wǎng)站披露關(guān)于蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司（下文簡稱“華太電子”）首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報告。 報告顯示，2024年9月13日，華太電子與華泰聯(lián)合證券簽署了上市輔導(dǎo)協(xié)議。 資料顯示，華太電子成立于2010年3月，是一家擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術(shù)...  [詳內(nèi)文]