7月30日，中電科半導(dǎo)體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目在山西太原正式啟動，該項目由中國電子科技集團有限公司與山西省人民政府戰(zhàn)略共建，旨在打造國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅單晶生長產(chǎn)業(yè)基地。
圖片來源：山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)
項目投產(chǎn)后，將新增100萬毫米碳化硅單晶和30萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能，并快速實現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化和12英寸碳化硅襯底的工程化應(yīng)用。
另外，據(jù)太原新聞網(wǎng)消息，#爍科晶體 二期項目近期已全面投產(chǎn)，新增每年20萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能。據(jù)悉，二期項目總投資5.2億元，在中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地原有地塊內(nèi)新建碳化硅單晶生長車間、購置相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備，并在預(yù)留區(qū)新增晶體生長設(shè)備。
行業(yè)人士表示，二期項目的投產(chǎn)為年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目提供了堅實的基礎(chǔ)，確保了公司在碳化硅材料領(lǐng)域的持續(xù)增長和技術(shù)領(lǐng)先。
公開資料顯示，爍科晶體成立于2018年10月，是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)。作為央企中國電子科技集團有限公司“十二大創(chuàng)新平臺”之一，爍科晶體在國內(nèi)率先完成了4英寸、6英寸、8英寸高純半絕緣SiC單晶襯底的技術(shù)攻關(guān)。在近年來的發(fā)展過程中，公司逐漸形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。
同時，爍科晶體在碳化硅導(dǎo)電型襯底領(lǐng)域也是全球的佼佼者，尤其是在8英寸碳化硅襯底領(lǐng)域成績斐然：2021年9月制備出國內(nèi)首塊8英寸碳化硅單晶，2022年3月又率先加工出8英寸碳化硅單晶襯底，2023年再次率先將8英寸碳化硅襯底厚度降至350微米。
圖片來源：爍科晶體
此外，2024年12月，爍科晶體全球首發(fā)12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同步研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底。這一技術(shù)突破不僅展示了公司在大尺寸碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，還為未來更高性能、更低功耗的半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn)奠定了堅實基礎(chǔ)。
此外，爍科晶體還在碳化硅基底刻蝕制備衍射光波導(dǎo)鏡片的核心技術(shù)上取得進展，推動碳化硅刻蝕衍射光波導(dǎo)產(chǎn)品的研發(fā)與量產(chǎn)。
在市場拓展方面，爍科晶體已與歐洲、日本、韓國、中國臺灣等國家和地區(qū)的客戶簽訂了長期訂單，國際市場前景廣闊。
（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）
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