相關資訊：碳化硅

四個SiC相關項目迎來最新進展，投產(chǎn)/封頂/簽約落地…
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 26 日 11:52 | 分類 碳化硅SiC
近期，碳化硅相關領域項目進展不斷，從天水的碳化硅項目點火投產(chǎn)，到博來納潤 CMP 材料項目封頂，再到智新半導體 SiC 模塊封裝產(chǎn)線取得新進展，以及高裕電子簽約落地第三代半導體可靠性測試設備生產(chǎn)基地項目，各項目紛紛迎來重要節(jié)點。 總投資24.7億元天水一碳化硅項目點火投產(chǎn) 據(jù)天水...  [詳內(nèi)文]

晶盛機電：6-8英寸碳化硅襯底批量出貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 26 日 11:48 | 分類 碳化硅SiC
近日，晶盛機電接受機構調(diào)研時表示，在半導體行業(yè)持續(xù)復蘇的背景下，下游客戶逐步規(guī)劃實施擴產(chǎn)，公司原有8-12英寸大硅片設備市場進一步提升，并在功率半導體設備和先進制程設備端快速實現(xiàn)市場突破。 公司8英寸碳化硅外延設備和光學量測設備順利實現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機拓展至國內(nèi)頭部封...  [詳內(nèi)文]

格力董明珠透露碳化硅工廠進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 25 日 16:44 | 分類 碳化硅SiC
央視視頻消息，近日，格力電器董明珠回應外界對格力造芯片的質疑，并談到了格力建設的碳化硅（SiC）工廠。 董明珠表示，格力做了亞洲第一座全自動化的碳化硅工廠，整個芯片的制造過程是自己完成的。在芯片工廠制造的過程中，格力解決了一個最大的問題。 “傳統(tǒng)的芯片工廠用的環(huán)境設備都是進口的，...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技：碳化硅等先進材料生產(chǎn)基地項目將于2025年建成投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 21 日 15:55 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，珂瑪科技在投資者互動平臺表示，公司先進陶瓷材料零部件在泛半導體等多個下游領域得到廣泛應用，客戶需求增長迅速，訂單資源充足。公司位于蘇州的募投項目“先進材料生產(chǎn)基地項目”將于本年建成投產(chǎn)，預計投產(chǎn)后將大幅度增加模塊化產(chǎn)品的產(chǎn)能。 資料顯示，珂瑪科技于2024年8月16日登陸深...  [詳內(nèi)文]

江蘇集芯取得兩用碳化硅晶片倒角機專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 21 日 15:44 | 分類 碳化硅SiC
近期，江蘇集芯先進材料有限公司成功獲得了一項名為”兩用碳化硅晶片倒角機”的專利，根據(jù)國家知識產(chǎn)權局的消息顯示，該專利的申請日期為2024年5月，授權公告號為CN222493441U。 專利摘要顯示，本實用新型公開了一種兩用碳化硅晶片 倒角機，包括：轉軸，轉...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)一第三代半導體項目簽約杭州
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 14:41 | 分類 碳化硅SiC
2月14日，浙江杭州西湖區(qū)成功舉辦2025年一季度重大項目集中推進暨重點招商項目集中簽約活動。 本次活動中，19個重大項目集中推進，總投資規(guī)模達約107億元，年度計劃投資約23億元，涵蓋多個關鍵領域，為區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展注入強大動力。 其中，杭州高裕電子科技股份有限公司的第三代半導體可...  [詳內(nèi)文]

晶升股份：公司現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 11:57 | 分類 碳化硅SiC
近日，晶升股份在接待機構投資者調(diào)研時表示，由于碳化硅盲盒生長的特點，晶體生長過程中無法進行實時觀測，因此也缺乏大量的數(shù)據(jù)積累供人工智能進行分析和學習。 晶升股份現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸，通過引入可視化檢測系統(tǒng)可使長晶過程看得見，為數(shù)據(jù)采集提供了扎實的設備基礎，也意味著公司已...  [詳內(nèi)文]

江蘇集芯取得兩用碳化硅晶片倒角機專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 11:30 | 分類 碳化硅SiC
國家知識產(chǎn)權局信息顯示，近期江蘇集芯先進材料有限公司取得一項名為“兩用碳化硅晶片 倒角機”的專利。 專利摘要顯示，本實用新型公開了一種兩用碳化硅晶片 倒角機，包括：轉軸，轉軸內(nèi)設有抽氣管道；打磨臺本體，打磨臺本體與轉軸可拆卸地相連，打磨臺本體具有第一氣道和支氣體通道，支氣體通道設...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:36 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體正受到極大關注。 近期，外媒報道，印度信息技術部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導體相關企業(yè)獲得新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 10:52 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導體作為半導體產(chǎn)業(yè)中的重要細分領域，近年隨著新能源、汽車電子等領域的快速發(fā)展，功率半導體需求與日俱增，也愈發(fā)受到資本市場關注。近期，市場傳出三家功率半導體相關公司獲得新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領域。 01瑞為新材完成新一輪股權融資 2月17日，“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]