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碳化硅新應(yīng)用，熱電池轉(zhuǎn)換效率創(chuàng)新高
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:33 | 分類 功率
長(zhǎng)時(shí)間電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能將出現(xiàn)新的解方。美國(guó)密西根大學(xué)開(kāi)發(fā)的熱電池，其熱能轉(zhuǎn)換器效率達(dá)到44%，表現(xiàn)也優(yōu)于常見(jiàn)的蒸汽渦輪機(jī)，其平均效率為35%。 太陽(yáng)能、風(fēng)力發(fā)電成本雖然快速下跌，但是只有再生能源價(jià)格下降還不夠，因?yàn)榫G能為間歇性能源，日落或是沒(méi)有風(fēng)的時(shí)候，還是需要“電池“等儲(chǔ)能系統(tǒng)輔助，...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN，BAE Systems宣布和格芯達(dá)成合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:31 | 分類 功率
6月24日，BAE Systems宣布和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴關(guān)系，以加強(qiáng)美國(guó)國(guó)家安全項(xiàng)目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司將就增加美國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長(zhǎng)期戰(zhàn)略進(jìn)行合作，雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國(guó)國(guó)內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對(duì)航空航天和國(guó)防系...  [詳內(nèi)文]

搭上AI快車，第三代半導(dǎo)體要起飛了？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:29 | 分類 企業(yè)
第三代半導(dǎo)體功率器件主要以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能。 其中，SiC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車已成為其主要應(yīng)用市場(chǎng)之一。與硅基器件相比，SiC功率器件能更好地滿足高壓快充需求，助力新能源汽車延長(zhǎng)續(xù)...  [詳內(nèi)文]

120億+15億，國(guó)內(nèi)2個(gè)8英寸碳化硅項(xiàng)目迎來(lái)新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:05 | 分類 功率
近日，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在海滄正式開(kāi)工。 該項(xiàng)目總投資120億元，建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線，建成后將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。 該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，其中，一期項(xiàng)目總投資70億...  [詳內(nèi)文]

SiC半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約落戶湖南株洲
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
6月24日，湖南省功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)接會(huì)暨功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟第八屆發(fā)展戰(zhàn)略高峰論壇在株洲舉行。 會(huì)上，4個(gè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)簽約，分別為特種變壓器智能制造基地項(xiàng)目、SiC半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地、沃坦科通信連接器項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體基板批量制造基地項(xiàng)目。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 其...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET正式量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 18:00 | 分類 企業(yè)
作為一家聚焦于SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域的芯片廠商，瞻芯電子致力于開(kāi)發(fā)SiC功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、SiC功率模塊產(chǎn)品，并圍繞SiC功率半導(dǎo)體應(yīng)用，為客戶提供一站式芯片解決方案。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 據(jù)悉，瞻芯電子在國(guó)內(nèi)較早自主開(kāi)發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平...  [詳內(nèi)文]

總投資10億元，鑫誠(chéng)光電高端激光器芯片制造項(xiàng)目落地佛山
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 17:55 | 分類 企業(yè)
據(jù)“順德發(fā)布”官微消息，6月24日，廣東鑫誠(chéng)光電半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“鑫誠(chéng)光電”）與佛山市順德區(qū)政府簽約，標(biāo)志著高端激光器芯片項(xiàng)目正式落地順德陳村。 source：順德發(fā)布 該項(xiàng)目計(jì)劃總投資約為10億元，計(jì)劃分三期開(kāi)展，主要建設(shè)高端激光器芯片的批量化生產(chǎn)以及測(cè)試基地。首期選...  [詳內(nèi)文]

世界第一座8英寸SiC晶圓工廠開(kāi)工利用率已達(dá)到20%
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 17:55 | 分類 企業(yè)
6月24日，Wolfspeed披露了公司旗下SiC項(xiàng)目的最新進(jìn)展。 Wolfspeed的莫霍克谷SiC晶圓廠的晶圓開(kāi)工利用率已達(dá)到20%，Wolfspeed表示，這是公司努力滿足對(duì)SiC功率器件日益增長(zhǎng)的需求的關(guān)鍵一步。 莫霍克谷SiC晶圓廠(source：Wolfspeed）...  [詳內(nèi)文]

布局GaN，臺(tái)達(dá)電子攜手TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 9:03 | 分類 企業(yè)
6月21日，臺(tái)達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。 臺(tái)達(dá)表示，此舉不僅深化雙方長(zhǎng)期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗(yàn)及創(chuàng)新技術(shù)，強(qiáng)化新一代電動(dòng)車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢(shì)，增強(qiáng)臺(tái)達(dá)在電動(dòng)車領(lǐng)域的核心競(jìng)...  [詳內(nèi)文]

總投資11億，芯谷微微波器件及模組項(xiàng)目封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 9:00 | 分類 射頻
6月21日，合肥芯谷微電子股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“芯谷微”）微波器件及模組項(xiàng)目主廠房迎來(lái)封頂。 source：芯谷微 據(jù)合肥日?qǐng)?bào)早先報(bào)道，該項(xiàng)目于2023年5月18日開(kāi)工，占地55畝，建筑面積6.6萬(wàn)平方米，總投資額約11億元。規(guī)劃建設(shè)微波器件廠房、模組廠房、綜合動(dòng)力站及倒班宿...  [詳內(nèi)文]