文章分類： 碳化硅SiC

奧?？萍迹?00V碳化硅平臺(tái)的高壓MCU項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 14 日 16:59 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，奧?？萍荚诮邮軝C(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，2022年全年公司手機(jī)業(yè)務(wù)ASP增速超過20%，隨著65W以上機(jī)型市占率不斷滲透，未來手機(jī)快充有望像“4800萬像素?cái)z像頭”、“指紋識(shí)別”等功能一樣得到大范圍普及。 奧?？萍挤Q，2023年一季度公司60W以上快充滲透率提升至19%以上。 此外，...  [詳內(nèi)文]

這個(gè)SiC設(shè)備廠8英寸長(zhǎng)晶設(shè)備已開始批量生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 14 日 16:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，有投資者在互動(dòng)平臺(tái)提問晶升股份關(guān)于三安與意法半導(dǎo)體擬合作開展8英寸碳化硅襯底業(yè)務(wù)對(duì)公司的影響。晶升股份表示，公司已開始8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備的批量生產(chǎn)。截止目前，公司尚未與三安光電簽訂針對(duì)這個(gè)項(xiàng)目的正式訂單。 受益于半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)展，對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體長(zhǎng)晶設(shè)備需求快速釋放。晶升股份...  [詳內(nèi)文]

硅光的下一代技術(shù)路線圖

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 13 日 17:28 |
| 分類: 碳化硅SiC
摘要 在光通信發(fā)展的推動(dòng)下，硅光子技術(shù)已發(fā)展成為主流技術(shù)。目前的技術(shù)已經(jīng)使得集成光子器件從數(shù)千個(gè)激增到數(shù)百萬個(gè)，它們主要以數(shù)據(jù)中心通信收發(fā)器的形式出現(xiàn)，此外傳感和運(yùn)算等許多令人興奮的應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品也指日可待。需要什么才能將硅光子器件的出貨量從數(shù)百萬增加到數(shù)十億？下一代硅光子技術(shù)會(huì)...  [詳內(nèi)文]

30億投資，安世半導(dǎo)體封測(cè)廠擴(kuò)建項(xiàng)目摘牌

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 13 日 17:22 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日，安世半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司封測(cè)廠擴(kuò)建項(xiàng)目成功摘牌。 據(jù)悉，項(xiàng)目總投資30億元，從事產(chǎn)業(yè)內(nèi)容包括但不限于分立器件、模擬&邏輯ICs、功率MOSFETs。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 2022年10日，安世半導(dǎo)體與東莞市黃江鎮(zhèn)人民政府簽署了《安世半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司封...  [詳內(nèi)文]

向8英寸進(jìn)擊，拿下SiC的天王山

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 13 日 17:20 |
| 分類: 碳化硅SiC
6月7日，平地一聲驚雷，一則合資建廠的消息震動(dòng)整個(gè)SiC市場(chǎng)，三安光電和意法半導(dǎo)體兩位主角宣布，將斥資50億美元在重慶建立一座8英寸SiC器件廠，在此基礎(chǔ)上，三安光電再配套建一座襯底廠。根據(jù)意法半導(dǎo)體的估算，到2030年該廠將幫助意法半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)50億美元的SiC營(yíng)收，作為對(duì)比，2...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】集邦咨詢：2023全球第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)機(jī)遇與挑戰(zhàn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 17:29 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵被視為后摩爾時(shí)代材料創(chuàng)新的關(guān)鍵角色。近年來，汽車、光伏儲(chǔ)能等應(yīng)用帶動(dòng)碳化硅市場(chǎng)迅速擴(kuò)大，氮化鎵功率元件于消費(fèi)電子市場(chǎng)率先放量，工業(yè)、汽車應(yīng)用潛力巨大。 目前，全球能源技術(shù)革命已經(jīng)開啟，并向材料領(lǐng)域滲透，第三代半導(dǎo)體將在實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和的過程中發(fā)揮怎樣的...  [詳內(nèi)文]

又一實(shí)驗(yàn)室揭牌，瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體EDA領(lǐng)域

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 17:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，九峰山-華大九天聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室“神舟實(shí)驗(yàn)室”正式揭牌。該實(shí)驗(yàn)室由九峰山實(shí)驗(yàn)室和北京華大九天科技股份有限公司共同組建，由北京華大九天科技股份有限公司研發(fā)副總朱能勇、九峰山實(shí)驗(yàn)室無線互聯(lián)首席專家吳暢共同擔(dān)任主任。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 “神舟實(shí)驗(yàn)室”將針對(duì)化合物半導(dǎo)體EDA軟...  [詳內(nèi)文]

聚焦芯片研發(fā)，上汽通用五菱與電科芯片簽署協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 17:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，上汽通用五菱與電科芯片舉行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽署儀式。 上汽通用五菱官方消息顯示，雙方將以此次為戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約為契機(jī)，基于用戶使用場(chǎng)景，在芯片研發(fā)領(lǐng)域深入開展合作，以全面“2C”為導(dǎo)向，堅(jiān)持走自主創(chuàng)新的道路，攜手助力芯片國(guó)產(chǎn)化，推動(dòng)“一二五工程”項(xiàng)目成果實(shí)現(xiàn)新突破。 上汽通用五...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】芯聚能半導(dǎo)體：車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 15:54 |
| 分類: 碳化硅SiC
在市場(chǎng)對(duì)節(jié)能減排和駕駛舒適性的更高要求下，新能源汽車逐步走向時(shí)代舞臺(tái)中央，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體需求隨之逐漸攀升。 SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，具有比硅更優(yōu)越的性能。不僅禁帶寬度較大，還兼具熱導(dǎo)率高、飽和電子漂移速率高、抗輻射性能強(qiáng)、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性，成為了新能源汽車領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]

中電化合物半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)9月投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 15:52 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)寧波前灣新區(qū)發(fā)布消息，中電化合物半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目計(jì)劃于今年9月完成廠房裝修并投產(chǎn)。 中電化合物成立于2019年，是由中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司（央企）旗下華大半導(dǎo)體有限公司主導(dǎo)投資的一家致力于開發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料的高科技企業(yè)。 公司注冊(cè)資本4.7億，主要聚焦在大尺寸、高性...  [詳內(nèi)文]