氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其高頻、高電子遷移率、強(qiáng)輻射抗性、低導(dǎo)通電阻以及無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出極大的應(yīng)用潛力,并吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。
近期,市場傳出元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司在氮化鎵領(lǐng)域的新動態(tài)。
元芯推出高性能氮化鎵功率器件
近日,元芯半導(dǎo)體正...  [詳內(nèi)文]
元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司氮化鎵新動態(tài) |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 03 月 10 日 17:12 | 分類 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN |