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傳三星將為英飛凌代工功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:12 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)韓媒昨日（3/10）日?qǐng)?bào)道，三星晶圓代工部（Samsung Foundry）已經(jīng)從去年開(kāi)始為英飛凌生產(chǎn)MOSFET，未來(lái)有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。 韓媒表示，知情人士透露，雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產(chǎn)通用型電源管理芯片，但英飛凌正在...  [詳內(nèi)文]

超40億！SK siltron SiC襯底產(chǎn)能將擴(kuò)大17倍
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:10 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
據(jù)韓媒今日?qǐng)?bào)道，有消息稱(chēng)，SK siltron Inc.計(jì)劃斥資6.4億美元（約合人民幣44.59億元）在2025年之前將SiC碳化硅晶圓產(chǎn)能擴(kuò)大17倍。 據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，2020年3月，SK siltron收購(gòu)了美國(guó)杜邦（DuPont）的SiC晶圓業(yè)務(wù)，自那兒以后，SK...  [詳內(nèi)文]

北京發(fā)布2023重點(diǎn)工程計(jì)劃，泰科天潤(rùn)等項(xiàng)目在列
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 16:49 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
3月10日消息，近日，北京市發(fā)改委發(fā)布了《北京市2023年重點(diǎn)工程計(jì)劃》。 今年，北京將繼續(xù)實(shí)施”3個(gè)100″市重點(diǎn)工程，推進(jìn)100個(gè)科技創(chuàng)新及高精尖產(chǎn)業(yè)、100個(gè)基礎(chǔ)設(shè)施和100個(gè)民生改善項(xiàng)目。其中新建項(xiàng)目120個(gè)，續(xù)建項(xiàng)目180個(gè)，力爭(zhēng)當(dāng)年完工項(xiàng)目54...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科推出高性?xún)r(jià)比120W氮化鎵方案，采用TO封裝，效率達(dá)94.6%
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 15:11 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
隨著終端產(chǎn)品對(duì)氮化鎵的加速應(yīng)用，氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大。相較于硅，氮化鎵高頻率、小體積的優(yōu)勢(shì)不言而喻，但價(jià)格卻仍然讓許多方案廠(chǎng)商猶豫不決。英諾賽科坐擁全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造基地，規(guī)模化量產(chǎn)使氮化鎵成本在行業(yè)中具備較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 近期還推出了采用TO252 / TO...  [詳內(nèi)文]

宏微科技2022年幾款SiC混合模塊已批量出貨
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 17:31 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近日，宏微科技組織參觀(guān)活動(dòng)，在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產(chǎn)的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶(hù)端測(cè)試；SiC MOS也在流片中。 在公司的未來(lái)規(guī)劃中SiC占據(jù)非常重要的地位，但SiC產(chǎn)品的驗(yàn)證與產(chǎn)能釋放都需要一定時(shí)間，公司的S...  [詳內(nèi)文]

2023年湖南電子信息制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目公布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 17:30 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，湖南省工信廳發(fā)布，圍繞先進(jìn)計(jì)算、新型顯示、能源電子等重點(diǎn)方向，今年鋪排42個(gè)電子信息制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目，單個(gè)項(xiàng)目投資均在5億元以上，總投資達(dá)1385億元。2023年度計(jì)劃投資473億元；項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可年新增營(yíng)收1500億元以上。 其中，湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目（二期）、...  [詳內(nèi)文]

集邦咨詢(xún)：2023年SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值估將突破22億美元
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 14:25 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景，能進(jìn)一步提升電動(dòng)汽車(chē)與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究統(tǒng)計(jì)，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]

SiC龍頭羅姆官宣兩則好消息
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 11:32 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近日，羅姆（ROHM）接連發(fā)布了兩則好消息。一是其開(kāi)發(fā)的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所旗下企業(yè)的數(shù)據(jù)中心電源模塊；二是確立了一項(xiàng)技術(shù)，可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。 SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊 3月2日，羅姆宣布其開(kāi)發(fā)的第3代SiC肖特基二極...  [詳內(nèi)文]

美國(guó)NI收購(gòu)德國(guó)設(shè)備廠(chǎng)SET，發(fā)力汽車(chē)SiC市場(chǎng)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:23 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今年1月消息，美國(guó)自動(dòng)測(cè)試及量測(cè)系統(tǒng)廠(chǎng)商N(yùn)I（National Instruments，國(guó)家儀器）正在考慮出售。近日，NI又傳來(lái)了新消息，而這次是關(guān)乎并購(gòu)另外一家設(shè)備公司。 3月6日，NI宣布已通過(guò)現(xiàn)金收購(gòu)德國(guó)設(shè)備廠(chǎng)商SET GmbH，目標(biāo)是縮短關(guān)鍵的高度差異化解決方案的上市時(shí)間...  [詳內(nèi)文]

總投資6億、年產(chǎn)3000片，博康嘉興氮化鎵項(xiàng)目開(kāi)工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:20 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
據(jù)“嘉興城南”官方消息，3月6日，博康（嘉興）半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線(xiàn)項(xiàng)目正式開(kāi)工。 該項(xiàng)目總投資約6億元，占地面積46667平方米，將新建工業(yè)廠(chǎng)房30543平米，并引進(jìn)光刻機(jī)、磁控濺射機(jī)等設(shè)備約100臺(tái)套，用于生產(chǎn)通信用氮化鎵射頻芯片先導(dǎo)線(xiàn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將為3000片。 項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]