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晶盛機(jī)電聯(lián)合創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目大樓主體全面封頂
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 29 日 10:05 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近日，晶盛聯(lián)合創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目大樓主體全面封頂。 產(chǎn)業(yè)園位于杭州灣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)高端智造集聚區(qū)，總建筑面積約10.9萬(wàn)平方米。 為了助力12英寸大硅片的發(fā)展，晶盛機(jī)電投資8億元，在產(chǎn)業(yè)園建設(shè)12英寸集成電路大硅片設(shè)備測(cè)試實(shí)驗(yàn)線，配置試驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備，建設(shè)滿足高標(biāo)準(zhǔn)要求的試驗(yàn)環(huán)境場(chǎng)地，完善公...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體企業(yè)派恩杰、晟光硅研獲融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 29 日 10:04 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近日，又兩家第三代半導(dǎo)體企業(yè)獲融資。碳化硅功率器件企業(yè)派恩杰完成數(shù)億元A輪融資；晟光硅研完成數(shù)千萬(wàn)元Pre-A輪融資。 Source：拍信網(wǎng) 1、派恩杰完成數(shù)億元融資 近日，碳化硅功率器件派恩杰半導(dǎo)體在1月19日正式完成數(shù)億元A輪融資，不僅如此，在壬寅年，僅車(chē)規(guī)級(jí)功率MOS芯片...  [詳內(nèi)文]

越來(lái)越熱的毫米波雷達(dá)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 28 日 10:52 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
毫米波雷達(dá)是一種使用天線發(fā)射波長(zhǎng)1-10mm、頻率24-300GHz 的毫米波（Millimeter Wave，MMW）作為放射波的雷達(dá)傳感器。毫米波雷達(dá)根據(jù)接收和發(fā)射毫米波的時(shí)間差，結(jié)合毫米波傳播速度、載體速度及監(jiān)測(cè)目標(biāo)速度，可以獲得汽車(chē)與其他物體相對(duì)距離、相對(duì)速度、角度及運(yùn)動(dòng)...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)射頻，格局初定
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 28 日 10:45 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
2023年是國(guó)產(chǎn)射頻前端芯片格局初定的一年，各個(gè)細(xì)分賽道都將迎來(lái)上市公司。 老虎金錢(qián)豹，各走各的道。國(guó)產(chǎn)射頻前端的各個(gè)細(xì)分賽道，都會(huì)有自己的標(biāo)桿企業(yè)，自己的龍頭企業(yè)，自己的企業(yè)陣營(yíng)。這種格局，將維持至少十年之久，原因在于術(shù)業(yè)有專(zhuān)攻，在于寧為雞頭不為鳳尾，在于中國(guó)射頻公司的負(fù)責(zé)人需...  [詳內(nèi)文]

多重應(yīng)用齊發(fā)，氮化鎵功率半導(dǎo)體迎向成長(zhǎng)轉(zhuǎn)折點(diǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 28 日 10:43 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems從地緣政治下全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈動(dòng)態(tài)、能源轉(zhuǎn)換效率革新等面向，展望2023年全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)。電汽化 (Electrification) 、數(shù)字化 (Digitalization)及凈零永續(xù) (Sustainability) 三大...  [詳內(nèi)文]

2022年度中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 20 日 11:14 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
1.拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器 中科院物理研究所陸凌團(tuán)隊(duì)將原創(chuàng)的拓?fù)涔馇粦?yīng)用于半導(dǎo)體激光芯片，研制出拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器[topological-cavity surface-emitting laser (TCSEL)]，得到了遠(yuǎn)超主流商用產(chǎn)品的單模功率和光束質(zhì)量。TCSEL的發(fā)明有望...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵：10年后將直接與碳化硅競(jìng)爭(zhēng)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 19 日 14:09 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借耐高溫、抗高壓、開(kāi)關(guān)速度快、效率高、節(jié)能、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近年來(lái)被國(guó)內(nèi)外相關(guān)企業(yè)持續(xù)關(guān)注和布局，相信這股熱潮將會(huì)一路延續(xù)到2023年。 然而，在寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展勢(shì)如破竹的同時(shí)，學(xué)術(shù)界和科研界不約而同地展望下一代半...  [詳內(nèi)文]

超476億！2022年國(guó)內(nèi)新立項(xiàng)/簽約SiC項(xiàng)目匯總
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 18 日 13:48 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
2022年，碳化硅賽道好不熱鬧。 國(guó)際上，Wolfspeed啟動(dòng)了全球首個(gè)8英寸SiC晶圓廠；II-VI正式更名為Coherent，其1200V SiC MOSFET產(chǎn)品獲得車(chē)規(guī)認(rèn)證；ASM完成了對(duì)LPE的收購(gòu)，入局SiC外延設(shè)備；意法半導(dǎo)體和Soitec宣布就SiC晶圓制造技術(shù)...  [詳內(nèi)文]

美國(guó)國(guó)家儀器NI考慮出售
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 17 日 17:06 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)國(guó)家儀器有限公司NI（National Instruments Corp.）正在考慮出售。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 根據(jù)1月13日的聲明顯示，NI已經(jīng)請(qǐng)專(zhuān)家對(duì)一系列方案進(jìn)行評(píng)估，也包含了解潛在收購(gòu)方及其他交易伙伴的興趣，其中，部分人已經(jīng)接洽了NI。 除此之外，...  [詳內(nèi)文]

遼陽(yáng)澤華電子碳化硅封裝項(xiàng)目獲省級(jí)專(zhuān)項(xiàng)資金支持
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 17 日 9:38 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近日，澤華電子第三代半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目經(jīng)省發(fā)展改革委組織行業(yè)專(zhuān)家評(píng)市后列為遼寧省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目，并獲得省級(jí)專(zhuān)項(xiàng)資金的有力支持。 據(jù)悉，澤華電子是東北地區(qū)民營(yíng)企業(yè)中最大的以半導(dǎo)體元器件設(shè)計(jì)研發(fā)、封裝測(cè)試為主導(dǎo)的電子科技類(lèi)企業(yè)，具備年產(chǎn)15億支晶體管及集成電路的能力，主營(yíng)產(chǎn)品為IC集成電路及...  [詳內(nèi)文]