Author Archives: huang, Mia

第四代半導體氧化鎵蓄勢待發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分類 功率
新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導體發(fā)展風生水起。與此同時，第四代半導體也在蓄勢待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報道，鴻海研究院半導體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團隊在第四代...  [詳內文]

緯湃科技碳化硅功率模塊量產
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 23 日 18:11 | 分類 企業(yè)
8月22日，緯湃科技宣布，公司碳化硅功率模塊在天津工廠迎來首次批產。 緯湃科技介紹，天津工廠是緯湃科技功率模塊的亞洲制造中心，也是公司首個將碳化硅功率模塊投入批產的工廠。 據此前報道，2023年8月，天津經開區(qū)管委會與緯湃汽車電子（天津）有限公司（以下簡稱緯湃天津）共同簽署了《新...  [詳內文]

國內首套碳化硅晶錠激光剝離設備投產
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 23 日 18:10 | 分類 功率
據新聞晨報報道，8月21日，從江蘇通用半導體有限公司（下文簡稱通用半導體）傳來消息，由該公司自主研發(fā)的國內首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設備正式交付碳化硅襯底生產領域頭部企業(yè)，并投入生產。 據了解，該設備可實現6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動分片，將極大地提升我國碳化硅芯片...  [詳內文]

加速8英寸，Wolfspeed將關閉一座6英寸工廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 22 日 17:58 | 分類 企業(yè)
8月21日，Wolfspeed公布了2024財年第四季度和全年營收，并計劃關閉旗下達勒姆6英寸碳化硅晶圓廠。 2024財年第四季度，公司合并營收約為2.01億美元，上年同期約為2.03億美元，凈虧損1.74億美元；GAAP毛利率為1%，而去年同期為29%；非GAAP毛利率為5%，...  [詳內文]

第三輪通知丨第2屆第三代半導體與先進封裝技術創(chuàng)新大會暨半導體展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 22 日 17:30 | 分類 企業(yè)
大會背景 半導體材料作為現代電子信息產業(yè)的重要基石，已經上升到大國科技競爭的核心領域。隨著新能源、5G通訊、人工智能以及低空經濟等先進生產力的快速發(fā)展，對半導體材料的需求急劇增長，然而硅基半導體材料正面臨著摩爾定律逼近物理極限的挑戰(zhàn)。為了應對這一挑戰(zhàn)并繼續(xù)推動信息技術產業(yè)的創(chuàng)新與...  [詳內文]

碳化硅、氮化鎵領域新增2起投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 21 日 17:51 | 分類 功率
8月20日，中國臺灣新竹科學園公告了第18次園區(qū)審議會核準投資案（竹科）詳情。其中，環(huán)翔科技股份有限公司（下文簡稱“環(huán)翔科技”）、碳矽電子股份有限公司（下文簡稱“碳矽電子”）增資議案被批通過，二者分在氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）領域有所布局。 公告顯示，環(huán)翔科技此次獲資金額...  [詳內文]

三菱電機今年將量產新一代光收發(fā)器芯片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 21 日 17:50 | 分類 光電
8月20日，三菱電機宣布，公司已開發(fā)出一種用于下一代光纖通信的光收發(fā)器接收器芯片，計劃于10月1日開始提供樣品，并于2024年底實現量產。 該接收器芯片的傳輸速度可達200Gbps，可應對生成人工智能（AI）廣泛應用下不斷增長的數據中心（DC）網絡高速化和大容量化的需求。 新開發(fā)...  [詳內文]

三菱電機、賽米控丹佛斯、英飛凌、富士電機、羅姆攜200+電力電子廠商齊聚深圳PCIM Asia，共探綠色能源、電動汽車等應用
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 21 日 15:45 | 分類 企業(yè)
PCIM Asia 2024 深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會即將于8月28至30日在深圳國際會展中心（寶安新館）璀璨啟幕！ 匯聚全球逾220家電力電子行業(yè)品牌、高校及科研機構，共同探討電力電子技術的新趨勢、新挑戰(zhàn)與新機遇。這不僅是一場技術的交流盛宴，更是推動產業(yè)...  [詳內文]

芯碁微裝國產碳化硅相關設備出口日本
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 20 日 17:50 | 分類 功率
8月19日，國內半導體設備廠商芯碁微裝宣布，公司旗下MLF系列設備首次出口至日本。 芯碁微裝表示，公司MLF系列直寫光刻設備專為高精度、高效能的泛半導體封裝應用而設計，特別適用于功率半導體，如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的封裝工藝。該設備配備先進的設備前端模塊（EFEM），能夠...  [詳內文]

WaveLoad計劃明年初量產氮化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 19 日 17:25 | 分類 企業(yè)
8月18日，WaveLoad對外宣布，公司計劃明年年初量產氮化鎵外延片。 WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達1000級的無塵室，可批量生產氮化鎵外延片。該設施可生產4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產能分別為2,000片/月和500片/月。目前，Wave...  [詳內文]