近期，媒體報道英飛凌兩項電源領域合作。
5月20日，英飛凌公司表示，將與英偉達合作開發(fā)下一代電源系統(tǒng)，以革新未來人工智能數據中心所需的電力傳輸架構。英飛凌表示，該全新系統(tǒng)架構能顯著提升數據中心內電能分配效率，并支持在服務器主板內直接為AI芯片（圖形處理器GPU）進行電力轉換。
同日，英飛凌官微發(fā)布消息表示，近期公司與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT，CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驅動器等全套功率半導體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代高質量40kW/60kW獨立風道充電模塊、液冷充電模塊以及V2G車網互動解決方案的技術升級，顯著提升充換電設備的電能轉換效率與穩(wěn)定性，為充電行業(yè)的高質量發(fā)展注入新動能。
圖片來源：英飛凌——圖為優(yōu)優(yōu)綠能40kW/60kW全碳化硅充電模塊
英飛凌表示，碳化硅器件與生俱來的高功率密度優(yōu)勢，能優(yōu)化電路拓撲結構，有效減少線損，降低導通損耗和開關損耗，是打造高性能、輕量化、緊湊型充電解決方案的理想選擇。通過采用英飛凌CoolSiC?碳化硅解決方案，優(yōu)優(yōu)綠能充電模塊效率提升至97.5%以上。
在顯著提升效率的同時，英飛凌CoolSiC?溝槽柵技術通過更厚的氧化層和更高的篩選電壓，最大限度地降低了柵極氧化層缺陷率，保障了產品的可靠性。這種對碳化硅材料物理底層的深度理解，以及超過40年溝槽柵技術、溝槽底部電場均勻設計的長期積累，使得英飛凌在碳化硅領域提前占據了可靠性的領先地位。
隨著新能源汽車充電需求向大功率、高頻化方向升級，英飛凌CoolSiC?技術正以高效、可靠的雙重優(yōu)勢，加速推動全球充電樁行業(yè)向高質量發(fā)展轉型。
（集邦化合物半導體整理）
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