近日，安森美和比亞迪相繼推出了碳化硅技術/新品，引起市場諸多關注。
01 安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模塊
3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。
source：安森美
據悉，EliteSiC SPM 31 IPM 與安森美IGBT SPM 31 IPM 產品組合（涵蓋15A至35A的低電流）形成互補，提供從40A到70A的多種額定電流。
該模塊集成獨立高邊柵極驅動、低電壓集成電路（LVIC）、六顆 SiC MOSFET 及溫度傳感器，通過優(yōu)化短路耐受時間（SCWT）與熱管理能力，顯著降低系統(tǒng)損耗與體積。以數據中心電子換向（EC）風扇為例，相較于傳統(tǒng) IGBT 方案，SPM 31 可將年能耗成本降低 52%，同時支持更高頻率的開關速度，滿足AI服務器散熱系統(tǒng)對高效穩(wěn)定運行的需求。
除數據中心外，安森美將目光投向工業(yè)電機驅動、熱泵及商業(yè)暖通空調等領域。其 SPM 31 系列覆蓋 40A 至 70A 電流等級，并與現有 IGBT 模塊形成互補，提供行業(yè)最寬泛的集成化功率解決方案。在全球建筑能耗占比達 27.6% 的背景下，這一技術突破為工業(yè)領域實現低碳轉型提供了關鍵支撐。
02 比亞迪推出全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片
3月17日，比亞迪在超級e平臺技術發(fā)布會上宣布，其自主研發(fā)的全新一代1500V車規(guī)級碳化硅（SiC）功率芯片已實現量產。
source：比亞迪
據悉，這款芯片作為全球首款量產的最高電壓等級車規(guī)級SiC產品，將推動新能源汽車行業(yè)進入”高壓快充+高性能驅動”的全新時代。
比亞迪此次發(fā)布的SiC功率芯片采用疊層激光焊技術，通過優(yōu)化芯片互聯結構，將雜散電感降低75%，電控效率提升至99.86%，過流能力增強10%。其1500V的電壓等級不僅適配超級e平臺的全域千伏架構，更可支持最高1000kW的充電功率，較行業(yè)主流600kW快充技術提升近70%。
在材料工藝層面，芯片采用納米銀燒結技術替代傳統(tǒng)焊接工藝，使連接層熱阻降低95%，可靠性壽命提升5倍以上。結合Cuclipbonding工藝與氮化硅AMB基板，芯片實現了體積縮小50%、功率密度翻倍的性能突破，為電動車三電系統(tǒng)的小型化、輕量化提供關鍵支撐。
比亞迪的技術突破也引發(fā)產業(yè)鏈連鎖反應。其自建的4000座兆瓦閃充站網絡，將加速公共充電基礎設施升級；與藍海華騰等企業(yè)的合作，則推動國產SiC模塊在電控系統(tǒng)中的廣泛應用。這種”車企主導+供應鏈協(xié)同”的模式，正重塑全球新能源汽車產業(yè)格局。
總體來看，安森美與比亞迪的技術進展，分別指向能源轉換與交通電動化兩大領域，卻共同印證了碳化硅材料在高電壓、高頻率場景下的不可替代性。在工業(yè)領域，安森美的模塊技術降低了數據中心、工業(yè)設備的能耗，助力碳中和目標；在汽車領域，比亞迪的高壓芯片與閃充生態(tài)重構了電動車使用體驗，加速燃油車替代進程。
據TrendForce集邦咨詢最新顯示，作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元（約648億人民幣）。（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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