英諾賽科（Innoscience）正通過產(chǎn)能拓展、技術(shù)創(chuàng)新及戰(zhàn)略合作強(qiáng)化，持續(xù)鞏固其市場(chǎng)地位。公司計(jì)劃在未來五年內(nèi)顯著提升晶圓產(chǎn)能，同時(shí)推出新一代產(chǎn)品平臺(tái)并積極布局車規(guī)級(jí)、AI服務(wù)器等高增長(zhǎng)應(yīng)用市場(chǎng)。
產(chǎn)能布局與技術(shù)路線：聚焦8英寸，展望12英寸
英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)張。公司計(jì)劃將當(dāng)前每月13000片的產(chǎn)能提升至2025年底的20000片。長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)是未來五年內(nèi)將月產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大至70000片。這一增長(zhǎng)得益于其8英寸晶圓制造工藝的持續(xù)成熟與超過95%的良率。
全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)技術(shù)路線的深度博弈。近期，臺(tái)積電宣布計(jì)劃在兩年內(nèi)退出GaN晶圓代工業(yè)務(wù)，其主要原因可能在于GaN代工模式的投資回報(bào)率不如預(yù)期，且市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，公司內(nèi)容調(diào)整聚焦先進(jìn)制程等。與此同時(shí)，英飛凌則高調(diào)推進(jìn)12英寸GaN晶圓樣品，并預(yù)計(jì)在2025年第四季度向客戶提供首批樣品，試圖通過大尺寸晶圓實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能擴(kuò)張，這無疑引發(fā)了行業(yè)對(duì)未來主流技術(shù)路線的激烈討論。
面對(duì)這種分歧，英諾賽科堅(jiān)定推行其IDM（設(shè)計(jì)-制造-封測(cè)一體化）模式，并把戰(zhàn)略重心明確放在8英寸GaN產(chǎn)線的工程化成熟度上。公司高層判斷，盡管12英寸晶圓理論上可帶來更高的芯片產(chǎn)出，但其大規(guī)模商業(yè)化仍面臨核心挑戰(zhàn)，尤其是MOCVD設(shè)備（金屬有機(jī)化合物氣相沉積設(shè)備）的成熟度不足，尚無公開的12英寸GaN外延解決方案。
英諾賽科預(yù)計(jì)，12英寸GaN的產(chǎn)業(yè)化最早要到2030年才能進(jìn)入大規(guī)模商業(yè)化階段。在此之前，公司將致力于最大化8英寸平臺(tái)的規(guī)模效應(yīng)和成本優(yōu)勢(shì)，持續(xù)提升良率并擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足當(dāng)前及未來幾年市場(chǎng)對(duì)高性能、高可靠性氮化鎵器件的旺盛需求。
產(chǎn)品與技術(shù)創(chuàng)新：700V平臺(tái)發(fā)布，多領(lǐng)域技術(shù)突破
近期，英諾賽科發(fā)布了基于700V SolidGaN平臺(tái)的四款新品：ISG6123TA/TP、ISG6124TA/TP。這些產(chǎn)品采用TOLL/TOLT主流大功率封裝，旨在實(shí)現(xiàn)對(duì)現(xiàn)有硅/SiC控制器生態(tài)的“無感替換”。其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在兼容性、性能表現(xiàn)和應(yīng)用效益三個(gè)方面。
圖片來源：英諾賽科
在兼容性上，新品支持10–24V寬柵壓驅(qū)動(dòng)，兼容SiC/IGBT控制器，具備引腳兼容設(shè)計(jì)，并集成了LDO柵極鉗位，有效消除了Vgs過沖風(fēng)險(xiǎn)。
圖片來源：英諾賽科
性能表現(xiàn)方面，新品提供100V/ns dv/dt保護(hù)、0.5Ω米勒鉗位，零反向恢復(fù)電荷（Qrr=0）使得開關(guān)損耗降低40%，并擁有超低熱阻（最低0.46℃/W）。
在應(yīng)用效益方面，新品在1–6kW服務(wù)器、空調(diào)、工業(yè)電源等大功率應(yīng)用中，可提升效率1–2%，功率密度提高50%。與650kHz SiC方案相比，這些新器件的開關(guān)頻率可推高至2MHz，系統(tǒng)元件數(shù)量可減少60%。
近期，英諾賽科董事長(zhǎng)駱薇薇與CEO吳金剛在蘇州總部接受《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》專訪時(shí)透露，公司正在三大方向加速迭代，公司車規(guī)級(jí)高壓雙向?qū)℅aN器件已完成送樣并獲得客戶積極反饋，有望成為新能源汽車OBC、DC-DC及激光雷達(dá)電源的核心部件。另外，面向AI服務(wù)器/GPU供電的低壓高頻平臺(tái)目標(biāo)開關(guān)頻率達(dá)8–10MHz，旨在通過顯著縮減磁性元件體積，滿足下一代機(jī)柜對(duì)極致功率密度的需求。同時(shí)，100V半橋合封芯片已批量導(dǎo)入數(shù)據(jù)中心48V轉(zhuǎn)12V模塊、機(jī)器人伺服電機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)景，助力系統(tǒng)效率提升1–2%，功率密度提高50%。
港股上市與戰(zhàn)略合作助推高增長(zhǎng)
英諾賽科已于2024年12月30日在香港聯(lián)合交易所主板上市，成為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸GaN晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的IDM上市公司。
在戰(zhàn)略合作方面，意法半導(dǎo)體（ST）于6月30日將其所持英諾賽科H股禁售期延長(zhǎng)一年至2026年6月29日。此舉體現(xiàn)了ST作為英諾賽科IPO階段重要基石投資者對(duì)其長(zhǎng)期價(jià)值的認(rèn)可。該行動(dòng)也支持雙方正在執(zhí)行的聯(lián)合開發(fā)與制造協(xié)議，該協(xié)議旨在利用ST的海外晶圓廠拓展全球產(chǎn)能，同時(shí)ST可借助英諾賽科珠海、蘇州兩大基地的8英寸GaN產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)其在中國(guó)市場(chǎng)的本土化制造。
從市場(chǎng)需求來看，英諾賽科2024年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，新能源汽車和AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域訂單增長(zhǎng)顯著：車規(guī)芯片交付量同比增長(zhǎng)986.7%，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付量同比增長(zhǎng)669.8%。這表明氮化鎵在高功率、高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景中的滲透已進(jìn)入快速增長(zhǎng)階段。
英諾賽科憑借其完整的產(chǎn)業(yè)鏈布局和在關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域的突破，正為達(dá)成其未來五年7萬片月產(chǎn)能的目標(biāo)奠定堅(jiān)實(shí)的技術(shù)與市場(chǎng)基礎(chǔ)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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