相關(guān)資訊：GaN

英諾賽科100V GaN再添新品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 09 日 17:40 | 分類 功率
英諾賽科宣布推出兩款 100V 新品氮化鎵功率器件，旨在提高電源功率轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)損耗與成本。產(chǎn)品可應(yīng)用于太陽能光伏逆變、光伏優(yōu)化器、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。 英諾賽科 此前，英諾賽科已相繼發(fā)布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W...  [詳內(nèi)文]

SiC/GaN前沿趨勢(shì)大論劍！這場(chǎng)會(huì)議干貨來了
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 07 日 16:40 | 分類 研討會(huì)
隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，持續(xù)攪動(dòng)新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應(yīng)用領(lǐng)域的一池春水。 值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳福田JW萬豪酒店成功舉辦“2023集邦咨詢第三代半...  [詳內(nèi)文]

2022集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)圓滿落幕
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 07 日 16:23 | 分類 研討會(huì)
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下最火熱的發(fā)展領(lǐng)域之一。為全面梳理第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的瓶頸以及技術(shù)突破的方向，TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)、全球半導(dǎo)體觀察于2022年8月9日，在...  [詳內(nèi)文]

干貨滿滿！2022集邦咨詢化合物半導(dǎo)體新應(yīng)用前瞻分析會(huì)圓滿落幕
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 07 日 16:10 | 分類 研討會(huì)
新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)發(fā)展方興未艾，在當(dāng)中扮演著愈加重要的SiC/GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料也成為時(shí)下最火熱的發(fā)展領(lǐng)域之一。在眾多應(yīng)用中，化合物半導(dǎo)體材料被寄予厚望，但實(shí)際上產(chǎn)業(yè)的發(fā)展尚處于起步階段，產(chǎn)品自身及產(chǎn)業(yè)鏈還需要更進(jìn)一步的升級(jí)。 TrendForce集邦咨...  [詳內(nèi)文]

這個(gè)GaN龍頭攜手國(guó)企，發(fā)力中國(guó)電動(dòng)車市場(chǎng)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 03 日 17:10 | 分類 氮化鎵GaN
今日，氮化鎵功率半導(dǎo)體龍頭GaN Systems宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴(kuò)大氮化鎵功率半導(dǎo)體于電動(dòng)車應(yīng)用的發(fā)展。 據(jù)稱，這次的合作將為電動(dòng)車市場(chǎng)中笨重、低效率且成本高昂的電力系統(tǒng)帶來本質(zhì)上的革新。氮化鎵功率晶體管卓越的開關(guān)速度，為電動(dòng)車車載充電器 (On...  [詳內(nèi)文]

總投資12億元，這個(gè)GaN項(xiàng)目投入使用
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 20 日 17:45 | 分類 氮化鎵GaN
據(jù)馬鞍山經(jīng)開區(qū)消息，7月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司新廠區(qū)正式揭牌投用。此次投入使用的新廠區(qū)占地52畝，新建廠房5.1萬平方米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應(yīng)用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。 此前公開消息顯示，東科半導(dǎo)體超高頻氮化鎵電源管理芯片項(xiàng)目...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科再推兩款GaN器件，在工業(yè)市場(chǎng)挖掘新藍(lán)海
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 20 日 17:45 | 分類 氮化鎵GaN
近期，為了推進(jìn)GaN在高頻市場(chǎng)的應(yīng)用，英諾賽科基于150V電壓平臺(tái)推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。 其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開關(guān)損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量...  [詳內(nèi)文]

金剛石基GaN問世
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 17 日 17:57 | 分類 氮化鎵GaN
材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能，而在高功率、高頻、高溫領(lǐng)域有至關(guān)重要的應(yīng)用。金剛石，已被認(rèn)為是目前最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一。 美國(guó)國(guó)防...  [詳內(nèi)文]