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晶升股份：公司現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 11:57 | 分類 碳化硅SiC
近日，晶升股份在接待機(jī)構(gòu)投資者調(diào)研時表示，由于碳化硅盲盒生長的特點(diǎn)，晶體生長過程中無法進(jìn)行實時觀測，因此也缺乏大量的數(shù)據(jù)積累供人工智能進(jìn)行分析和學(xué)習(xí)。 晶升股份現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸，通過引入可視化檢測系統(tǒng)可使長晶過程看得見，為數(shù)據(jù)采集提供了扎實的設(shè)備基礎(chǔ)，也意味著公司已...  [詳內(nèi)文]

江蘇集芯取得兩用碳化硅晶片倒角機(jī)專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 11:30 | 分類 碳化硅SiC
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，近期江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司取得一項名為“兩用碳化硅晶片 倒角機(jī)”的專利。 專利摘要顯示，本實用新型公開了一種兩用碳化硅晶片 倒角機(jī)，包括：轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸內(nèi)設(shè)有抽氣管道；打磨臺本體，打磨臺本體與轉(zhuǎn)軸可拆卸地相連，打磨臺本體具有第一氣道和支氣體通道，支氣體通道設(shè)...  [詳內(nèi)文]

HKC惠科微間距LED大屏技術(shù)取得突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:26 | 分類 氮化鎵GaN
近日，HKC惠科成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。 基于微間距LED大屏直顯領(lǐng)域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進(jìn)一步微縮，縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術(shù)發(fā)展的不二...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵廠商獲得3200萬美元C輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:10 | 分類 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵廠商Cambridge GaN Devices (CGD)宣布 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國展望集團(tuán)（Foresi...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:36 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。 近期，外媒報道，印度信息技術(shù)部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

中國電科、三安光電、中瓷電子碳化硅產(chǎn)品順利供貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:33 | 分類 功率 , 碳化硅SiC
近日，碳化硅領(lǐng)域喜訊頻傳，中國電科、三安光電和中瓷電子紛紛在業(yè)務(wù)上取得關(guān)鍵突破，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動力。 中國電科：30臺套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨 近日，據(jù)中國電科官微消息，其所屬的48所成功實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計30臺套。截至目前，中...  [詳內(nèi)文]

120億元化合物半導(dǎo)體基地項目正在加速崛起！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:29 | 分類 光電 , 射頻 , 碳化硅SiC
據(jù)長江日報消息，近日，先導(dǎo)化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地項目四座生產(chǎn)廠房中，兩座已封頂，另兩座正加緊澆筑。 source：先導(dǎo)科技集團(tuán) 消息稱，該項目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等，整個項目力爭2025年年底...  [詳內(nèi)文]

江蘇再添一碳化硅項目！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 11:15 | 分類 功率 , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，連云港市生態(tài)環(huán)境局公布了對“連云港鴻蒙硅材料有限公司年產(chǎn)1.5萬噸碳化硅高級研磨材料及年產(chǎn)10萬件碳化硅陶瓷制品項目”環(huán)評文件擬審批意見。 source：連云港市生態(tài)環(huán)境局 據(jù)介紹，本項目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導(dǎo)體、復(fù)合材料...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶預(yù)計，6英寸SiC襯底價格將保持穩(wěn)定
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 11:11 | 分類 碳化硅SiC
環(huán)球晶董事長徐秀蘭近日表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025年對SiC的市場預(yù)期仍較為保守，但2026年的前景似乎更為樂觀。 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)指出，SiC在汽車、可再生...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲得新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 10:52 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要細(xì)分領(lǐng)域，近年隨著新能源、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求與日俱增，也愈發(fā)受到資本市場關(guān)注。近期，市場傳出三家功率半導(dǎo)體相關(guān)公司獲得新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領(lǐng)域。 01瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資 2月17日，“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]