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瞻芯電子：國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A和1407A量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 17:23 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，瞻芯電子自主開發(fā)的2款通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A、IVCR1407A啟動(dòng)了全國產(chǎn)供應(yīng)鏈量產(chǎn)。 據(jù)了解，IVCR1801A和IVCR1407A均為單通道、高速、低側(cè)的柵極驅(qū)動(dòng)芯片（Gate-driver），已獲工規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（JEDEC)，且能兼容替代國際廠牌的成熟...  [詳內(nèi)文]

6.98億，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子擬開展二期項(xiàng)目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購買金額和面積以實(shí)際出讓文件為準(zhǔn)），并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目二期建設(shè)。 項(xiàng)目與公司已建設(shè)的項(xiàng)目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)灣地區(qū)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來逆風(fēng)，各大廠信心不減
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 17:21 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
受益于新能源革命，電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)自動(dòng)化等下游應(yīng)用的多點(diǎn)爆發(fā)，以碳化硅、氮化鎵為首的化合物半導(dǎo)體進(jìn)入了高速增長的階段，成為了行業(yè)“熱詞”，逐漸從小眾走向主流。 近年來，臺(tái)灣地區(qū)也在不斷加速化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 01、2022年總產(chǎn)值791億元，年減4.5% 日前，據(jù)...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN、GaAs技術(shù)，兆馳半導(dǎo)體與立琻半導(dǎo)體達(dá)成協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 16:54 | 分類 氮化鎵GaN
近日，兆馳半導(dǎo)體與蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司（Lekin Semi）（以下簡稱“立琻半導(dǎo)體”）在LED芯片領(lǐng)域達(dá)成專利許可協(xié)議。 此項(xiàng)專利許可協(xié)議范圍包括數(shù)百項(xiàng)全球LED芯片核心專利，覆蓋美國、歐洲、日韓及中國大陸、中國臺(tái)灣等國家和地區(qū)，專利保護(hù)范圍包括PSS襯底，LED外延結(jié)構(gòu)，L...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)120臺(tái)化合物半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備，中晟光電半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目封頂
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月18日，中晟光電設(shè)備（上海）股份有限公司位于臨港的研發(fā)和生產(chǎn)基地建設(shè)項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)順利封頂。 據(jù)了解，項(xiàng)目建筑面積21,180.73平方米，包含千級(jí)潔凈室1,700平方、萬級(jí)潔凈室4,000平方、十萬級(jí)潔凈室2,000平方，涵蓋了辦公、研發(fā)、生產(chǎn)、會(huì)議、培訓(xùn)等眾多區(qū)域。 項(xiàng)目建...  [詳內(nèi)文]

SiC相關(guān)企業(yè)譜析光晶完成數(shù)千萬元A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 17:21 | 分類 碳化硅SiC
今年1月，譜析光晶宣布完成數(shù)千萬元A輪融資，由北京亦莊創(chuàng)投領(lǐng)投，上海脈尊、杭州長江創(chuàng)投等跟投。 譜析光晶成立于2020年，是一家第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片和系統(tǒng)提供商，致力于碳化硅芯片和碳化硅高溫半導(dǎo)體系統(tǒng)設(shè)計(jì)制造以及應(yīng)用的公司，其產(chǎn)品應(yīng)用涵蓋電動(dòng)汽車、能源勘探、光伏儲(chǔ)能、航天軍工等...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電擬上調(diào)6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線總投資額
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 16:58 | 分類 氮化鎵GaN
2月22日，捷捷微電發(fā)布關(guān)于全資子公司功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目變更投資總額的公告。 據(jù)介紹，捷捷微電于2021年7月召開的董事會(huì)上審議通過了《關(guān)于對外投資的議案》，同意公司全資子公司捷捷半導(dǎo)體建設(shè)“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，總投資5.1億...  [詳內(nèi)文]

又3大SiC/GaN項(xiàng)目落地浙江
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 16:55 | 分類 產(chǎn)業(yè)
2022年，SiC碳化硅領(lǐng)域熱火朝天，逆風(fēng)而上，而2023年也延續(xù)了上一年的火熱趨勢，簽單、擴(kuò)產(chǎn)不停。近日，國內(nèi)便又有三個(gè)項(xiàng)目傳來好消息。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 天狼芯半導(dǎo)體三代半封裝測試項(xiàng)目將落地浙江仙居 2月15日，深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：天狼芯半導(dǎo)體）與浙...  [詳內(nèi)文]

蓋澤半導(dǎo)體SiC外延膜厚測量設(shè)備順利交付
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 8:57 | 分類 碳化硅SiC
日前，華矽蓋澤半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（以下簡稱：蓋澤半導(dǎo)體）宣布，其自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測量設(shè)備GS-M06Y已正式交付客戶。 GS-M06Y將應(yīng)用于半導(dǎo)體前道量測，主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進(jìn)行測量。GS-M06Y設(shè)備采用了蓋澤半導(dǎo)體自主研發(fā)的高精算法、Loa...  [詳內(nèi)文]

涉及化合物半導(dǎo)體，安徽省2023年首批重點(diǎn)項(xiàng)目公布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 8:56 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月20日，安徽省人民政府公布安徽省2023年重點(diǎn)項(xiàng)目清單（第一批）。項(xiàng)目清單分為A類項(xiàng)目和B類項(xiàng)目，合計(jì)近一萬項(xiàng)項(xiàng)目。 A類中，續(xù)建項(xiàng)目包括“臻芯年產(chǎn)1000萬（套）LED封裝項(xiàng)目”、“青鳥消防應(yīng)急照明生產(chǎn)基地項(xiàng)目”、“年產(chǎn)兩億顆LED照明芯片封測項(xiàng)目”、“芯視佳硅基OLED...  [詳內(nèi)文]