在LEDinside Micro LED前瞻技術論文征集比賽中，各家廠商跟學者都針對Micro LED技術發(fā)展的不同面向提出解決方法。除了巨量轉(zhuǎn)移與全彩化的技術外，Micro LED的背板也是技術突破的重要關鍵。
獲得優(yōu)選的美國新創(chuàng)公司QMAT，便聚焦于Micro LED的基板技術。其獲選論文Engineered Substrates for High Efficiency Micro LEDs and Commercialized High Volume Manufacturing Production指出其EpiMax基板制造技術，能有效率提升Micro LED的制作效率，減少有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的作用時間，并強化Micro LED的制造質(zhì)量及效率，加速商業(yè)化進程。
論文作者: Philip Ong, QMAT
論文作者:Dong Lee, QMAT
QMAT的論文強調(diào)，使用氮化鎵GaN作為MOCVD的基礎層，能夠強化設備的作用效率，并減少電流密度操作點的變異性。此外，QMAT的層次轉(zhuǎn)移技術，能將目標基板設計成跟磊芯片轉(zhuǎn)移前的基板一樣，因此磊芯片能夠被充分利用。
來源: QMAT
QMAT基板技術的優(yōu)勢在于能夠強化設備性能，降低基板成本，還能減少MOCVD作用時間。同時，基板本身可以直接做為轉(zhuǎn)移底座，并且整合雷射剝離技術層(Laser-Lift-Off)進行后續(xù)切除。
針對QMAT所提出的基板技術，交通大學光電研究所的評審認為，QMAT的EpiMax基板能夠直接用于測試跟轉(zhuǎn)印的設計，在Micro LED制程上相當具有優(yōu)勢。而臺灣地區(qū)工研院CIMS聯(lián)盟則認為，QMAT的基板能用于雷射剝離技術，降低LED晶粒的缺陷，有助于后續(xù)制程。
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