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兩條8英寸產(chǎn)線新進(jìn)展：涉及碳化硅、氮化鎵
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:23 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產(chǎn)線之后，香港再傳出兩條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線進(jìn)展。 近期，明報(bào)新聞網(wǎng)報(bào)道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線，分別負(fù)責(zé)碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計(jì)在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。 2024年5月，香港立法會(huì)批準(zhǔn)28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:49 | 分類 氮化鎵GaN
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)，目標(biāo)瞄準(zhǔn)規(guī)模超百億美元的電動(dòng)汽車市場(chǎng)。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]

東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房竣工
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:46 | 分類 功率
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）近日在其位于日本西部兵庫(kù)縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財(cái)年的水平增加一倍以上，并將于2025財(cái)年上半年開始全面生產(chǎn)。 功率器件是提高各種電氣和電子設(shè)備能源效率的重要元件，在電力供應(yīng)和...  [詳內(nèi)文]

天域半導(dǎo)體等企業(yè)參加，碳化硅（CVD）領(lǐng)域團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)啟動(dòng)會(huì)召開
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:53 | 分類 企業(yè)
近日，由中國(guó)國(guó)際經(jīng)濟(jì)技術(shù)合作促進(jìn)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化工作委員會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)促會(huì)標(biāo)委會(huì)”）聯(lián)合通標(biāo)中研標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院共同組織的《碳化硅外延片制備技術(shù)規(guī)范化學(xué)氣相沉積法（CVD）》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)啟動(dòng)會(huì)順利召開。 包括廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、南京百識(shí)電子科技有限公司、藍(lán)河科技（紹興）有限公司、深...  [詳內(nèi)文]

三安光電披露：重慶8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已達(dá)500片/周
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:51 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月12日，三安光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)披露，其位于重慶的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線已正式投產(chǎn)，當(dāng)前周產(chǎn)能達(dá)500片。這一進(jìn)展標(biāo)志著國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在規(guī)?；a(chǎn)領(lǐng)域邁出重要一步，為新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興市場(chǎng)提供關(guān)鍵材料支撐。 source：三安光電 公開資料顯示，重慶三安8英寸碳化硅...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體龍頭，開啟一筆重大并購(gòu)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:47 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月13日，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告稱，公司正籌劃通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購(gòu)東莞市貝特電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“貝特電子”）控股權(quán)，并同步募集配套資金。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 受此影響，該公司股票自當(dāng)日開市起停牌，預(yù)計(jì)3月27日前披露重組預(yù)案并申請(qǐng)復(fù)牌。這一動(dòng)作...  [詳內(nèi)文]

納微助力長(zhǎng)城電源打造超高功率密度模塊電源
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:16 | 分類 氮化鎵GaN
納微半導(dǎo)體宣布其搭載GaNSense?技術(shù)的GaNFast??氮化鎵功率芯片進(jìn)入長(zhǎng)城電源供應(yīng)鏈，成功助力其打造AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進(jìn)行計(jì)算，400V獨(dú)立機(jī)柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全...  [詳內(nèi)文]

中微公司：刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺(tái)全球出貨超5000臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:12 | 分類 企業(yè)
3月12日，中微公司宣布其等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)總臺(tái)數(shù)全球累計(jì)出貨超過5000臺(tái)，涉及CCP高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP低能等離子體刻蝕機(jī)、單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器和雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器共四種構(gòu)型的設(shè)備。 中微公司介紹，等離子體刻蝕機(jī)，是光刻機(jī)之外，最關(guān)鍵的、也是市場(chǎng)最大的微觀加工設(shè)備。由于微觀器件...  [詳內(nèi)文]

北方華創(chuàng)：擬取得芯源微的控制權(quán)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 12 日 16:24 | 分類 企業(yè)
3月10日晚間，北方華創(chuàng)發(fā)布的公告顯示，該公司計(jì)劃通過“兩步走”戰(zhàn)略取得芯源微的控制權(quán)。 北方華創(chuàng)首先擬從芯源微第二大股東沈陽(yáng)先進(jìn)制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“先進(jìn)制造”）收購(gòu)1906.49萬(wàn)股芯源微股份，每股作價(jià)88.48元，交易對(duì)價(jià)約16.87億元。 與此同時(shí)，芯源微的第三...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科納入港股通
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 12 日 16:21 | 分類 氮化鎵GaN
今年3月10日，國(guó)內(nèi)氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科正式納入港股通，將吸引全球資金，有望進(jìn)一步鞏固氮化鎵產(chǎn)業(yè)地位。港股通是內(nèi)地投資港股的便捷通道，連接滬深與港交所股票市場(chǎng)。企業(yè)納入港股通后，能吸引更多資金，提升知名度，并促進(jìn)股票流動(dòng)性。 官方資料顯示，英諾賽科是全球最大的氮化鎵芯片制造企業(yè)...  [詳內(nèi)文]