從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧?，化合物半導體正加速重構(gòu)半導體產(chǎn)業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機驅(qū)動等領域注入新動能。隨著市場對高性能、高能效半導體器件需求的激增，國內(nèi)化合物半導體項目層出不窮。近期，兩個相關項目傳出新進展，... [詳內(nèi)文]
文章分類： 氧化鎵
氧化鎵領域強強合作，國內(nèi)廠商發(fā)力！ |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 05 月 19 日 15:28
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關鍵字:
氧化鎵
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5月16日，中國氧化鎵襯底領域領先企業(yè)鎵仁半導體與德國氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術優(yōu)勢協(xié)同攻關，聚焦超寬禁帶半導體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強強聯(lián)合將共同推動氧化鎵在新能源、電力電子等領域的應用突破，為全球半導體產(chǎn)業(yè)注入新動能... [詳內(nèi)文]
亞洲氧化鎵技術迎新進展 |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 04 月 14 日 13:44
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關鍵字:
氧化鎵
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從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢，掀起一場新的半導體革命。
氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水... [詳內(nèi)文]
