5月9日，揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）宣布其SiC車規(guī)級功率半導體模塊封裝項目正式開工。
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該項目總投資10億元人民幣，聚焦車規(guī)級框架式、塑封式IGBT模塊及SiC MOSFET模塊等第三代半導體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，旨在通過技術突破實現(xiàn)進口替代，推動國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)自主可控發(fā)展。
據(jù)了解，#揚杰科技?該項目占地62畝，總建筑面積超過11.2萬平方米，將建設現(xiàn)代化封裝生產(chǎn)線及配套設施。項目全面達產(chǎn)后，預計形成年產(chǎn)7500萬只高端功率模塊的產(chǎn)能，年銷售額可達10億元。技術層面，揚杰科技明確對標國際標桿企業(yè)，目標將產(chǎn)品技術指標提升至接近國際領先水平，重點突破車規(guī)級SiC MOSFET模塊的可靠性、耐高溫及高效率等關鍵性能。
揚杰科技成立于2000年，是國內(nèi)功率半導體領域頭部企業(yè)，公司主營業(yè)務覆蓋功率半導體硅片、芯片及器件的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括設計、制造、封裝測試及終端銷售。其產(chǎn)品已廣泛應用于新能源汽車、光伏、儲能、工業(yè)電源等領域，尤其在SiC碳化硅領域形成技術積累，已推出650V至1200V全系列SiC SBD二極管及MOSFET產(chǎn)品。
此前三月底，揚杰科技披露了其2024年度財務報告。報告顯示，該公司2024年實現(xiàn)營業(yè)收入60.33億元，同比增長11.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤10.02億元，同比增長8.50%。在2024年度，揚杰科技收入、毛利率、凈利潤大體呈現(xiàn)逐季改善走高的趨勢。
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財報中提到，揚杰科技持續(xù)增加對第三代半導體芯片行業(yè)的投入，加大在以SiC為代表的第三代半導體功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)力度。其投資的SiC芯片工廠在報告期內(nèi)完成廠房裝修、設備搬入和產(chǎn)品通線，采用IDM技術實現(xiàn)了多款SiC產(chǎn)品升級。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市場份額持續(xù)增加，當前各類產(chǎn)品已廣泛應用于AI服務器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲能、工業(yè)電源等領域。
此外，揚杰科技已在揚州市邗江區(qū)布局6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線，總投資10億元，分兩期建設，全部投產(chǎn)后可形成5000片/月產(chǎn)能。同時，公司計劃拓展8英寸SiC芯片生產(chǎn)線，并聯(lián)合湖南楚微等企業(yè)推進6英寸SiC芯片量產(chǎn)，進一步強化第三代半導體領域的綜合實力。
作為揚州“613”產(chǎn)業(yè)體系中新一代信息技術集群的鏈主企業(yè)，揚杰科技此項目被視為揚州搶占新能源汽車核心零部件賽道的關鍵舉措。當?shù)卣硎緦⑷χС猪椖拷ㄔO，通過專項政策、資金扶持及高效審批流程保障工程進度，助力區(qū)域半導體產(chǎn)業(yè)鏈升級。（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）