近期，我國三家企業(yè)在12英寸SiC技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進展，其中山東力冠微電子裝備有限公司（以下簡稱“山東力冠”）在設(shè)備端取得關(guān)鍵進展，而浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡稱“浙江晶瑞SuperSiC”）與廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司（以下簡稱“南砂晶圓”）則在材料端實現(xiàn)重大突破，三家企業(yè)齊發(fā)力，為我國半導體產(chǎn)業(yè)的自主可控發(fā)展注入強大動力。
1、浙江晶瑞：成功研發(fā)12英寸導電型SiC晶體
5月12日，晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC宣布，成功實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長，首顆晶體直徑達309mm且質(zhì)量完好。
source：浙江晶瑞SuperSiC圖為首顆12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶
浙江晶瑞SuperSiC基于自主研發(fā)的SiC單晶生長爐以及持續(xù)迭代升級的8-12英寸長晶工藝，經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新晶體生長溫場設(shè)計及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題。此次突破不僅實現(xiàn)了6-12英寸全尺寸長晶技術(shù)自主可控，更將大幅降低芯片成本，加速SiC產(chǎn)業(yè)鏈完善，推動國產(chǎn)SiC材料在多領(lǐng)域規(guī)?；瘧?，助力我國半導體產(chǎn)業(yè)邁向全球價值鏈高端。
2、南砂晶圓：發(fā)布12英寸導電型SiC襯底
5月8日，南砂晶圓在參加行業(yè)大會時，在現(xiàn)場展示了12英寸導電型SiC襯底等重點產(chǎn)品，成功實現(xiàn)大尺寸碳化硅襯底的突破。南砂晶圓自成立以來，一直致力于碳化硅單晶材料的研發(fā)和生產(chǎn)，擁有廣州、中山、濟南三大生產(chǎn)基地，形成了完整的碳化硅單晶生長和襯底制備生產(chǎn)線，產(chǎn)品還包括6英寸和8英寸的導電型和半絕緣型碳化硅襯底。
目前，南砂晶圓還成功實現(xiàn)了近“零螺位錯”密度和低基平面位錯密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備。這一技術(shù)進步不僅提升了產(chǎn)品的可靠性和性能，也為國產(chǎn)8英寸導電型襯底的產(chǎn)業(yè)化進程奠定了堅實基礎(chǔ)。
3、山東力冠微電子裝備：加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長晶設(shè)備
近日，山東力冠在12英寸SiC長晶爐領(lǐng)域取得了重要突破。公司公開表示，已攻克12英寸PVT電阻加熱長晶爐的研發(fā)難關(guān)，并于近期完成首批兩臺設(shè)備的交付。同時，該公司正加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長晶設(shè)備。隨著12英寸電阻法長晶系統(tǒng)的商業(yè)化突破，山東力冠計劃在2025年實現(xiàn)12英寸設(shè)備的批量供貨，助力國產(chǎn)碳化硅材料進入全球供應鏈第一梯隊。
微信截圖_1747193758309.png)
source：山東力冠微電子裝備
山東力冠自主研發(fā)的8英寸PVT碳化硅長晶爐已實現(xiàn)批量銷售，涵蓋感應及電阻加熱，適用于導電型與半絕緣型SiC晶體生長。該設(shè)備創(chuàng)新熱場設(shè)計，顯著提升溫度均勻性與穩(wěn)定性（>30%），提高晶體良率與一致性，達國際主流水平。自動化控制系統(tǒng)降低人工干預和生產(chǎn)成本，已獲國內(nèi)外頭部客戶采用。
公開資料顯示，山東力冠的產(chǎn)品涵蓋第一代至第四代半導體材料工藝設(shè)備，均擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，完全自主可控，廣泛應用于集成電路、功率半導體、化合物半導體、5G芯片、光通信、MEMS等新型電子器件制造領(lǐng)域。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）