在新能源汽車產(chǎn)業(yè)加速奔向“電動(dòng)化+智能化”的浪潮中，碳化硅（SiC）功率器件正不斷重塑產(chǎn)業(yè)格局。作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅憑借耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，成為電動(dòng)汽車主驅(qū)逆變器、充電樁等核心部件的“理想搭檔”。
隨著技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈成熟，車規(guī)級碳化硅市場已從概念驗(yàn)證邁入規(guī)?；涞仉A段，全球車企與半導(dǎo)體大廠正展開激烈角逐。近期，安世半導(dǎo)體傳出新進(jìn)展。
近期，安世半導(dǎo)體宣布推出D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET，這些器件此前已推出工業(yè)級版本，現(xiàn)正式獲得AEC-Q101認(rèn)證，可應(yīng)用于電動(dòng)汽車(EV)的車載充電器(OBC)、牽引逆變器，以及DC-DC轉(zhuǎn)換器、暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)等領(lǐng)域。
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source：安世半導(dǎo)體
安世半導(dǎo)體介紹，RDS(on)會(huì)影響導(dǎo)通損耗，是SiC MOSFET的關(guān)鍵性能參數(shù)。然而，隨著器件工作溫度上升，標(biāo)稱值可能會(huì)增加100%以上，從而導(dǎo)致相當(dāng)大的導(dǎo)通損耗。
與通孔技術(shù)相比，采用SMD封裝技術(shù)時(shí)，溫度穩(wěn)定性顯得尤為重要，因?yàn)槠骷柰ㄟ^PCB散熱。安世半導(dǎo)體認(rèn)為這是制約當(dāng)前眾多SiC器件性能的關(guān)鍵因素，憑借創(chuàng)新工藝技術(shù)，確保新型SiC MOSFET具備行業(yè)領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi)，RDS(on)標(biāo)稱值僅增加38%。
上述車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET系列產(chǎn)品，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。此外，安世半導(dǎo)體還計(jì)劃2025年推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)的車規(guī)級SiC MOSFET。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）