當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達(dá)達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計(jì)算平臺。
圖片來源：納微半導(dǎo)體
當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配電系統(tǒng)，功率限制在幾百千瓦（kW），依賴笨重的銅母線傳輸電力。隨著AI算力需求激增，單個(gè)機(jī)架功率突破200kW時(shí)，傳統(tǒng)架構(gòu)面臨效率下降、銅材消耗劇增等物理極限問題。800V架構(gòu)通過減少銅材使用量45%、降低電流傳輸損耗，可支撐吉瓦級AI計(jì)算負(fù)載。
根據(jù)納微半導(dǎo)體官方披露，其GaNFast氮化鎵功率芯片與GeneSiC碳化硅技術(shù)將在合作中發(fā)揮核心作用。其GaNFast?功率芯片集成驅(qū)動、控制與保護(hù)功能，支持高達(dá)800V的瞬態(tài)電壓，并通過GaNSense?技術(shù)實(shí)現(xiàn)超高功率密度（92.36W/cm3）和97.9%的半載效率，顯著優(yōu)化了數(shù)據(jù)中心的能源利用率。
英偉達(dá)規(guī)劃顯示，該架構(gòu)將直接服務(wù)于其“Kyber”機(jī)架級電力系統(tǒng)，配套維諦技術(shù)計(jì)劃于2026年推出的800VDC電源產(chǎn)品組合，包括集中式整流器、高效直流母線槽及機(jī)架級DC-DC轉(zhuǎn)換器。
800V高壓技術(shù)的應(yīng)用不僅限于數(shù)據(jù)中心。新能源汽車領(lǐng)域已率先布局800V平臺，以解決充電速度與續(xù)航焦慮。例如，保時(shí)捷、小鵬、比亞迪等車企已推出相關(guān)車型，帶動碳化硅器件需求激增。
英偉達(dá)與納微半導(dǎo)體的合作，將AI計(jì)算需求與功率半導(dǎo)體創(chuàng)新深度綁定。從數(shù)據(jù)中心到電動汽車，800V高壓架構(gòu)正成為提升能效、突破功率密度的核心路徑。隨著技術(shù)成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，這一架構(gòu)或?qū)⒅匦露x全球半導(dǎo)體及新能源產(chǎn)業(yè)格局。
此前5月5日，納微半導(dǎo)體公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，納微半導(dǎo)體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。
圖片來源：納微半導(dǎo)體公告截圖
納微半導(dǎo)體表示預(yù)計(jì)2025年第二季度凈營收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預(yù)計(jì)為38.5%，上下浮動0.5%，非GAAP運(yùn)營費(fèi)用預(yù)計(jì)約為1,550萬美元。
稍早一些3月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動器。4月，納微半導(dǎo)體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。
（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。