近日，揚(yáng)杰科技、三安光電、華太電子以及中恒微半導(dǎo)體四家企業(yè)分別發(fā)布其在關(guān)鍵技術(shù)和市場(chǎng)拓展方面的重要進(jìn)展。從前瞻布局人形機(jī)器人到深耕新能源汽車和賦能新一代通信技術(shù)，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)正以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，加速產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
01、揚(yáng)杰科技：布局人形機(jī)器人與車規(guī)級(jí)SiC模塊雙線并進(jìn)
揚(yáng)杰科技于5月12日在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司現(xiàn)有部分IGBT、MOSFET、ESD、TVS等產(chǎn)品已可應(yīng)用于人形機(jī)器人的小型關(guān)節(jié)電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及感知系統(tǒng)。盡管目前出貨量尚小，但此舉標(biāo)志著揚(yáng)杰科技已前瞻性地布局人形機(jī)器人這一新興領(lǐng)域。同時(shí)，公司也密切關(guān)注外骨骼機(jī)器人技術(shù)的發(fā)展與市場(chǎng)動(dòng)向，計(jì)劃根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行相關(guān)戰(zhàn)略調(diào)整。
新能源汽車領(lǐng)域，揚(yáng)杰科技于5月9日宣布其SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式開工，總投資高達(dá)10億元。該項(xiàng)目專注于車規(guī)級(jí)框架式和塑封式IGBT、SiC MOSFET模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，旨在顯著提升公司在汽車電子功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
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source：揚(yáng)杰科技
值得一提的是，揚(yáng)杰科技在2025年第一季度的汽車電子營(yíng)收占比已超過(guò)15%，展現(xiàn)出其在該領(lǐng)域的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭。此外，為進(jìn)一步完善其在電路保護(hù)器件領(lǐng)域的產(chǎn)品布局，揚(yáng)杰科技還計(jì)劃收購(gòu)東莞貝特。
揚(yáng)杰科技主營(yíng)產(chǎn)品涵蓋MOSFET、IGBT、SiC等，廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、5G通訊等多個(gè)領(lǐng)域。公司采用“YJ”和“MCC”雙品牌策略，分別深耕國(guó)內(nèi)及亞太市場(chǎng)和歐美市場(chǎng)，構(gòu)建全球化的市場(chǎng)渠道。
02、三安光電：碳化硅業(yè)務(wù)強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)，產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張
三安光電近日表示，公司的碳化硅襯底及外延銷售已正式計(jì)入集成電路產(chǎn)品營(yíng)業(yè)收入，并透露湖南三安已具備16000片/月的6英寸碳化硅配套產(chǎn)能。此前信息顯示，截至2025年4月，湖南三安的8英寸碳化硅襯底及外延產(chǎn)能已達(dá)1000片/月，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中。重慶三安的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線已于2025年3月投產(chǎn)，當(dāng)前產(chǎn)能為500片/周，并計(jì)劃逐步提升至每周1萬(wàn)片。
三安光電已完成650V至2000V、13mΩ至1000mΩ全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局，廣泛應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源等工業(yè)級(jí)市場(chǎng)，部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和批量供貨。湖南三安的碳化硅襯底也已向多家客戶送樣驗(yàn)證，并在AI/AR眼鏡、熱沉散熱等新興應(yīng)用方向展開探索。
在合資方面，湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶成立的安意法半導(dǎo)體已于2025年2月實(shí)現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2000片/月，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后8英寸外延、芯片年產(chǎn)能將達(dá)到48萬(wàn)片。此外，湖南三安與理想汽車合資成立的蘇州斯科半導(dǎo)體，其生產(chǎn)的理想汽車自研自產(chǎn)碳化硅功率模塊已于2025年2月13日下線。
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source：意法半導(dǎo)體
財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，三安光電在2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約145億元，同比增長(zhǎng)16.7%，其中碳化硅業(yè)務(wù)營(yíng)收突破11.4億元，同比增長(zhǎng)高達(dá)200%，成為公司營(yíng)收增長(zhǎng)的重要驅(qū)動(dòng)力。
03、華太電子：發(fā)布高性能功率放大器，賦能5G與低碳未來(lái)
華太電子于5月12日正式發(fā)布三款高性能功率放大器——HTH1D22P700S、HTN8G27P060P與H9G1822M60Q。這些產(chǎn)品覆蓋5G NR、4G LTE、基站驅(qū)動(dòng)及分布式天線系統(tǒng)等多種應(yīng)用場(chǎng)景，致力于以高效節(jié)能技術(shù)推動(dòng)全球通信基礎(chǔ)設(shè)施向綠色低碳轉(zhuǎn)型。
其中，HTH1D22P700S采用先進(jìn)的GaN on SiC技術(shù)，提供高達(dá)700W的飽和輸出功率，適用于5G NR FR1和4G LTE等，廣泛應(yīng)用于宏基站、中繼器和DAS系統(tǒng)。HTN8G27P060P基于Doherty架構(gòu)，具備雙通路60W輸出功率，支持多種通信制式，適用于設(shè)備升級(jí)和多載波部署。H9G1822M60Q采用非對(duì)稱Doherty結(jié)構(gòu)，在效率與線性之間取得平衡，為基站提供高效的驅(qū)動(dòng)解決方案。
華太電子于2025年4月在MEE 2025上展示了其最新的6kW儲(chǔ)能逆變器方案以及功率模塊封測(cè)和定制服務(wù)，并推出了適用于新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域的超結(jié)二代（SJ-IGBT）新品。華太電子專注于射頻、功率系列產(chǎn)品和高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測(cè)業(yè)務(wù)。
04、中恒微半導(dǎo)體：推出Drive ED3封裝SiC功率模塊
中恒微半導(dǎo)體于5月12日宣布推出Drive ED3（EconoDUAL? 3）封裝的SiC功率模塊。該模塊采用平面柵（planer gate）SiC MOSFET芯片技術(shù)，在高溫下展現(xiàn)出優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻特性。其標(biāo)準(zhǔn)封裝具有良好的適配性，能夠滿足多種中等功率應(yīng)用的需求。
source：中恒微
Drive ED3封裝的SiC功率模塊在高耐溫性方面表現(xiàn)卓越，最高可達(dá)600℃，保證了在極端工作條件下的穩(wěn)定性能，提升了系統(tǒng)的可靠性和使用壽命。憑借其卓越性能，該模塊適用于新能源汽車的主逆變器、光伏逆變器以及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，為相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步提供有力支持。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）