相關資訊：氮化鎵

AI服務器、人形機器人等引燃，氮化鎵打響“翻身仗”！
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 20 日 17:43 | 分類 氮化鎵GaN
從歡呼聲到質疑聲，GaN（氮化鎵）近幾年在功率半導體市場并非一路坦途，中間呈現出些許“雷聲大雨點小”的態(tài)勢，但GaN巨大的應用潛力一直毋庸置疑，用心挖掘其技術潛能并認真耕耘市場的企業(yè)深知，GaN只是還沒到綻放的時機。而當下多種跡象逐漸證明，GaN將迎來華麗轉身，如今的走向與當初看...  [詳內文]

WaveLoad計劃明年初量產氮化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 19 日 17:25 | 分類 企業(yè)
8月18日，WaveLoad對外宣布，公司計劃明年年初量產氮化鎵外延片。 WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達1000級的無塵室，可批量生產氮化鎵外延片。該設施可生產4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產能分別為2,000片/月和500片/月。目前，Wave...  [詳內文]

印度或將分別新建一座碳化硅和氮化鎵晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 15 日 17:50 | 分類 功率
8月14日，據外媒報道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內在印度建立三個半導體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術。 LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司...  [詳內文]

年產4萬片，SweGaN氮化鎵外延廠開始出貨
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 14 日 15:58 | 分類 企業(yè)
8月13日，瑞典企業(yè)SweGaN宣布，公司生產碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產品將用于下一代5G先進網絡高功率射頻應用。 資料顯示，SweGaN新工廠位于瑞典林雪平，于2023年3月動工建設，可年產4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN...  [詳內文]

助力碳化硅/氮化鎵，南通市出臺新政策
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 12 日 17:20 | 分類 企業(yè)
8月7日，南通市人民政府印發(fā)《關于加快培育發(fā)展未來產業(yè)的實施意見》（以下簡稱《實施意見》），提出布局六大未來產業(yè)，聚焦7個科創(chuàng)細分賽道，全力打造長三角未來產業(yè)創(chuàng)新高地。 《實施意見》明確，重點布局未來空天、未來海洋、未來能源、未來材料、未來通信、未來健康六大未來產業(yè)方向，謀劃布局...  [詳內文]

超31億！2個化合物半導體項目取得新進展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 18:00 | 分類 產業(yè)
近日，2個化合物半導體項目披露了最新進展，分別為韓國特西氪公司總部及半導體設備項目和福建晶旭半導體科技有限公司二期項目，2個項目總投資超過31億元。 source：上杭融媒 韓國特西氪公司總部及半導體設備項目落戶江蘇江陰 8月7日，據“江陰發(fā)布”官微消息，韓國特西氪公司總部及半...  [詳內文]

25億，萬年晶第三代半導體項目已投產
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 22 日 18:00 | 分類 產業(yè)
7月19日，據“上饒市人民政府發(fā)布”官微消息，今年二季度，投資25億元的萬年晶第三代半導體項目已正式投產。據悉，萬年晶半導體是江西首家藍寶石基功率器件研發(fā)、生產和銷售廠商，主營第三代半導體高電子遷移率晶體管芯片，可廣泛應用于數據中心、儲能、汽車電子等領域。 source：上饒...  [詳內文]

3家碳化硅設備廠商齊傳訂單喜訊
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 17 日 18:00 | 分類 產業(yè)
近期，碳化硅設備賽道格外熱鬧，愛思強、Aehr、優(yōu)睿譜、硅酷科技4家碳化硅設備廠商相繼傳出利好消息，顯示了碳化硅設備產業(yè)的生機與活力。 圖片來源：拍信網正版圖庫 碳化硅設備廠商好戲連臺 7月16日，愛思強宣布安世半導體訂購了愛思強用于8英寸碳化硅量產的新型G10-SiC設備，安...  [詳內文]

EPC四項涉訴專利均已進入無效審查階段，英諾賽科掌握主動權
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 10 日 14:03 | 分類 企業(yè)
近年來，第三代半導體技術，尤其是氮化鎵（GaN）領域的快速發(fā)展，吸引了全球科技巨頭的關注與競爭。在這場技術革命中，中國領軍企業(yè)英諾賽科與美國知名企業(yè)宜普（EPC）之間的專利糾紛成為業(yè)界焦點。 對此，英諾賽科發(fā)表聲明稱，目前針對EPC的四項涉訴專利提起的IPR（Inter part...  [詳內文]

愛思強公布Q2初步業(yè)績，碳化硅&氮化鎵設備訂單旺盛
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 05 日 18:21 | 分類 功率
昨日（7/4），德國半導體設備大廠AIXTRON愛思強公布2024年第二季度初步業(yè)績成果。在SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）功率半導體市場的驅動下，愛思強設備訂單報喜。 愛思強第二季SiC/GaN設備訂單占比達87% 第二季度，愛思強實現訂單總額1.76歐元（約合人民幣13.8...  [詳內文]