5月18日，河北晶馳機電 有限公司（以下簡稱“晶馳機電”）舉行了河北省首臺（套）12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐交付儀式。
source：正定發(fā)布
據(jù)悉，晶馳機電此次交付的12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐采用了電阻式物理氣相傳輸（PVT）方法，通過創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)和熱場設計，結(jié)合先進的過程控制理論和自動化控制方法，實現(xiàn)了均勻的徑向溫度和寬范圍精準可調(diào)的軸向溫度梯度。這種設計使得設備能夠精準控制長晶過程中的工藝參數(shù)，并實現(xiàn)高度智能化運行。消息顯示，該設備能夠無縫“一鍵切換”生產(chǎn)8英寸和12英寸的碳化硅單晶，大大提高了設備的靈活性和生產(chǎn)效率。
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與傳統(tǒng)6英寸和8英寸的襯底相比，12英寸碳化硅襯底材料顯著擴大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積。在同等生產(chǎn)條件下，這不僅提高了芯片產(chǎn)量，還顯著降低了單位芯片制造成本。此外，通過該設備生長出來的晶錠形態(tài)完美，表面微凸度精準控制在2.4毫米以內(nèi)。設備的爐間工藝穩(wěn)定，操作方法簡單，可實現(xiàn)快速投產(chǎn)，整個工藝流程全部自動化控制，適合產(chǎn)業(yè)化應用。
官方資料顯示，晶馳機電成立于2021年7月，總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心。公司專注于第三代和第四代半導體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應用推廣。2024年年末，晶馳機電在河北石家莊建成了一個半導體材料研發(fā)生產(chǎn)項目，并于11月初投產(chǎn)。該項目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，分兩期建設，一期建設計劃時間為2025年—2026年。該項目以金剛石設備與碳化硅外延設備為產(chǎn)品核心，致力于推動我國半導體材料裝備的自主創(chuàng)新發(fā)展。
12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐的成功交付，不僅為晶馳機電在半導體材料裝備制造領域樹立了新的里程碑，也為我國半導體產(chǎn)業(yè)的自主可控發(fā)展提供了有力支持。未來，晶馳機電將繼續(xù)深化產(chǎn)學研合作，強化自主創(chuàng)新能力，不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能，提高技術(shù)成果轉(zhuǎn)化效率。同時，公司還將進一步擴大生產(chǎn)規(guī)模，以滿足全球市場對高性能碳化硅材料的需求。
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值得注意的是，早在今年3月，晶馳機電就成功完成了12英寸多晶生長驗證，實現(xiàn)了同一爐臺8英寸和12英寸碳化硅單晶的穩(wěn)定量產(chǎn)，標志著國產(chǎn)設備在大尺寸碳化硅襯底技術(shù)攻堅中取得了新的突破。今年1月，晶馳機電開發(fā)的8英寸碳化硅電阻式長晶爐通過客戶驗證，并正式開啟了小批量交付。此外，其自主研發(fā)的“全自動碳化硅腐蝕清洗設備”也成功交付海外客戶。
除了河北晶馳機電有限公司外，還有多家企業(yè)在12英寸碳化硅設備領域取得了顯著進展并實現(xiàn)交付或即將交付。
近日，山東力冠微電子裝備已攻克12英寸PVT電阻加熱長晶爐的研發(fā)難關(guān)，并于近期完成首批兩臺設備的交付，計劃在2025年實現(xiàn)12英寸設備的批量供貨。此外，大族半導體在8/12英寸SiC襯底激光剝離技術(shù)上實現(xiàn)了三大新突破，推動大尺寸碳化硅襯底加工邁向“低成本、高良率”時代。江蘇天晶智能也于4月8日正式發(fā)布了12英寸碳化硅超硬材料超高速多線切割機。
這些企業(yè)的突破進一步推動了我國在第三代半導體材料裝備制造領域的自主創(chuàng)新能力。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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