近日,中鎵半導(dǎo)體與北京大學(xué)、波蘭國家高壓實(shí)驗(yàn)室開展了合作,使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。
實(shí)驗(yàn)使用乙烯氣源制備了半絕緣GaN襯底,并對制備得到的GaN材料進(jìn)行了表征,證明了乙烯氣源的摻雜效率比傳統(tǒng)甲烷氣源高40倍。在相同測試溫度下比較了現(xiàn)有報(bào)道的半絕...  [詳內(nèi)文]
中鎵半導(dǎo)體聯(lián)合北京大學(xué)在GaN襯底研發(fā)領(lǐng)域獲突破 |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2022 年 12 月 06 日 14:51
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