6月27日，半導體制造商Nexperia（安世半導體）宣布，計劃投資2億美元（約合人民幣14.5億元）開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等下一代寬帶隙半導體（WBG），并在德國漢堡工廠建立生產基礎設施。
同時，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產能也將增加。這些投資是與漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士在生產基地成立100周年之際共同宣布的。
source：安世半導體
為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，從2024年6月開始，安世半導體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國開發(fā)和生產。
同月，安世半導體首批高壓GaN d-mode晶體管和SiC二極管生產線投產。安世半導體指出，下一個里程碑將是建設SiC MOSFET和低壓GaN HEMT 8英寸現(xiàn)代化高性價比生產線，這些產線預計在未來兩年內在漢堡工廠建成。
與此同時，這筆投資還將有助于德國漢堡工廠現(xiàn)有基礎設施的進一步自動化，并通過系統(tǒng)地轉換到8英寸晶圓來擴大硅生產能力。安世半導體在擴大無塵室面積后，還將新建研發(fā)實驗室，以繼續(xù)確保未來從研究到生產的無縫過渡。
安世半導體德國首席運營官兼董事總經理Achim Kempe評論道：“這項投資鞏固了我們作為節(jié)能半導體領先供應商的地位，使我們能夠更負責任地利用可用的電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋寬帶隙半導體的全系列，同時其仍然是最大的小型信號二極管和晶體管工廠?！保罨衔锇雽wMorty編譯）
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