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三安光電公布6英寸SiC最新產(chǎn)能規(guī)劃
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 26 日 17:43 | 分類 碳化硅SiC
12月25日，三安光電在互動平臺表示，截至2023年上半年末，公司6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)能為1.5萬片/月，預(yù)計2023年末至2024年初，產(chǎn)能規(guī)劃擴(kuò)產(chǎn)至1.8萬-2萬片/月。三安光電稱，公司8英寸SiC產(chǎn)品已進(jìn)行了小批量試生產(chǎn)，襯底產(chǎn)品良率水平居國內(nèi)前列且穩(wěn)步提升。 據(jù)悉，湖...  [詳內(nèi)文]

第四代半導(dǎo)體材料龍頭NCT又有新突破
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 26 日 17:41 | 分類 企業(yè)
近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。 據(jù)了解，NCT成立于2015年6月， 是一家專注研發(fā)和生產(chǎn)新一代半導(dǎo)體技術(shù)的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合資...  [詳內(nèi)文]

京東方華燦擬5500萬元向北方華創(chuàng)采購Micro LED相關(guān)設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 26 日 16:46 | 分類 企業(yè)
12月22日，京東方華燦發(fā)布公告稱，公司全資子公司華燦光電（廣東）有限公司（以下簡稱廣東華燦）和華燦光電（浙江）有限公司（以下簡稱浙江華燦）擬使用募集資金向關(guān)聯(lián)方北方華創(chuàng)購買生產(chǎn)設(shè)備，關(guān)聯(lián)交易總額預(yù)計不超5,500萬元。 其中，廣東華燦擬使用募投項(xiàng)目中的“Micro LED晶圓制...  [詳內(nèi)文]

蘇格蘭SiC晶圓廠Clas-SiC開展大動作
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:46 | 分類 企業(yè)
12月19日，據(jù)外媒消息，蘇格蘭碳化硅（SiC）晶圓廠Clas-SiC正在尋求2400萬英鎊（折合人民幣約2.18億元）的投資，用來擴(kuò)大潔凈室空間并購買額外的生產(chǎn)設(shè)備，此舉有望將工廠的產(chǎn)能擴(kuò)大至2.5倍，該筆資金還可以用于后續(xù)的工藝開發(fā)和彈性運(yùn)營。 據(jù)了解， Clas-SiC是英...  [詳內(nèi)文]

韓國APROSEMICON公司新建GaN生產(chǎn)基地
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:45 | 分類 企業(yè)
據(jù)外媒消息，近日，韓國APROSEMICON公司（首席執(zhí)行官Jonghyun Lim）將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.3億元）建設(shè)以氮化鎵 (GaN) 為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。 為此，該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Apros...  [詳內(nèi)文]

上海新一代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目有新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:44 | 分類 功率
根據(jù)中建八局上海公司官微消息，昨（24）日，新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目全面封頂，標(biāo)志著項(xiàng)目高效、安全地完成了主體結(jié)構(gòu)建設(shè)任務(wù)。 據(jù)介紹，項(xiàng)目位于浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)，總建筑面積5.79萬平方米，是上海市重大工程。項(xiàng)目以打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流的紅外探測器研制生產(chǎn)基地為目標(biāo)，建成后將形...  [詳內(nèi)文]

數(shù)千萬！SiC MOSFET廠商至信微電子完成A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分類 企業(yè)
近日，深圳市至信微電子有限公司（以下簡稱至信微電子）宣布完成數(shù)千萬元A輪融資，本輪融資由深智城產(chǎn)投、正景資本、揚(yáng)子江基金、太和基金共同投資，融資資金將用于加速公司產(chǎn)品研發(fā)、團(tuán)隊(duì)擴(kuò)建以及市場拓展等。 資料顯示，至信微電子成立于2021年11月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)的...  [詳內(nèi)文]

南京國盛第一枚GaN on Si外延片正式下線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分類 企業(yè)
12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。 據(jù)介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強(qiáng)等優(yōu)勢，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢，具有較強(qiáng)的競爭力。國盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電...  [詳內(nèi)文]

河北印發(fā)支持第三代半導(dǎo)體發(fā)展若干措施通知
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 22 日 13:45 | 分類 功率
近日，為推動為貫徹落實(shí)全省推動電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會精神,加快第三代半導(dǎo)體發(fā)展，河北省人民政府印發(fā)《關(guān)于支持第三代半導(dǎo)體等5個細(xì)分行業(yè)發(fā)展的若干措施》，相關(guān)內(nèi)容如下： (一)支持設(shè)計研發(fā)驗(yàn)證 對擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的第三代半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè),其研發(fā)設(shè)計的新產(chǎn)品通過用戶驗(yàn)證并產(chǎn)生銷售收入,...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署SiC長期供貨協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 22 日 13:41 | 分類 功率
12月22日，意法半導(dǎo)體官微宣布，公司與理想汽車簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議，意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供SiC MOSFET，支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。 意法半導(dǎo)體和理想聚焦SiC 作為全球半導(dǎo)體知名廠商和國內(nèi)新能源汽車龍頭企業(yè)，意法半導(dǎo)體和...  [詳內(nèi)文]