東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出最新一代用于工業(yè)設備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）——“TRSxxx65H系列”。首批12款產品（均為650V）中有7款產品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。
新產品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優(yōu)化了第2代產品的結勢壘肖特基（JBS）結構[2]。它們實現業(yè)界領先[3]的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新產品還在正向電壓與總電容電荷之間以及正向電壓與反向電流之間取得了平衡，從而在降低了功耗的同時提高了設備效率。
今年2月，東芝總裁佐藤裕之表示，公司的主要產品是用于控制汽車和家電功率的功率半導體，目前正在擴大產能。
佐藤裕之表示，車用功率半導體的性能非常好，公司認為需要擴產。目前生產場地不夠用，要建新廠房。據悉，東芝電子計劃在姬路半導體工廠（位于兵庫縣太子町）建設新廠房，并將于2025年春季投產，建成后該工廠的汽車產品產能將增加一倍以上。
圖片來源：拍信網正版圖庫
未來，半導體市場將擴大，并且用途也逐漸明了。以汽車為例，隨著電氣化的推進，使用的半導體數量不斷增加。佐藤裕之表示，未來東芝電子在半導體設備投資可能會增加。
此外，佐藤裕之表示公司將會大力發(fā)展節(jié)能性好、采用“碳化硅（SiC）”材料的功率半導體，并透露量產應該在2025年開始，但日本和國外的客戶都希望提前量產，公司方面將會討論是否有可能推進進程。
SiC是第三代化合物半導體的典型代表，具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢，廣泛應用于電力電子與射頻等下游。
SiC相比硅基材料具有寬禁帶、電子飽和漂移速率高、熱導系數高和熔點高等優(yōu)勢，可有效突破傳統(tǒng)硅基半導體器件及其材料的物理極限，作為襯底開發(fā)出更適應高溫、高壓、高頻率和大功率等條件的半導體器件，廣泛應用于新能源車、光伏及射頻領域。
其中，新能源汽車可以說是目前碳化硅應用最火熱的賽道。根據TrendForce集邦咨詢《第三代半導體功率應用市場分析報告》內容顯示，隨著越來越多車企開始在電驅系統(tǒng)中導入SiC技術，預估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）
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