隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復,SiC/GaN等第三代半導體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰,持續(xù)攪動新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應用領域的一池春水。
值此之際,TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳福田JW萬豪酒店成功舉辦“2023集邦咨詢第三代半導體前沿趨勢研討會”,匯聚了海內(nèi)外第三代半導體先進企業(yè)代表,以及科研院校和媒體界的眾多菁英,共同探討第三代半導體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀,展望未來。現(xiàn)場座無虛席,與會者熱情高漲,映射了第三代半導體領域的繁榮景象。
會議伊始,集邦咨詢總經(jīng)理樊曉莉女士發(fā)表致辭,她向所有參會嘉賓及線上的聽眾表示誠摯的歡迎和衷心的感謝,并表達了對的第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的美好祝愿。隨后,第三代半導體領域的行業(yè)專家與集邦咨詢分析師相繼發(fā)表精彩演講,演講精華匯總?cè)缦隆?/p>
北京大學
以GaN、SiC為代表的第三代半導體有許多不可替代的優(yōu)異性質(zhì),應用領域廣泛,是國家重大需求和國際高科技產(chǎn)業(yè)競爭的關鍵領域之一,正處于產(chǎn)業(yè)化的關鍵窗口期,因此受到了學術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界、中央和地方政府,甚至金融投資界的高度重視。
第三代半導體材料和器件在光電子、射頻電子和功率電子領域有著豐富的應用場景,且有其不可替代性。
我國在上述三個領域均建立了較為完整的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)體系,半導體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模已居世界第一,但整體上第三代半導體技術(shù)與國際頂尖水平還有3-5年的差距。
可喜的是,國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)在研發(fā)與產(chǎn)業(yè)兩個領域皆有了實質(zhì)性的突破。其中,科研機構(gòu)領域已具備全創(chuàng)新鏈研發(fā)能力,而第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈也已基本形成, 布局比較完整。并且,科研院校與企業(yè)之間的合作也更加緊密了,未來有望加速研發(fā)成果的轉(zhuǎn)化。
北京大學多年來在GaN基第三代半導體領域已經(jīng)取得了重要的成果,并在開始實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)應用。近年來在Si襯底上GaN材料外延和功率電子器件研制上取得了在國內(nèi)外有一定影響的成果,正在全力推進產(chǎn)業(yè)化應用。
北京大學教授、寬禁帶半導體研究中心主任 沈波
華燦光電
在手機、計算機的帶動下,GaN快充市場發(fā)揮出巨大的市場營銷能力,尤其以65W-100W為主流。2023年,隨著更多廠商的積極投入,GaN的市場關注度進一步提高,帶動了3C電源、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、光伏儲能等相關廠家的驗證使用。
然而,GaN目前也處于發(fā)展的萌芽期,仍面臨同質(zhì)襯底生長、可靠性不佳等技術(shù)問題,限制了生產(chǎn)良率和商用化發(fā)展。其中,GaN器件特性由外延結(jié)構(gòu)決定,器件的可靠性則與材料質(zhì)量緊密相關。目前,GaN襯底仍在開發(fā)中,市場上尚未有成熟的GaN襯底,只能使用硅和藍寶石等異質(zhì)接面襯底,而這些導致了GaN器件特性不佳。
自2020年進入GaN電力電子領域以來,華燦光電依托其在LED芯片在GaN材料和器件領域的積累,積極展開技術(shù)研究與產(chǎn)品開發(fā)。在自有外延方面,華燦光電于2022年啟動了6英寸藍寶石襯底研發(fā),初步完成650V GaN-on-Si for D-mode&E-mode的外延片研發(fā)和流片。在器件方面,完成了650V GaN產(chǎn)品的小批量出樣和測試,650V GaN HEMT和demo board出樣。
按照計劃,華燦光電的GaN產(chǎn)品將逐步從650V向900V,再到1200V的路徑發(fā)展,并會規(guī)劃低壓產(chǎn)品以擴充產(chǎn)品線。
華燦光電 氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān) 邱紹諺
英諾賽科
功率半導體是能源電子的核心支撐,隨著終端應用要求的升級,功率半導體技術(shù)持續(xù)迭代,更多先進的材料逐漸崛起。其中,GaN在經(jīng)過多年的技術(shù)積累和市場驗證后,性能、成本、供應、應用生態(tài)及可靠性等各方面的優(yōu)勢開始顯現(xiàn),可以說,屬于GaN的時代來了。
近年來,GaN已經(jīng)開始從低功率消費電子市場轉(zhuǎn)向高功率數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、汽車、通信電源等市場,這些應用對功率密度、能效、開關頻率、熱管理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求,而GaN因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等優(yōu)勢,正好滿足了各種應用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求。
面對前景廣闊的功率應用市場以及愈加激烈的市場競爭,GaN廠商在產(chǎn)品性能和產(chǎn)能供應方面的競爭力尤其關鍵。英諾賽科作為全球少數(shù)擁有完整產(chǎn)業(yè)鏈的GaN IDM企業(yè),在核心技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能供應穩(wěn)定及規(guī)模成本方面有著獨特的優(yōu)勢,已在消費電子、光伏儲能、汽車、數(shù)據(jù)中心等領域取得開創(chuàng)性的成果。目前,英諾賽科的InnoGaN氮化鎵功率器件已覆蓋高壓、低壓等全電壓范圍,GaN芯片出貨量已超1.7億顆。
英諾賽科 產(chǎn)品應用總監(jiān) 鄒艷波
納設智能
外延生長是碳化硅器件制造的核心環(huán)節(jié),其外延質(zhì)量和缺陷率將直接影響著器件的性能和良率,碳化硅外延生產(chǎn)成本約占碳化硅器件總體成本的23%。因此,外延設備及其制備技術(shù)起到了關鍵的作用。
現(xiàn)階段,碳化硅外延層的制備方法主要以化學氣相沉積(CVD)為主,其中,CVD法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點,是目前已經(jīng)成功商業(yè)化的碳化硅外延技術(shù)。
目前,碳化硅本土產(chǎn)業(yè)化時代已經(jīng)到來,快速發(fā)展的下游應用極劇拉動了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,其中,納設智能開發(fā)了中國首臺完全自主創(chuàng)新的碳化硅外延CVD設備,具備工藝可調(diào)性高、耗材成本低、維護頻率低等優(yōu)點,助力了碳化硅關鍵設備的本土化發(fā)展。自2021年第一臺設備出廠,截至目前,納設智能已與10+客戶簽署銷售合同,已獲150+臺訂單。
納設智能 CEO 陳炳安博士
國星光電
SIP(系統(tǒng)級封裝)技術(shù)是通過將多個裸片及無源器件整合在單個封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。在后摩爾時代,SIP技術(shù)可以幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗,應用市場廣泛覆蓋消費電子、無線電子、汽車電子、醫(yī)療電子、云計算及工業(yè)控制等。
GaN的本質(zhì)是一個開關管,實現(xiàn)特定的功能離不開對GaN開關管的控制,而控制行為在電路中屬于邏輯部分,將邏輯電路和功率電路進行合封是一個很高難度的挑戰(zhàn)?;赟IP封裝的GaN解決方案能夠助力LED驅(qū)動電源在性能和成本上進一步升級。
面向LED應用下游,GaN正在掀起LED驅(qū)動電源領域的新浪潮。在此背景下,國星光電旨在做一顆具備特定功能的GaN開關器件,幫助簡化開關電路。
目前,公司已開發(fā)出多款基于SIP封裝的GaN-IC產(chǎn)品,并配套開發(fā)出相應的GaN驅(qū)動方案,可在LED照明驅(qū)動電源、LED顯示器驅(qū)動電源、墻體插座快充、移動排插快充等領域得以應用。依托成熟且強有力的研發(fā)團隊,未來公司GaN產(chǎn)品將在SIP封裝這條路上走得更遠,助推LED驅(qū)動電源行業(yè)的升級。
國星光電研究院三代半研發(fā)總監(jiān) 成年斌
天科合達
在雙碳建設驅(qū)動的能源革命大潮下,新能源汽車、光伏儲能等市場呈現(xiàn)大幅成長的趨勢。在綠色生態(tài)鏈中,SiC發(fā)揮著重要作用,也面臨著更為嚴苛的要求。
其中,SiC襯底作為價值最重、工藝難度和門檻最高的環(huán)節(jié),面臨著較大的挑戰(zhàn)。就成本來說,襯底成本占據(jù)整個產(chǎn)品制作的50%左右,也因此,8英寸襯底因有效利用率高,有助于產(chǎn)業(yè)鏈實現(xiàn)降本增效的目標,已成為SiC領域的“兵家必爭之地”。
近年來,8英寸襯底產(chǎn)業(yè)進入發(fā)展快車道,國際器件廠均有重要布局。而我國在SiC領域推出了許多扶植政策,進一步推動了國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)的自立自強,SiC產(chǎn)業(yè)鏈也因此受益。在此背景下,國內(nèi)已有約10家企業(yè)在8英寸襯底領域取得了突破性進展,如天科合達。
天科合達于2022年成功對外發(fā)布了8英寸襯底,目前各項指標均處于行業(yè)領先水平,目前產(chǎn)品已實現(xiàn)了小批量供貨。產(chǎn)業(yè)布局上,天科合達的業(yè)務已涵蓋SiC單晶生長設備制造、SiC原料合成、襯底制備和外延生長。未來,伴隨著控股公司重投天科項目的投產(chǎn),天科合達的產(chǎn)線布局也將更加完整。
天科合達 研發(fā)總監(jiān) 婁艷芳
芯聚能
隨著全球節(jié)能減碳計劃的推廣、消費需求的升級及汽車電氣化進程的提速,車規(guī)級功率半導體需求逐漸攀升,而第三代半導體SiC材料因具備禁帶寬、熱導率、飽和電子漂移速率及抗輻射性能高,熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性,近年來備受青睞。
在電動汽車上,SiC器件的主要應用場景包含OBC、車載空調(diào)、主驅(qū)逆變器。鑒于車載要求小體積、輕量化、高效率、高可靠性,OBC應用可以較好地呈現(xiàn)出SiC的價值。
隨著電動汽車架構(gòu)加速邁向800V電壓平臺,傳統(tǒng)的硅基功率器件方案很難滿足純電車對能耗的要求,并且電動汽車中空調(diào)系統(tǒng)的能耗占比較高,僅次于動力能耗,所以SiC MOSFET將成為電動空調(diào)壓縮機控制器的首選方案;同時,SiC MOSFET用在主逆變器中,有助于800V平臺車型總體效率提高6-8%。
芯聚能SiC產(chǎn)品在電動汽車客戶認證進度上已實現(xiàn)國內(nèi)領先,2022年車規(guī)級模塊累計上車超過1萬塊,累計交付超過5萬塊。產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同上,芯聚能已與策略伙伴形成了從襯底材料、晶圓和芯片、封裝和模塊到電驅(qū)控制充電系統(tǒng)的垂直聯(lián)動,優(yōu)勢將逐漸凸顯。
芯聚能 高級總監(jiān) 王亞哲
Wolfspeed
在汽車電氣化、可再生能源發(fā)展及數(shù)字化大潮下,新能源汽車、工業(yè)、軌道交通及通訊基站等高壓高功率應用對功率半導體器件提出了更高的要求,而傳統(tǒng)硅基功率半導體器件的電能變換效率已經(jīng)達到理論極限,因此,SiC等第三代半導體材料的應用潛力逐漸被挖掘。
相比硅基功率半導體,SiC功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)更低的導通損耗和開關損耗,轉(zhuǎn)換效率更高,有利于光伏逆變器、服務器電源、汽車充電樁等提升系統(tǒng)效率,減少系統(tǒng)體積和重量,節(jié)省系統(tǒng)成本。而隨著800V汽車架構(gòu)平臺等更高壓應用的進一步發(fā)展,更高壓SiC功率器件的需求也逐漸增長。在此背景下,1200V SiC MOSFET開始嶄露頭角。
Wolfspeed作為SiC功率器件頭部廠商,已推出第三代 SiC MOSFET產(chǎn)品,可提供優(yōu)異的性能和可靠性,能夠充分滿足工業(yè)、能源、汽車等眾多應用的要求,賦能新能源領域應用的創(chuàng)新和優(yōu)化。目前,其1200V SiC MOSFET產(chǎn)品已拓展了車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、充電樁、燃料電池、光伏逆變器等應用,助力提升系統(tǒng)效率和功率密度,比如,基于Wolfspeed 1200V SiC MOSFET的DC-DC轉(zhuǎn)換器,效率可提升到98.5%。
Wolfspeed 高級應用工程師 陳建龍
爍科晶體
SiC具備耐高壓、耐高溫、高頻率、大電流、低損耗等特性,在電動汽車、充電樁、光伏儲能、軌道交通及智能電網(wǎng)等領域有著巨大的應用潛力。
然而,SiC目前仍處于初步發(fā)展階段,還有一系列難題亟待解決。其中,SiC單晶的制備一直是全球性技術(shù)難題,比如需要應對點線面體多種缺陷問題;而高穩(wěn)定性的晶體生長工藝是其中最核心的技術(shù),物理氣相傳輸法則是目前成熟高、可實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的SiC單晶生長方法。
材料方面,8英寸襯底具有更高的芯片利用面積和更低的成本等優(yōu)勢,將改變市場格局。目前國內(nèi)外廠商均在積極布局,國內(nèi)方面,未來有望在產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度協(xié)同合作下,加速原材料國產(chǎn)替代的進程。
作為主力軍之一,爍科晶體擁有覆蓋SiC生長裝備制造、高純碳化硅粉料制備工藝、SiC單晶襯底制備與加工工藝的自主研發(fā)生產(chǎn)能力,已突破晶體生長、切割拋光等關鍵技術(shù),粉料純度達到99.9999%,并實現(xiàn)高純度SiC單晶的商業(yè)化量產(chǎn),且已成功實現(xiàn)8英寸SiC單晶研制,攻克了大尺寸籽晶獲得難、晶體生長面臨的應力大及晶體開裂等問題,產(chǎn)品已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)和銷售。
爍科晶體 總經(jīng)理助理 馬康夫
AIXTRON
化合物半導體技術(shù)正在撬動電力電子、光電子、半導體顯示等多元的應用市場,未來幾年,化合物半導體的整體市場規(guī)模都將呈現(xiàn)逐年增長的趨勢,其中,電力電子領域表現(xiàn)尤為強勁,意味著SiC、GaN的需求將迎來廣闊且快速的增長,也意味著大規(guī)模量產(chǎn)的需求也更為迫切了。
SiC、GaN正在和傳統(tǒng)的Si材料激烈地競爭,新材料在原有的材料物理特性優(yōu)勢上,其生產(chǎn)過程需要滿足和Si半導體工業(yè)匹配的流程,即高度自動化和智能化,只有這樣才能滿足終端用戶對成本和良率的要求。在整個生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,外延片是承接襯底與芯片的關鍵環(huán)節(jié),這一環(huán)涉及的均勻性與缺陷密度是后端器件的良率和成本的關鍵影響因素,換句話來說,外延環(huán)節(jié)在SiC、GaN量產(chǎn)中扮演著重要的角色,也因此,生產(chǎn)外延片的MOCVD設備至關重要。
AIXTRON愛思強是SiC/GaN用MOCVD設備的主要供應商。針對SiC外延,AIXTRON推出了G10-SiC,可以同時滿足6英寸和8英寸的SiC外延生產(chǎn)。G10-SiC采用了AIXTRON的行星式反應技術(shù),在控制外延膜片內(nèi)均勻性的基礎上體現(xiàn)了多片機的高產(chǎn)能的優(yōu)勢。SiC功率器件的生產(chǎn)正在對自動化提出新的要求,G10-SiC實現(xiàn)了外延過程透明可見,包括襯底表面溫度,反射率以及曲率,反應前驅(qū)物濃度實時控制,并采用機械手自動化完成襯底更換甚至設備耗材的更換。
G10-SiC實現(xiàn)了行業(yè)內(nèi)領先的工藝腔體利用率以及單腔生產(chǎn)能力,幫助客戶實現(xiàn)高品質(zhì)、高產(chǎn)量、高性價比的外延片,滿足電力電子量產(chǎn)的需求。針對GaN外延,AIXTRON G5+C設備同樣滿足6英寸和8英寸的GaN on Si外延生產(chǎn),搭載C2C自動卡匣晶圓傳輸技術(shù)和原位清潔技術(shù),適用于GaN功率器件以及Micro LED產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。
AIXTRON 副總經(jīng)理 方子文博士
泰科天潤
功率半導體器件是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。其中,MOSFET因具有易于驅(qū)動、開關速度快、損耗低等特點,逐漸成為功率器件的主流產(chǎn)品。
相比傳統(tǒng)硅功率半導體,SiC MOSFET具有大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高熱導率三個最顯著特征,有助高壓、高功率應用提升系統(tǒng)效率、降低損耗和成本。
光伏、儲能、充電樁有量且運行環(huán)境惡劣,是SiC器件的跑馬場。而SiC MOSFET工業(yè)級起步,但仍需遵循硅器件的發(fā)展路徑。
目前,SiC MOSFET成熟度仍不高,且符合應用場景要求的SiC MOSFET需要從多個維度衡量和測試。其中,可靠性是入場券,另外還需要具備穩(wěn)定性一致、易用性、性能夠用、價格友好等特點。除此之外,其背后的材料、設備、工藝、生產(chǎn)效率、運維成本、材料成本、測試評價、產(chǎn)品定義等都是需要考量的因素。
總的來說,應當理性看待SiC MOSFET單個產(chǎn)品乃至整個SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。目前,國產(chǎn)SiC MOSFET在特性、一致性、可靠性及應用驗證等方面與國際領先水平還有明顯的差距,不過,以穩(wěn)扎穩(wěn)打做好持久戰(zhàn)準備的態(tài)度,跟上國際發(fā)展腳步不掉隊就算是勝利,最終共同助推SiC產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。
泰科天潤 應用測試中心總監(jiān) 高遠
鎵未來
近年來,第三代半導體GaN在PD快充行業(yè)迅速發(fā)展的基礎上,逐漸拓展到通訊、汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心電源、光伏儲能等應用領域,助力提升系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率和功率密度,降低能耗,賦能綠色地球下的雙碳建設。
其中,戶外電源作為一種便攜式儲能產(chǎn)品,在休閑娛樂、戶外作業(yè)和應急救援等方面應用廣泛,在能源節(jié)約大潮下將迎來廣闊的市場需求。
在戶外電源中,雙向逆變器是核心裝置,而GaN在工作頻率和轉(zhuǎn)換效率等方面的優(yōu)勢凸顯,已成為雙向逆變器差異化競爭的理想選擇,其既符合戶外作業(yè)對防水防塵的應用要求,滿足市場對無風扇戶外電源設計需求,又有助于延長戶外電源的使用壽命和可靠性,提高充電效率,從而提升整體用戶體驗。
面對戶外電源的應用商機,鎵未來自2021年開始大力拓展GaN在雙向逆變器的應用,重點聚焦戶外電源應用場景,并率先推出4kW GaN大功率無風扇雙向逆變器技術(shù)平臺,各項參數(shù)指標處于先進水平,已成為戶外電源等中大功率應用的首選。目前,鎵未來的GaN系列產(chǎn)品已覆蓋消費、工業(yè)及車規(guī)等不同類別的應用。
珠海鎵未來 應用&市場副總裁 胡宗波博士
三菱電機
家電、工業(yè)新能源、牽引電力、汽車等應用場景中對低損耗器件有著廣闊的需求,SiC因其耐高壓、耐高溫、高頻率、低損耗等優(yōu)異的特性,正在逐漸滲透上述應用市場,但SiC產(chǎn)業(yè)仍處于發(fā)展初期,還面臨著不少技術(shù)難題。
例如,在SiC功率模塊的應用層面,需要特別注意開關速度快、電氣特性時漂和短路耐量偏小等問題。針對這些問題以及家電、工業(yè)、軌道牽引等領域?qū)iC器件和模塊的要求,三菱電機已開發(fā)相應的解決方案。
三菱電機自1994年投入SiC技術(shù)的研發(fā),近年來持續(xù)發(fā)力SiC功率模塊市場,2010年推出世界首款空調(diào)SiC功率模塊,后于2015年成為新干線高鐵全SiC功率模塊的首位供應商。目前,三菱電機已開發(fā)第三代低電壓SiC MOSFET (MIT2-MOSTM),采用基于溝槽柵結(jié)構(gòu)的多離子傾斜注入技術(shù),可實現(xiàn)柵極氧化層的高可靠性。
另外,采用SBD-Embedded的SiC MOSFET技術(shù)使高壓SiC模塊的長期可靠性有了進一步的提高,并已推出采用此技術(shù)的3.3kV SiC模塊FMF800DC-66BEW。
現(xiàn)階段,三菱電機采用不同封裝技術(shù)開發(fā)的SiC功率模塊已在變頻空調(diào)、醫(yī)療設備、儲能系統(tǒng)和軌道牽引等領域得到商業(yè)化應用。
三菱電機 項目經(jīng)理 張遠程
天域半導體
憑借寬禁帶、高擊穿電場強度、高電子飽和漂移速率、高熔點、高熱導率等特性,SiC在新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)及軌道交通等領域的滲透率逐漸提升,未來,SiC器件的市場規(guī)模將隨著相關應用市場的發(fā)展而進一步擴大。
SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統(tǒng)應用等環(huán)節(jié),其中,外延作為承上啟下的重要環(huán)節(jié),對器件的可靠性有著關鍵的影響,也因此,外延設備也發(fā)揮著重要的作用。CVD化學氣相沉積法是目前主流的SiC外延制備方法,分為垂直、水平和行星式三種生長系統(tǒng),很大程度上決定著外延片的波長均勻性和缺陷密度水平,最終影響器件的良率和成本。
天域半導體是國內(nèi)最早實現(xiàn)SiC外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè),現(xiàn)擁有3個運營基地,已實現(xiàn)全球化的布局,是我國SiC領域少數(shù)具備國際競爭力的企業(yè)之一。目前,天域半導體正在持續(xù)擴建產(chǎn)線并加大研發(fā)投入,目標是不斷優(yōu)化外延工藝,提升SiC外延層的質(zhì)量,研發(fā)大尺寸、厚SiC外延片。
天域半導體 FAE經(jīng)理 何鑫
集邦咨詢
在汽車、工業(yè)等下游應用市場的強力驅(qū)動下,化合物半導體市場已轉(zhuǎn)向SiC/GaN功率元件。
隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化,將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元,至2026年可望達53.3億美元。
目前SiC功率元件市場仍然由國際IDM廠商主導,這些廠商正在積極投資8英寸產(chǎn)線。同時,為了迎接下游市場的爆發(fā),全球SiC襯底產(chǎn)能亦在快速提升。對于關鍵的汽車市場而言,800V汽車系統(tǒng)于BEV正在加速滲透,十分有利于車用SiC市場進一步發(fā)展。
GaN功率元件市場的主要驅(qū)動力則來源于消費電子,特別是快速充電器。同時,許多廠商早已將目光轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心、可再生能源等工業(yè)及汽車市場,這些領域蘊含著巨大的滲透機會,是未來GaN功率元件的重點應用方向。
集邦咨詢 分析師 龔瑞驕
文:集邦咨詢