近期，我國(guó)三家企業(yè)在12英寸SiC技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，其中山東力冠微電子裝備有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“山東力冠”）在設(shè)備端取得關(guān)鍵進(jìn)展，而浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“浙江晶瑞SuperSiC”）與廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“南砂晶圓”）則在材料端實(shí)現(xiàn)重大突破，三家企業(yè)齊發(fā)力，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。
1、浙江晶瑞：成功研發(fā)12英寸導(dǎo)電型SiC晶體
5月12日，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC宣布，成功實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)，首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好。
source：浙江晶瑞SuperSiC圖為首顆12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶
浙江晶瑞SuperSiC基于自主研發(fā)的SiC單晶生長(zhǎng)爐以及持續(xù)迭代升級(jí)的8-12英寸長(zhǎng)晶工藝，經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新晶體生長(zhǎng)溫場(chǎng)設(shè)計(jì)及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長(zhǎng)中的溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂等核心難題。此次突破不僅實(shí)現(xiàn)了6-12英寸全尺寸長(zhǎng)晶技術(shù)自主可控，更將大幅降低芯片成本，加速SiC產(chǎn)業(yè)鏈完善，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC材料在多領(lǐng)域規(guī)?；瘧?yīng)用，助力我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向全球價(jià)值鏈高端。
2、南砂晶圓：發(fā)布12英寸導(dǎo)電型SiC襯底
5月8日，南砂晶圓在參加行業(yè)大會(huì)時(shí)，在現(xiàn)場(chǎng)展示了12英寸導(dǎo)電型SiC襯底等重點(diǎn)產(chǎn)品，成功實(shí)現(xiàn)大尺寸碳化硅襯底的突破。南砂晶圓自成立以來(lái)，一直致力于碳化硅單晶材料的研發(fā)和生產(chǎn)，擁有廣州、中山、濟(jì)南三大生產(chǎn)基地，形成了完整的碳化硅單晶生長(zhǎng)和襯底制備生產(chǎn)線，產(chǎn)品還包括6英寸和8英寸的導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底。
目前，南砂晶圓還成功實(shí)現(xiàn)了近“零螺位錯(cuò)”密度和低基平面位錯(cuò)密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備。這一技術(shù)進(jìn)步不僅提升了產(chǎn)品的可靠性和性能，也為國(guó)產(chǎn)8英寸導(dǎo)電型襯底的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
3、山東力冠微電子裝備：加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長(zhǎng)晶設(shè)備
近日，山東力冠在12英寸SiC長(zhǎng)晶爐領(lǐng)域取得了重要突破。公司公開(kāi)表示，已攻克12英寸PVT電阻加熱長(zhǎng)晶爐的研發(fā)難關(guān)，并于近期完成首批兩臺(tái)設(shè)備的交付。同時(shí)，該公司正加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長(zhǎng)晶設(shè)備。隨著12英寸電阻法長(zhǎng)晶系統(tǒng)的商業(yè)化突破，山東力冠計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)12英寸設(shè)備的批量供貨，助力國(guó)產(chǎn)碳化硅材料進(jìn)入全球供應(yīng)鏈第一梯隊(duì)。
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source：山東力冠微電子裝備
山東力冠自主研發(fā)的8英寸PVT碳化硅長(zhǎng)晶爐已實(shí)現(xiàn)批量銷(xiāo)售，涵蓋感應(yīng)及電阻加熱，適用于導(dǎo)電型與半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng)。該設(shè)備創(chuàng)新熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，顯著提升溫度均勻性與穩(wěn)定性（>30%），提高晶體良率與一致性，達(dá)國(guó)際主流水平。自動(dòng)化控制系統(tǒng)降低人工干預(yù)和生產(chǎn)成本，已獲國(guó)內(nèi)外頭部客戶(hù)采用。
公開(kāi)資料顯示，山東力冠的產(chǎn)品涵蓋第一代至第四代半導(dǎo)體材料工藝設(shè)備，均擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，完全自主可控，廣泛應(yīng)用于集成電路、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、5G芯片、光通信、MEMS等新型電子器件制造領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）