今年2月，合肥世紀金芯半導體有限公司（以下簡稱世紀金芯）8英寸SiC加工線正式貫通并進入小批量生產階段，在8英寸SiC襯底量產方向更進一步。
source：世紀金芯
據(jù)介紹，世紀金芯采用模擬軟件，首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場進行模擬計算，營造符合實際生長過程的溫度和溫度梯度，并通過多次優(yōu)化數(shù)據(jù)庫參數(shù)，準確反映出溫場及余料情況，生長晶體的4H-SiC晶型穩(wěn)定性在90%以上。
世紀金芯基于6英寸晶體研發(fā)生產經驗，結合8英寸晶體生長的熱場結構設計及工藝特性，在高穩(wěn)定性長晶爐的基礎上，采取了獨特的保溫設計和先進的熱場分區(qū)結構，開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術，逐步減少生長溫度、時間、氣壓、功率等參數(shù)變化量，獲得可重復性穩(wěn)定參數(shù)，大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性，突破了大尺寸、低應力等SiC晶體制備關鍵技術。
據(jù)稱，世紀金芯開發(fā)的8英寸SiC單晶生長技術可重復生長出4H晶型100%、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體。8英寸加工線也同步建成，將配套8英寸單晶生長，通過進一步優(yōu)化工藝，預期世紀金芯的8英寸SiC晶錠厚度將達到20mm以上。
世紀金芯自2019年12月成立以來，致力于第三代半導體SiC功能材料研發(fā)與生產，已經解決了高純SiC粉料提純技術、6英寸SiC單晶制備等關鍵技術。
2022年9月，世紀金芯年產3萬片6英寸SiC單晶襯底項目正式投產，能在一定程度上緩解國內大直徑導電型SiC單晶襯底供應緊缺局面。（集邦化合物半導體Zac整理）
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