文章分類： 碳化硅SiC

近16億，功率器件龍頭加購(gòu)SiC材料

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 17:10 |
| 分類: 碳化硅SiC
12月15日，Wolfspeed宣布擴(kuò)大與一家功率器件廠商的SiC襯底多年長(zhǎng)期供貨協(xié)議，在原本已簽訂協(xié)議的基礎(chǔ)上，合同金額增加至2.25億美金（約合人民幣15.68億元），按照新簽的協(xié)議，Wolfspeed將向這家功率器件廠供應(yīng)6英寸SiC襯底及外延片。 SiC有利于實(shí)現(xiàn)小型化...  [詳內(nèi)文]

吉光半導(dǎo)體激光技術(shù)創(chuàng)新中心產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目竣工

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 15 日 11:16 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)報(bào)道，近日，吉光半導(dǎo)體激光技術(shù)創(chuàng)新中心產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目如期竣工，潔凈實(shí)驗(yàn)室廠房及動(dòng)力配套系統(tǒng)投入使用，第一款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。 “我們擁有國(guó)際先進(jìn)的半導(dǎo)體激光芯片量產(chǎn)線及研發(fā)線，大部分工藝環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，具備多款高速、高功率半導(dǎo)體激光芯片的產(chǎn)品化能力，可提供芯片流片及中試驗(yàn)證等創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅量產(chǎn)，加速中國(guó)臺(tái)灣第三代化合物半導(dǎo)體發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 15 日 11:11 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)中國(guó)臺(tái)灣資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)于昨日舉行《2023年臺(tái)灣資通訊產(chǎn)業(yè)前景》記者會(huì)，會(huì)中公布2023產(chǎn)業(yè)十大前景趨勢(shì)，隨著凈零轉(zhuǎn)型、永續(xù)ESG重視性提升，資策會(huì)預(yù)測(cè)隨著國(guó)際大廠于8吋碳化硅量產(chǎn)，將加速中國(guó)臺(tái)灣第三代化合物半導(dǎo)體發(fā)展。 資策會(huì)MIC表示，國(guó)際大廠Wolfspe...  [詳內(nèi)文]

青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地順利封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 15 日 11:02 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日，深圳青銅劍科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“深圳青銅劍”）科技大廈順利封頂。 青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市年度重大項(xiàng)目，位于坪山區(qū)丹梓大道與光科三路交匯處西南角，占地逾8000平方米，總建筑面積近50000平方米。 該基地于2021年1月正式開工，將作為青銅劍科技集團(tuán)總部，...  [詳內(nèi)文]

SiC MOSFET新動(dòng)態(tài)：意法半導(dǎo)體上車起亞，羅姆用于日立

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 14 日 17:30 |
| 分類: 碳化硅SiC
新能源電動(dòng)汽車是碳化硅應(yīng)用最火熱的賽道，碳化硅應(yīng)用在新能源汽車系統(tǒng)中，擁有顯著提高電動(dòng)汽車的行駛里程，節(jié)約動(dòng)力電子設(shè)備冷卻成本、減輕電動(dòng)汽車自身的重量等諸多優(yōu)勢(shì)。 而在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)下，碳化硅功率器件市場(chǎng)需求龐大。 目前SiC功率元件市場(chǎng)主要由歐美日IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨商ST...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體CEO Jean-Marc Chery近三年來首次訪華

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 14 日 17:29 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)意法半導(dǎo)體官方消息，司總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery和全球市場(chǎng)營(yíng)銷總裁Jerome Roux于2022年11月重啟了對(duì)中國(guó)的客戶的拜訪。 在此次的中國(guó)之行中，Jean-Marc Chery、Jerome Roux、意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、中國(guó)區(qū)總裁曹志平等ST高管...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 13 日 17:17 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，中國(guó)科大國(guó)家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測(cè)器）成功被IEDM大會(huì)接收，這也是中國(guó)科大首次以第一作者單位在IEEE IEDM上發(fā)表論文。 高功率氧化鎵肖特基二極管 如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基...  [詳內(nèi)文]

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)裝車

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 13 日 17:15 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日，東風(fēng)汽車宣布智新半導(dǎo)體碳化硅功率模塊項(xiàng)目將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)裝車。 同時(shí)，東風(fēng)汽車與中國(guó)信科共建的汽車芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，正在推進(jìn)車規(guī)級(jí)MCU芯片在漢落地，預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；與中芯國(guó)際合作，已完成設(shè)計(jì)首款MCU芯片。 據(jù)悉，智新半導(dǎo)體成立于2019年6月，由東風(fēng)公司與中...  [詳內(nèi)文]

Soitec新加坡晶圓廠擴(kuò)建項(xiàng)目開工，年產(chǎn)200萬(wàn)片SOI晶圓

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 13 日 17:12 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，法國(guó)Soitec宣布，在新加坡巴西立晶圓工業(yè)園區(qū)的晶圓廠擴(kuò)建項(xiàng)目正式破土動(dòng)工。 據(jù)悉，工廠擴(kuò)建將致力于生產(chǎn)300mm SOI晶圓，這些晶圓用于生產(chǎn)智能手機(jī)芯片，尤其是5G通信，以及汽車和智能設(shè)備。擴(kuò)建工程于2024年完工后，將使Soitec新加坡工廠的年產(chǎn)能翻一番，達(dá)到約2...  [詳內(nèi)文]

解決“進(jìn)口”依賴，突破sic晶體長(zhǎng)厚的關(guān)鍵材料是什么？

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 12 日 17:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
“一次傳質(zhì)”工藝是采用一次傳質(zhì)的新熱場(chǎng)，傳質(zhì)效率提高且基本恒定，降低再結(jié)晶影響（避免二次傳質(zhì)），有效降低了微管或其它關(guān)聯(lián)晶體缺陷。平衡氣相組分，隔斷微量雜質(zhì)，調(diào)節(jié)局部溫度，減少碳包裹等物理性顆粒，在滿足晶體可用的前提下，晶體厚度大幅增加，是解決晶體長(zhǎng)厚的核心技術(shù)之一。 恒普科技在...  [詳內(nèi)文]