近日，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳平臺（深圳平湖實(shí)驗(yàn)室）宣布在碳化硅襯底加工領(lǐng)域取得里程碑式進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的全自動(dòng)化激光剝離系統(tǒng)，成功將碳化硅襯底單片切割損耗從傳統(tǒng)工藝的280-300微米降至75微米以下，單片成本降低26%，技術(shù)水平達(dá)到國際先進(jìn)。
在第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中，碳化硅（SiC）襯底加工技術(shù)長期受制于高損耗、低效率的瓶頸。深圳平湖實(shí)驗(yàn)室聚焦SiC激光剝離新技術(shù)的研究與開發(fā)，旨在大幅降低碳化硅襯底的切割損耗，從而降低碳化硅襯底的成本，促進(jìn)大尺寸SiC襯底規(guī)?；a(chǎn)業(yè)應(yīng)用。
2024年12月，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室新技術(shù)研究部實(shí)現(xiàn)了激光剝離單片總損耗≤120μm，單片切割時(shí)間30min，達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。
圖片來源：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室
通過進(jìn)一步進(jìn)行激光剝離的機(jī)理研究和優(yōu)化激光剝離的工藝參數(shù)，2025年6月實(shí)現(xiàn)激光剝離的單片總損耗≤75μm，單片切割時(shí)間20min，單片成本降低約26%，單臺設(shè)備切割時(shí)間從60分鐘/片縮短至20分鐘/片，結(jié)合智能化產(chǎn)線，產(chǎn)能提升3倍，為規(guī)模化生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。并且已完成三批次的小批量驗(yàn)證，良率100%。
隨著新能源汽車、光伏等領(lǐng)域?qū)μ蓟栊枨蠹ぴ?，國產(chǎn)激光剝離技術(shù)的成熟將為產(chǎn)業(yè)鏈自主化注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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