根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的《全球2025 SiC Power Device市場分析》報告指出，憑借晶圓技術升級和產(chǎn)能迅速擴張，SiC功率器件將逐步在高壓應用場景（≥900V）確立領導地位，2030年整體市場規(guī)模有望成長至164億美元。同時，在核心電動汽車市場增長放緩和SiC成本快速下降的背景下，SiC功率器件正在加速向工業(yè)市場滲透。
對于上游SiC襯底市場，目前仍然面臨著需求疲軟和供給過剩的雙重壓力，但長期成長趨勢依舊不變。另外，由于現(xiàn)行主流的6英寸SiC襯底價格快速下降，以及8英寸SiC前段制程的技術難度較高，加上市場環(huán)境劇烈變化，預計6英寸襯底將持續(xù)占據(jù)SiC襯底市場的主導地位。但8英寸襯底是進一步降低SiC成本的必然選擇，且有助SiC芯片技術升級，預估出貨份額至2030年有望突破20%。
目前SiC MOSFET技術逐步由平面型轉(zhuǎn)向溝槽型，Infineon亦在今年推出了超結技術，助力SiC走向更為嚴苛的應用場景。市場環(huán)境方面，由于關鍵的汽車市場短期承壓，各大公司已陸續(xù)啟動成本削減戰(zhàn)略，從而推動市場整合，例如onsemi收購了Qorvo的SiC JFET技術。另外，中國廠商的迅速崛起，以及本土車企對于SiC產(chǎn)業(yè)的全力扶持，進一步促使產(chǎn)業(yè)格局生變，Renesas亦因此宣布終止SiC生產(chǎn)計劃。
長期來看，SiC在電動汽車的滲透率仍然將穩(wěn)步上升，同時AI數(shù)據(jù)中心等工業(yè)應用和其他高功率應用的拓展，亦將持續(xù)推動SiC市場規(guī)模不斷擴大，因此前景樂觀。
目前SiC產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷技術突破與產(chǎn)能擴張的陣痛期，市場競爭加劇，未來的發(fā)展方向在于持續(xù)優(yōu)化制造工藝，提升產(chǎn)品性能、可靠性并降低生產(chǎn)成本，來不斷拓展更多工業(yè)應用，并加速在電動汽車市場的滲透。
TrendForce集邦咨詢針對全球SiC功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游環(huán)節(jié)進行全方面剖析，并著重于中國市場的持續(xù)跟蹤，如需詳細資料，歡迎與我們?nèi)〉寐?lián)系。
（集邦化合物半導體 Rany 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。