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星曜半導(dǎo)體正式收購韓國威盛(Wisol)天津封測工廠
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 16:22 | 分類 企業(yè)
5月6日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再添新動向，浙江星曜半導(dǎo)體 有限公司（Starshine）（以下簡稱“星曜半導(dǎo)體”）宣布，正式完成對韓國威盛（Wisol）公司旗下天津封測工廠（天津威盛電子有限公司）的收購。 source：星曜半導(dǎo)體 據(jù)悉，星曜半導(dǎo)體此次戰(zhàn)略收購涵蓋該工廠生產(chǎn)設(shè)備、軟件、成...  [詳內(nèi)文]

英國將向這家化合物半導(dǎo)體工廠投資2億英鎊
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分類 企業(yè)
近期媒體報道，英國國防部宣布追加2億英鎊戰(zhàn)略投資Octric Semiconductors，以強化英國本土化合物半導(dǎo)體制造能力。 Octric Semiconductors，這家位于達勒姆郡牛頓艾克利夫的晶圓廠前身為美國Coherent公司旗下砷化鎵（GaAs）生產(chǎn)基地，2024...  [詳內(nèi)文]

無錫：全力搶占“三代半”制高點
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分類 企業(yè)
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的核心代表，正以其耐高壓、高頻、高效等特性重塑全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，吸引各國爭相投入研發(fā)。中國碳化硅技術(shù)研發(fā)進展順利，近期，兩項碳化硅技術(shù)迎來新突破。 1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達到國際領(lǐng)先水平 “連城數(shù)控”官微消息，近期，中...  [詳內(nèi)文]

兩家日本半導(dǎo)體公司發(fā)布碳化硅新品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，#日本羅姆株式會社?與#三菱電機株式會社?相繼推出基于碳化硅（SiC）材料的新型功率半導(dǎo)體模塊，分別聚焦電動汽車與家用電器領(lǐng)域。作為第三代半導(dǎo)體技術(shù)的代表，碳化硅憑借耐高壓、低損耗等特性，正持續(xù)拓展其在新能源與消費電子領(lǐng)域的應(yīng)用邊界。 羅姆開發(fā)新型碳化硅半導(dǎo)體 日本半導(dǎo)體制...  [詳內(nèi)文]

碳化硅材料：高折射率與高熱導(dǎo)性成為最理想AR鏡片材料
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:53 | 分類 碳化硅SiC
以下內(nèi)容轉(zhuǎn)載自：思瀚研究院 碳化硅材料：高折射率助力實現(xiàn)廣闊視場角FOV 碳化硅材料折射率可達2.6以上，對比樹脂和玻璃等優(yōu)勢明顯，單層鏡片即可實現(xiàn)80度以上FOV。常用材料折射率方面，普通樹脂約1.51，高折射率樹脂約1.74；普通玻璃約1.5，高折射率玻璃約1.9。 而SiC...  [詳內(nèi)文]

全球新增一條碳化硅晶圓線
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:52 | 分類 企業(yè)
近日，據(jù)行業(yè)媒體消息，中國臺灣茂矽電子股份有限公司（以下簡稱“茂矽電子”）預(yù)計于今年6月底完成?#碳化硅?制程產(chǎn)線建設(shè)，并計劃于下半年開啟試量產(chǎn)。這一產(chǎn)線的建成將使茂矽電子每月新增3000片的碳化硅晶圓產(chǎn)能，未來還將根據(jù)市場需求持續(xù)購置相關(guān)設(shè)備，逐步擴大生產(chǎn)規(guī)模。 茂矽電子的碳化...  [詳內(nèi)文]

氮矽科技攜手Ulike打造首款超聲炮美容儀產(chǎn)品，加速GaN元件導(dǎo)入消費市場
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 30 日 16:42 | 分類 氮化鎵GaN
致力于引領(lǐng)全球氮化鎵(GaN)革命的解決方案供應(yīng)商氮矽科技近日宣布，氮矽科技先進低壓氮化鎵集成方案DXC3510S2CA產(chǎn)品成功應(yīng)用于由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10。依靠其超高頻、高效能等性能優(yōu)勢，該技術(shù)方案強力支持產(chǎn)品超聲聚能和能...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)兩項碳化硅技術(shù)迎突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 29 日 15:41 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的核心代表，正以其耐高壓、高頻、高效等特性重塑全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，吸引各國爭相投入研發(fā)。中國碳化硅技術(shù)研發(fā)進展順利，近期，兩項碳化硅技術(shù)迎來新突破。 1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達到國際領(lǐng)先水平 “連城數(shù)控”官微消息，近期，中...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠官宣新CEO
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 29 日 15:38 | 分類 企業(yè) , 功率
近期，恩智浦在最新財報中宣布了新任CEO，該公司指出：現(xiàn)任CEO庫爾特·西弗斯將于今年年底從公司退休?，F(xiàn)任恩智浦高管拉斐爾·索托馬約爾將立即擔(dān)任總裁一職，并將于10月28日成為新任首席執(zhí)行官。 恩智浦表示，拉斐爾在制定和塑造恩智浦戰(zhàn)略以及推動公司成功方面發(fā)揮了不可或缺的作用。公司...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科多款氮化鎵產(chǎn)品集中亮相
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 29 日 15:35 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日， 英諾賽科在慕尼黑上海電子展（Electronica China）和武漢九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE）上展出的氮化鎵產(chǎn)品及解決方案，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。 其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V ...  [詳內(nèi)文]