意法半導體量產氮化鎵器件PowerGaN

作者 | 發布日期 2023 年 08 月 03 日 17:10 | 分類 氮化鎵GaN

意法半導體最近宣布,已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。

STPOWER? GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管,提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。

該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工業級650V常關G-HEMT?晶體管,能夠減小電源和適配器的尺寸和重量,實現更高的能效、更低的工作溫度和更長的使用壽命。

今年以來,意法半導體大動作不斷。GaN方面,今年6月,根據外媒消息,空客已同意與意法半導體簽署了一項協議,旨在探索寬禁帶半導體材料對飛機電氣化的好處,雙方將專注于開發適用于空客航空航天應用的SiC和GaN器件、封裝和模塊。

空中客車首席技術官Sabine Klauke表示:意法半導體的電力電子專業知識與空中客車的飛機和VTOL電氣化相結合,將加速實現世界上第一架氫動力商用飛機以及全電動城市空中交通。

目前沒有提供有關兩家公司將在該計劃上花費的時間范圍或金額的詳細信息。兩家公司表示,這項工作將包括開發電動機控制單元、高壓和低壓電源轉換器以及無線電力傳輸系統。(文:集邦化合物半導體 Arely整理)

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