《2025全球SiC Power Device市場分析報(bào)告》最新版現(xiàn)已上線！

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的《全球2025 SiC Power Device市場分析》報(bào)告指出，憑借晶圓技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能迅速擴(kuò)張，SiC功率器件將逐步在高壓應(yīng)用場景（≥900V）確立領(lǐng)導(dǎo)地位，2030年整體市場規(guī)模有望成長至164億美元。同時(shí)，在核心電動(dòng)汽車市場增長放緩和SiC成本快速下降的背景下，SiC功率器件正在加速向工業(yè)市場滲透。

對(duì)于上游SiC襯底市場，目前仍然面臨著需求疲軟和供給過剩的雙重壓力，但長期成長趨勢依舊不變。另外，由于現(xiàn)行主流的6英寸SiC襯底價(jià)格快速下降，以及8英寸SiC前段制程的技術(shù)難度較高，加上市場環(huán)境劇烈變化，預(yù)計(jì)6英寸襯底將持續(xù)占據(jù)SiC襯底市場的主導(dǎo)地位。但8英寸襯底是進(jìn)一步降低SiC成本的必然選擇，且有助SiC芯片技術(shù)升級(jí)，預(yù)估出貨份額至2030年有望突破20%。

目前SiC MOSFET技術(shù)逐步由平面型轉(zhuǎn)向溝槽型，Infineon亦在今年推出了超結(jié)技術(shù)，助力SiC走向更為嚴(yán)苛的應(yīng)用場景。市場環(huán)境方面，由于關(guān)鍵的汽車市場短期承壓，各大公司已陸續(xù)啟動(dòng)成本削減戰(zhàn)略，從而推動(dòng)市場整合，例如onsemi收購了Qorvo的SiC JFET技術(shù)。另外，中國廠商的迅速崛起，以及本土車企對(duì)于SiC產(chǎn)業(yè)的全力扶持，進(jìn)一步促使產(chǎn)業(yè)格局生變，Renesas亦因此宣布終止SiC生產(chǎn)計(jì)劃。

長期來看，SiC在電動(dòng)汽車的滲透率仍然將穩(wěn)步上升，同時(shí)AI數(shù)據(jù)中心等工業(yè)應(yīng)用和其他高功率應(yīng)用的拓展，亦將持續(xù)推動(dòng)SiC市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，因此前景樂觀。

目前SiC產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷技術(shù)突破與產(chǎn)能擴(kuò)張的陣痛期，市場競爭加劇，未來的發(fā)展方向在于持續(xù)優(yōu)化制造工藝，提升產(chǎn)品性能、可靠性并降低生產(chǎn)成本，來不斷拓展更多工業(yè)應(yīng)用，并加速在電動(dòng)汽車市場的滲透。

TrendForce集邦咨詢針對(duì)全球SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游環(huán)節(jié)進(jìn)行全方面剖析，并著重于中國市場的持續(xù)跟蹤，如需詳細(xì)資料，歡迎與我們?nèi)〉寐?lián)系。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Rany 整理）

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