文章分類: 企業(yè)

定制開發(fā)SiC芯片,清純半導(dǎo)體與悉智科技達成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 20 日 14:50 |
| 分類: 企業(yè)
在SiC加速“上車”大趨勢下,各大SiC相關(guān)企業(yè)紛紛加速SiC車載應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā),近日,又有兩家廠商加入其中。 6月20日,據(jù)清純半導(dǎo)體官微披露,清純半導(dǎo)體日前與悉智科技在清純半導(dǎo)體寧波總部簽訂車載電驅(qū)功率模塊&供電電源模塊用SiC芯片定制開發(fā)戰(zhàn)略合作協(xié)議。 source...  [詳內(nèi)文]

啟方半導(dǎo)體計劃年內(nèi)完成開發(fā)650V GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 20 日 14:48 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)外媒報道,6月19日,韓國8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry(啟方半導(dǎo)體)宣布,公司已確認(rèn)650伏氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的特性,正加大開發(fā)力度,預(yù)計年內(nèi)完成開發(fā)。 因GaN具有高速開關(guān)和低電阻特性,它被稱為下一代功率半導(dǎo)體,比現(xiàn)有的硅(S...  [詳內(nèi)文]

超200億,長飛先進和晶能微電子SiC項目進度刷新

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 19 日 18:00 |
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繼6月18日,總投資120億元的士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線開工后,又有兩個SiC相關(guān)項目披露了最新進展。 長飛先進武漢基地正式封頂 6月19日,據(jù)長飛先進官微消息顯示,年產(chǎn)36萬片SiC晶圓的長飛先進武漢基地日前正式完成主體結(jié)構(gòu)封頂。 source:長飛先進 據(jù)悉...  [詳內(nèi)文]

晶圓代工大廠漢磊擬進軍8英寸化合物半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 19 日 16:25 |
| 分類: 企業(yè)
晶圓代工廠漢磊擬進軍化合物半導(dǎo)體8英寸廠,考量投資成本太高,計劃與具有現(xiàn)成8英寸廠的企業(yè),展開策略合作; 半導(dǎo)體業(yè)界傳出,漢磊將與力積電合作,擬采技術(shù)作價方式,運用力積電的8英寸廠生產(chǎn),雙方資源互補,以達經(jīng)濟效益。 漢磊深耕化合物半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)長達1...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓:預(yù)估今年碳化硅業(yè)務(wù)增幅將達50%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 19 日 16:23 |
| 分類: 企業(yè)
半導(dǎo)體晶圓廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭今天表示,今年營運可望逐季成長,只是汽車、手機及工業(yè)市場需求疲弱影響,回升幅度較預(yù)期緩和,未能如原先預(yù)期出現(xiàn)「V型反彈」。 環(huán)球晶圓今天召開股東常會,徐秀蘭會后受訪說,第1季將是今年營運谷底,業(yè)績可望逐季成長,只是第2季攀升幅度可能小于預(yù)期,下半年...  [詳內(nèi)文]

SiCSem擬在印度新建一座SiC工廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 18 日 17:59 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)外媒消息,近日,總部位于印度欽奈的SiCSem Private Limited(下文簡稱SiCSem)計劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅(SiC)制造、組裝、測試和封裝(ATMP)工廠。 基于這一規(guī)劃,6月15日,SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校(IIT-BBS)就...  [詳內(nèi)文]

德州儀器發(fā)布GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 18 日 17:12 |
| 分類: 企業(yè)
6月18日,德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應(yīng)用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通常面臨的許多設(shè)計和性能折衷問題。DRV730...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導(dǎo)體推出全新RF GaN技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 17 日 15:15 |
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6月14日,純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術(shù)測試版NP12-0B平臺。 據(jù)介紹,該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù),...  [詳內(nèi)文]

比亞迪新建碳化硅工廠預(yù)計今年下半年投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 17 日 15:12 |
| 分類: 企業(yè)
近日,比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛在中國汽車重慶論壇上表示,比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的工廠,該工廠將于今年下半年投產(chǎn),產(chǎn)能規(guī)模是全球第一,是第二名的10倍。 據(jù)了解,今年下半年起,比亞迪20萬左右的車型也將搭載應(yīng)用碳化硅的智能化方案,從而實現(xiàn)智能駕駛等更大范圍的搭載應(yīng)...  [詳內(nèi)文]

英飛凌8英寸SiC晶圓廠一期工程完工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:59 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)外媒報道,近日,英飛凌完成了位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅(SiC)晶圓廠第一階段建設(shè)。 source:英飛凌 英飛凌計劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū),并于2024年底開始生產(chǎn)SiC。據(jù)了解,該晶圓廠總投資為70億歐元,其也是馬來西亞政府1000億美元計劃的核心...  [詳內(nèi)文]