相關資訊：英飛凌

英飛凌汽車業(yè)務公布中國本土化戰(zhàn)略，涉及功率器件
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 18:21 | 分類 企業(yè) , 功率
近期，英飛凌汽車業(yè)務正式發(fā)布中國本土化戰(zhàn)略，包括本土化產品定義，本土化生產和本土化生態(tài)圈。 本土化產品是指英飛凌將根據中國需求進行產品定義。 本土化生產方面，英飛凌指出，公司汽車業(yè)務目前已有多種產品完成本土化量產并計劃于2027年覆蓋主流產品的本土化，將涵蓋微控制器、高低壓功率器...  [詳內文]

AI、機器人、氮化鎵等浪潮來襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了深度探討，其首次在國內展示了英飛凌的兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關注。 英飛凌...  [詳內文]

采用氮化鎵，中科半導體發(fā)布首顆具身機器人動力系統(tǒng)芯片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 28 日 14:25 | 分類 射頻 , 氮化鎵GaN
近期，中科半導體團隊推出首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機器人動力系統(tǒng)芯片。 芯片采用SIP封裝技術，內置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類傳感器及生物信息采集的高速接口。 應用領域 該芯片主要應用于多關節(jié)具身機器人及智能裝備領域，根據推理大模...  [詳內文]

英飛凌預測2025年GaN功率半導體應用趨勢
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 27 日 10:16 | 分類 氮化鎵GaN
近期，英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導體預測報告》，針對氮化鎵（GaN）功率半導體在消費電子、儲能、移動出行、電信基礎設施等領域的應用以及未來前景展望做出了詳細解讀。 英飛凌指出，氮化鎵功率半導體正處于高速增長軌道，并在多個行業(yè)逐步邁向關鍵拐點。目前消費類充電器和適配器已率先...  [詳內文]

泰瑞達收購英飛凌業(yè)務
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 05 日 19:53 | 分類 企業(yè)
1月31日，英飛凌（Infineon）與自動化測試解決方案的領先供應商泰瑞達（Teradyne）共同宣布，雙方建立了戰(zhàn)略合作伙伴關系，旨在大力推進功率半導體測試領域的發(fā)展。作為合作的關鍵部分，泰瑞達將收購英飛凌位于德國雷根斯堡的自動化測試設備團隊（AET）的一部分。 據悉，泰瑞...  [詳內文]

英飛凌官宣：在泰國建設功率半導體模塊工廠
作者 |發(fā)布日期 2025 年 01 月 15 日 18:17 | 分類 企業(yè)
1月14日，英飛凌宣布在泰國曼谷南部的 Samut Prakan動工建造高度自動化后端生產基地，用于生產功率半導體模塊，該項目得到了泰國投資委員會（BOI）的支持。 據介紹，項目首棟建筑計劃于2026年初投入運營，后續(xù)的產能擴張將根據市場需求靈活管理。英飛凌表示，隨著全球脫碳和氣...  [詳內文]

機器人，氮化鎵下一個風口？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導率、高擊穿電壓、化學穩(wěn)定性等特點，以及較強的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領域具有廣闊的應用前景。 目前，功率氮化鎵在消費電子領域應用已漸入佳境，并正在逐步向各類應用...  [詳內文]

為對抗英飛凌，三菱電機擬在日本組功率半導體聯(lián)盟
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 13 日 19:54 | 分類 企業(yè)
日本三菱電機執(zhí)行長漆間啟對彭博社表示，三菱電機正在與日本國內的同業(yè)對手洽商共組功率半導體聯(lián)盟，促進在這個驅動全球各種電子裝置的關鍵半導體制造方面的合作。 漆間啟表示，日本相關公司管理層廣泛支持彼此合作，但在行政階層卻進展不多。面對市場領導者、德國的英飛凌科技（Infineon T...  [詳內文]

電壓覆蓋700V，英飛凌發(fā)布全新一代氮化鎵產品
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類 企業(yè)
據“江蘇姜堰”官微消息12月5日，據英飛凌工業(yè)半導體消息，英飛凌發(fā)布了全新一代氮化鎵產品CoolGaN? G3和CoolGaN? G5系列，采用英飛凌自主研發(fā)的高性能8英寸晶圓工藝制造，將氮化鎵的應用范圍擴大到40V至700V。 source：江蘇姜堰 其中，CoolGaN? ...  [詳內文]

AI人工智能，第三代半導體的下一個增量市場？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 21 日 11:01 | 分類 產業(yè) , 功率
作為寬禁帶半導體兩大代表材料，氮化鎵目前在消費電子快充領域如魚得水，碳化硅則在新能源汽車應用場景漸入佳境，與此同時，二者都在向更廣闊的應用邊界滲透，而AI的強勢崛起，為碳化硅和氮化鎵創(chuàng)造了新的增量市場。 在此背景下，英飛凌CoolSiC? MOSFET 400V系列、納微全新4....  [詳內文]