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兩家大廠推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:34 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日,清純半導(dǎo)體和VBsemi(微碧半導(dǎo)體)分別推出了其第三代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品平臺,標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。 01 清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺 4月21日,清純半導(dǎo)體官微宣布,推出第3代碳化硅(Si...  [詳內(nèi)文]

電網(wǎng)領(lǐng)域開啟碳化硅產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用新藍海,天岳先進助力行業(yè)新突破

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:10 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期,中國電機工程學(xué)會電力系統(tǒng)電力電子器件專委會主任委員邱宇峰在接受央媒《經(jīng)濟日報》采訪時表示,“作為成熟的第三代半導(dǎo)體材料,碳化硅取代現(xiàn)行的硅基是必然趨勢。碳化硅產(chǎn)業(yè)會有兩波應(yīng)用浪潮,第一波在電動汽車領(lǐng)域,第二波在電網(wǎng)領(lǐng)域??梢钥隙ǖ氖?,碳化硅在電網(wǎng)上的需求將堪比新能源汽車?!?..  [詳內(nèi)文]

晶盛機電、拉普拉斯2024年報出爐

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期,拉普拉斯、晶盛機電兩家碳化硅領(lǐng)域相關(guān)公司相繼公布2024年報。   1、拉普拉斯?fàn)I收同比增長93.12% 拉普拉斯實現(xiàn)營業(yè)總收入57.28億元,同比增長93.12%;歸屬凈利潤7.29億元,同比增長77.53%。 2024年,拉普拉斯研發(fā)費用為2.96億元,同比增...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新一批專利曝光

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:06 | 分類 企業(yè) , 功率
隨著新能源汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)對高性能功率器件需求的激增,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)迎來新的發(fā)展機遇。近日,國家知識產(chǎn)權(quán)局顯示,國內(nèi)一些企業(yè)在功率器件散熱設(shè)計、封裝工藝及晶圓處理等關(guān)鍵領(lǐng)域取得系列專利。 1、寧德時代取得功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置專...  [詳內(nèi)文]

Polar與瑞薩電子達成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 18 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月16日,美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社(簡稱“瑞薩電子”)達成戰(zhàn)略協(xié)議,獲得其硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)授權(quán)。 source:集邦化合物半導(dǎo)體截圖 Polar Semiconductor 作為美國唯一一家專門從事傳感器、電...  [詳內(nèi)文]

碳化硅液冷超充模塊助力,致瞻科技斬獲歐洲頭部企業(yè)數(shù)億元戰(zhàn)略訂單

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 18 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
致瞻科技與歐洲行業(yè)頭部企業(yè)正式簽署長期保障供貨協(xié)議,憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術(shù)和液冷超充系統(tǒng)集成能力,成為該客戶在超充領(lǐng)域的核心供應(yīng)商,將以確定性產(chǎn)能鎖定方式在未來數(shù)年內(nèi)持續(xù)供應(yīng)價值數(shù)億元的碳化硅液冷超充模塊。 source:致瞻科技 據(jù)悉,致瞻科技(上海)有限公司是一家聚...  [詳內(nèi)文]

總投資超5100萬,又一座高等級功率半導(dǎo)體廠房竣工!

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 18 日 13:35 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 功率
據(jù)微龍游消息,4月9日,芯盟高等級功率半導(dǎo)體廠房項目已順利通過竣工驗收。 據(jù)悉,該項目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)城北片區(qū)惠商路,總投資5100余萬元,建筑面積約25000多平方米。項目由龍游經(jīng)濟開發(fā)區(qū)下屬國資公司代建,主體建筑由廠房、綜合樓、門衛(wèi)、材料庫及室外附屬配套組成,建筑層...  [詳內(nèi)文]

投資3.9億元,同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目新進展

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 17 日 14:11 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期,全國建設(shè)項目環(huán)境信息公示平臺發(fā)布了“河北同光科技發(fā)展有限公司年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目竣工環(huán)境保護驗收公示”。 該項目總投資38863.5萬元,環(huán)保投資390萬元,占投資的1.00%。 資料顯示,河北同光科技發(fā)展有限公司成立于2020年4月,位于保定市淶源縣河北淶源經(jīng)...  [詳內(nèi)文]

南京新增一家碳化硅相關(guān)設(shè)備公司,注冊資本1000萬元

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 17 日 14:10 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
企查查顯示,4月上旬,南京晶逸半導(dǎo)體科技有限公司成立,法定代表人為張小潞,注冊資本1000萬元,經(jīng)營范圍包含:半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造;電子專用設(shè)備制造;電子專用材料制造;石墨及碳素制品制造等。 source:集邦化合物半導(dǎo)體截圖 企查查股權(quán)穿透顯示,該公司由晶升股份等共同持...  [詳內(nèi)文]

士蘭微、方正微電子碳化硅新動態(tài)

作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 17 日 14:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期,國內(nèi)碳化硅廠商方正微電子、士蘭微電子最新產(chǎn)品動態(tài)曝光。 1、方正微電子發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品 近期,方正微電子正式發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,在第一代的高可靠基礎(chǔ)上,進一步提升性能,縮小Die size,提升FOM值,實現(xiàn)了在行...  [詳內(nèi)文]