近期，媒體報道英飛凌兩項電源領(lǐng)域合作。
5月20日，英飛凌公司表示，將與英偉達(dá)合作開發(fā)下一代電源系統(tǒng)，以革新未來人工智能數(shù)據(jù)中心所需的電力傳輸架構(gòu)。英飛凌表示，該全新系統(tǒng)架構(gòu)能顯著提升數(shù)據(jù)中心內(nèi)電能分配效率，并支持在服務(wù)器主板內(nèi)直接為AI芯片（圖形處理器GPU）進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換。
同日，英飛凌官微發(fā)布消息表示，近期公司與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT，CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驅(qū)動器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代高質(zhì)量40kW/60kW獨立風(fēng)道充電模塊、液冷充電模塊以及V2G車網(wǎng)互動解決方案的技術(shù)升級，顯著提升充換電設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性，為充電行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入新動能。
圖片來源：英飛凌——圖為優(yōu)優(yōu)綠能40kW/60kW全碳化硅充電模塊
英飛凌表示，碳化硅器件與生俱來的高功率密度優(yōu)勢，能優(yōu)化電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，有效減少線損，降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，是打造高性能、輕量化、緊湊型充電解決方案的理想選擇。通過采用英飛凌CoolSiC?碳化硅解決方案，優(yōu)優(yōu)綠能充電模塊效率提升至97.5%以上。
在顯著提升效率的同時，英飛凌CoolSiC?溝槽柵技術(shù)通過更厚的氧化層和更高的篩選電壓，最大限度地降低了柵極氧化層缺陷率，保障了產(chǎn)品的可靠性。這種對碳化硅材料物理底層的深度理解，以及超過40年溝槽柵技術(shù)、溝槽底部電場均勻設(shè)計的長期積累，使得英飛凌在碳化硅領(lǐng)域提前占據(jù)了可靠性的領(lǐng)先地位。
隨著新能源汽車充電需求向大功率、高頻化方向升級，英飛凌CoolSiC?技術(shù)正以高效、可靠的雙重優(yōu)勢，加速推動全球充電樁行業(yè)向高質(zhì)量發(fā)展轉(zhuǎn)型。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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