作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，氮化鎵（GaN）正以高電子遷移率、高耐壓、低損耗等特性，成為人形機(jī)器人核心部件升級(jí)的關(guān)鍵推手。近期，國(guó)內(nèi)公司傳出相關(guān)新動(dòng)態(tài)。
5月17日，中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人關(guān)節(jié)模組（型號(hào)：ZK-RI 0–PRO–B），具有250Hz高頻神經(jīng)反射與5ms全鏈路時(shí)延，峰值扭矩<18Nm和長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)工作低溫升特點(diǎn)，適用于工業(yè)機(jī)器人、具身機(jī)器人及特種寬溫機(jī)器人設(shè)備等智能傳動(dòng)領(lǐng)域。
source：中科阿爾法
據(jù)介紹，該模組內(nèi)置中科無(wú)線(xiàn)半導(dǎo)體自研AI ASIC動(dòng)力系統(tǒng)芯片陣列GaN HEMT器件，可實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)頻率2MHz以上99.2%能量轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)支持10ns級(jí)快速開(kāi)關(guān)特性，與傳統(tǒng)Si基MOS管方案相比提升40%。
同時(shí)，上述模組獨(dú)創(chuàng)即時(shí)通信接口，兼容15-60V寬壓輸入，采用自研曼徹斯特編碼即時(shí)通信接口(可選配 CAN/485)，并行通信全鏈路時(shí)延低于5ms，滿(mǎn)足ISO 13849-1 PLd級(jí)安全通信要求及“3D物理大模型”控制。
對(duì)于氮化鎵在人形機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用，業(yè)界指出，盡管氮化鎵已展現(xiàn)出顛覆性潛力，但其大規(guī)模商用仍需跨越成本與可靠性門(mén)檻。當(dāng)前，單臺(tái)人形機(jī)器人需使用200余顆氮化鎵器件，導(dǎo)致BOM成本增加15%。不過(guò)，隨著技術(shù)瓶頸的逐個(gè)突破，一個(gè)由氮化鎵驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人時(shí)代，或許比我們想象的更早到來(lái)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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