5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。
圖片來源：羅姆半導體
圖為BM6GD11BFJ-LB，SOP-JW8 Package(4.90mmx6.00mm,H=Max. 1.65mm）
新產(chǎn)品是羅姆首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動器IC。在電壓反復急劇升降的開關工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號的安全傳輸。
新產(chǎn)品通過采用羅姆自主開發(fā)的片上隔離技術，有效降低寄生電容，實現(xiàn)高達2MHz的高頻驅(qū)動。通過充分發(fā)揮GaN器件的高速開關特性，不僅有助于應用產(chǎn)品更加節(jié)能和實現(xiàn)更高性能，還可通過助力外圍元器件的小型化來削減安裝面積。
另外，隔離型柵極驅(qū)動器IC的抗擾度指標——共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）達到150V/ns（納秒），是以往產(chǎn)品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開關時令人困擾的高轉(zhuǎn)換速率引發(fā)的誤動作，從而有助于系統(tǒng)實現(xiàn)穩(wěn)定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%，導通時間縮短至僅65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，從而可將損耗控制在更低程度。
GaN器件的柵極驅(qū)動電壓范圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件（包括ROHM EcoGaN?系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達到業(yè)界超低功耗水平，另外還可有效降低待機功耗。
（集邦化合物半導體整理）
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