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芯際探索新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)基地投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 02 日 17:20 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月23日，貴州芯際探索科技有限公司（以下簡稱“芯際探索”）生產(chǎn)基地投產(chǎn)儀式在貴陽市花溪區(qū)舉行。 芯際探索于2022年3月1日正式簽約，2022年7月進場裝修、調(diào)試，僅用半年時間就完成了萬級凈化廠房裝修、半導(dǎo)體器件封裝生產(chǎn)線的調(diào)試和通線。 項目規(guī)劃投資3億元，主要從事國產(chǎn)新型功率...  [詳內(nèi)文]

特斯拉制造投資10萬億美元，下一代平臺減少75%碳化硅
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 02 日 17:17 | 分類 碳化硅SiC
今日，特斯拉舉行投資者大會。馬斯克在會上介紹了“宏圖計劃”（Master Plan），儲能240TWh，可再生電力30TWh，制造投資10萬億美元，能源要求不到燃料經(jīng)濟的一半。 特斯拉相關(guān)負責(zé)人在會上透露，Model 3上市至今，特斯拉通過產(chǎn)品改進等方式，將其生產(chǎn)成本大幅降低了3...  [詳內(nèi)文]

65億定增獲受理，士蘭微強化高端功率半導(dǎo)體布局
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 02 日 16:30 | 分類 碳化硅SiC
3月1日，士蘭微發(fā)布公告稱，公司向特定對象發(fā)行股票的申請已獲上交所受理。 據(jù)悉，士蘭微擬向不超過35名特定對象發(fā)行A股股票，募集資金總額不超過65億元，主要用于以下項目： 士蘭微指出，年產(chǎn)36萬片12英寸芯片生產(chǎn)線項目、SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目、汽車半導(dǎo)體封裝項目（一期）的...  [詳內(nèi)文]

愛思強2022年營收約34億，GaN/SiC設(shè)備收入占比最高
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 17:19 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
在2022年大環(huán)境不利的情況下，海內(nèi)外大多數(shù)廠商業(yè)績表現(xiàn)不佳，但設(shè)備廠商中逆勢成長的例子卻不少，比如國內(nèi)MOCVD設(shè)備廠中微公司，其在去年實現(xiàn)營收與凈利潤雙增長，新簽訂單金額約為63.2億元，同比增長約53.0%。 國際MOCVD設(shè)備廠商愛思強（AIXTRON SE）昨日也公布了...  [詳內(nèi)文]

深圳市2023年重大項目計劃公布，涉及第三代半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 17:18 | 分類 碳化硅SiC
近日，深圳市發(fā)展和改革委員會公布《深圳市2023年重大項目計劃》。項目清單顯示，今年深圳市重大項目計劃共安排項目841個，總投資約3.6萬億元，年度計劃投資2813.5億元。 半導(dǎo)體項目中有華潤微深圳12英寸集成電路生產(chǎn)線建設(shè)項目、方正微第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目、中芯國際1...  [詳內(nèi)文]

華芯邦5.3億元的碳化硅芯片項目落戶山東聊城
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 16:33 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)聊城高新區(qū)官方消息，2月28日，在2023聊城（深圳）粵港澳大灣區(qū)重點招商項目簽約儀式上，深圳市華芯邦科技有限公司（以下簡稱：華芯邦）投資5.3億元的碳化硅芯片封裝項目成功簽約并落戶高新區(qū)。 圖片來源：聊城高新區(qū) 根據(jù)公開資料，華芯邦成立于2008年，成立至今一直專注于模擬芯...  [詳內(nèi)文]

從天岳先進財報看碳化硅襯底為何賺錢難
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 16:30 | 分類 碳化硅SiC
2022年1月12日，天岳先進正式在科創(chuàng)板上市。 彼時，頂著“碳化硅襯底第一股”的頭銜，天岳先進被奉為第三代半導(dǎo)體“全村的希望”，其在上市后首份年報扭虧為盈，并成功摘“U”，更令人倍覺前途光明。 然而，來到2023年，其公布的2022年業(yè)績，卻令人疑惑。 1.75億！天岳先進20...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 9:01 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，上海瞻芯電子科技有限公司（以下簡稱“瞻芯電子”）完成數(shù)億元B輪融資，本輪融資由國方創(chuàng)新領(lǐng)投，國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構(gòu)跟投，老股東臨芯投資、光速中國、廣發(fā)信德持續(xù)追加。 2022年12月 ，瞻芯電子剛剛完成了數(shù)億元Pre-B輪融資。由上...  [詳內(nèi)文]

林眾電子IGBT及碳化硅功率模塊項目奠基
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 9:00 | 分類 碳化硅SiC
2月26日，上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心項目基地開工儀式舉行。建成后將為林眾電子新增2000萬只IGBT及碳化硅功率半導(dǎo)體模塊的年生產(chǎn)能力，達產(chǎn)后年產(chǎn)值將超30億元，成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體智能制造基地。 據(jù)了解，項目位于上海市松江區(qū)，土建投資3.6億元，含設(shè)備總投資預(yù)計...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)第一，這顆6英寸氧化鎵單晶擊碎“卡脖子”
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分類 氮化鎵GaN
昨（27）日，中國電子科技集團有限公司（中國電科）宣布，近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 01、中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶 氧化鎵，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以β-Ga2O...  [詳內(nèi)文]