相關(guān)資訊：氮化鎵

忱芯儀器（廣州）有限公司揭牌營(yíng)業(yè)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 03 日 11:33 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月27日，忱芯儀器（廣州）有限公司在廣州南沙留學(xué)創(chuàng)業(yè)園區(qū)正式揭牌營(yíng)業(yè)。 在2月28日閉幕的南沙兩會(huì)上，區(qū)政府工作報(bào)告顯示，2024年南沙半導(dǎo)體與集成電路規(guī)上企業(yè)產(chǎn)值增長(zhǎng)33.8%，而“做實(shí)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)”則是2025年的重點(diǎn)工作之一。檢驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備這一核心環(huán)節(jié)的落地，意味...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵收入創(chuàng)歷史新高，這家廠商最新財(cái)報(bào)公布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 28 日 14:28 | 分類(lèi) 報(bào)告 , 數(shù)據(jù) , 氮化鎵GaN
近日，納微半導(dǎo)體公布了截至 2024 年 12 月 31 日的未經(jīng)審計(jì)的第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。 納微半導(dǎo)體第四季度總收入為 1,800 萬(wàn)美元，較 2023 年同期的 2,610 萬(wàn)美元和第三季度的 2,170 萬(wàn)美元有所下降。 2024 年納微半導(dǎo)體總收入達(dá) 8,330 萬(wàn)美...  [詳內(nèi)文]

采用氮化鎵，中科半導(dǎo)體發(fā)布首顆具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 28 日 14:25 | 分類(lèi) 射頻 , 氮化鎵GaN
近期，中科半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)推出首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片。 芯片采用SIP封裝技術(shù)，內(nèi)置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號(hào)陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類(lèi)傳感器及生物信息采集的高速接口。 應(yīng)用領(lǐng)域 該芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機(jī)器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模...  [詳內(nèi)文]

HKC惠科微間距LED大屏技術(shù)取得突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:26 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
近日，HKC惠科成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。 基于微間距LED大屏直顯領(lǐng)域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進(jìn)一步微縮，縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術(shù)發(fā)展的不二...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵廠商獲得3200萬(wàn)美元C輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:10 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵廠商Cambridge GaN Devices (CGD)宣布 已成功完成3,200萬(wàn)美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國(guó)耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國(guó)企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國(guó)展望集團(tuán)（Foresi...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:36 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。 近期，外媒報(bào)道，印度信息技術(shù)部長(zhǎng)阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時(shí)，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲得新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 10:52 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要細(xì)分領(lǐng)域，近年隨著新能源、汽車(chē)電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求與日俱增，也愈發(fā)受到資本市場(chǎng)關(guān)注。近期，市場(chǎng)傳出三家功率半導(dǎo)體相關(guān)公司獲得新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領(lǐng)域。 01瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資 2月17日，“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]

國(guó)防氮化鎵訂單量產(chǎn)，韓國(guó)WAVICE營(yíng)收增長(zhǎng)73%
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 14 日 15:27 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵（GaN）射頻芯片廠商WAVICE宣布，2024年公司銷(xiāo)售額為293億韓元。隨著國(guó)防訂單的全面量產(chǎn)，銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)73%。 WAVICE表示：“我們參與的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目已陸續(xù)轉(zhuǎn)為量產(chǎn)，包括2023年簽署了一份價(jià)值344 億韓元的船舶用多功能雷達(dá)氮化鎵射頻模塊的量產(chǎn)合同。 資...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed前任CEO加入氮化鎵公司
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 08 日 18:49 | 分類(lèi) 功率
Power Integrations公司2月6日宣布，前Wolfspeed公司CEO Gregg Lowe將于2025年2月15日加入公司董事會(huì)。 source：Power Integrations 從2017年至2024年，Lowe擔(dān)任Wolfspeed公司的首席執(zhí)行官，領(lǐng)導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

兩大國(guó)際公司合作，聚焦鎵材料供應(yīng)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 08 日 18:48 | 分類(lèi) 功率
近日，西澳大利亞州珀斯的礦業(yè)公司Nimy Resources Ltd與總部位于內(nèi)華達(dá)州的M2i Global Inc（Minerals Metals Initiatives）簽署了一項(xiàng)不具約束力的合作協(xié)議，以確保鎵的供應(yīng)以支持美國(guó)國(guó)防部（DOD）。 此次合作不僅是國(guó)防戰(zhàn)略需求的體...  [詳內(nèi)文]