相關(guān)資訊：SiC碳化硅

三家公司披露8英寸碳化硅最新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 08 日 13:59 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
在半導(dǎo)體材料革命的浪潮中，碳化硅（SiC）以其耐高壓、高頻、高溫的卓越性能，正加速滲透各個領(lǐng)域。近年，我國積極發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，在8英寸、12英寸取得了喜人成績。近期，國內(nèi)三家公司8英寸碳化硅領(lǐng)域傳出新進展。 01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn) 近期，南京日報深度對話超芯星聯(lián)合創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

英飛凌、基本半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅技術(shù)新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 07 日 14:26 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，憑借其耐高壓、高頻、高溫等特性，正成為新能源汽車、光伏儲能和5G通信等領(lǐng)域的技術(shù)變革引擎。 近期，基本半導(dǎo)體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣，覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級多場景需求；英飛凌則將基于溝...  [詳內(nèi)文]

西湖大學(xué)團隊開發(fā)出新型碳化硅超透鏡！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 16:45 | 分類 碳化硅SiC
近期，媒體報道西湖大學(xué)仇旻教授課題組成功開發(fā)出一種新型的同質(zhì)碳化硅（4H-SiC）超透鏡，為解決高功率激光加工中的熱漂移問題提供了全新的解決方案。 相關(guān)論文以《4H-SiC 超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)》（4H-SiC Metalens: Mitigating Ther...  [詳內(nèi)文]

安森美披露最新財報，終止69億美元收購
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 16:35 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月6日，安森美（onsemi）公布了截至2025年4月4日的首個財政季度業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，其首財季的收入為14.46億美元，同比下滑22.4%（去年同期為18.63億美元）。盈利方面，安森美半導(dǎo)體本季度凈虧損4.86億美元，合每股虧損1.15美元。去年同期，公司凈利潤為4.53億...  [詳內(nèi)文]

兩家日本半導(dǎo)體公司發(fā)布碳化硅新品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，#日本羅姆株式會社?與#三菱電機株式會社?相繼推出基于碳化硅（SiC）材料的新型功率半導(dǎo)體模塊，分別聚焦電動汽車與家用電器領(lǐng)域。作為第三代半導(dǎo)體技術(shù)的代表，碳化硅憑借耐高壓、低損耗等特性，正持續(xù)拓展其在新能源與消費電子領(lǐng)域的應(yīng)用邊界。 羅姆開發(fā)新型碳化硅半導(dǎo)體 日本半導(dǎo)體制...  [詳內(nèi)文]

碳化硅材料：高折射率與高熱導(dǎo)性成為最理想AR鏡片材料
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:53 | 分類 碳化硅SiC
以下內(nèi)容轉(zhuǎn)載自：思瀚研究院 碳化硅材料：高折射率助力實現(xiàn)廣闊視場角FOV 碳化硅材料折射率可達2.6以上，對比樹脂和玻璃等優(yōu)勢明顯，單層鏡片即可實現(xiàn)80度以上FOV。常用材料折射率方面，普通樹脂約1.51，高折射率樹脂約1.74；普通玻璃約1.5，高折射率玻璃約1.9。 而SiC...  [詳內(nèi)文]

全球新增一條碳化硅晶圓線
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:52 | 分類 企業(yè)
近日，據(jù)行業(yè)媒體消息，中國臺灣茂矽電子股份有限公司（以下簡稱“茂矽電子”）預(yù)計于今年6月底完成?#碳化硅?制程產(chǎn)線建設(shè)，并計劃于下半年開啟試量產(chǎn)。這一產(chǎn)線的建成將使茂矽電子每月新增3000片的碳化硅晶圓產(chǎn)能，未來還將根據(jù)市場需求持續(xù)購置相關(guān)設(shè)備，逐步擴大生產(chǎn)規(guī)模。 茂矽電子的碳化...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)兩項碳化硅技術(shù)迎突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 29 日 15:41 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的核心代表，正以其耐高壓、高頻、高效等特性重塑全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，吸引各國爭相投入研發(fā)。中國碳化硅技術(shù)研發(fā)進展順利，近期，兩項碳化硅技術(shù)迎來新突破。 1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達到國際領(lǐng)先水平 “連城數(shù)控”官微消息，近期，中...  [詳內(nèi)文]

2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準正式發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 28 日 16:06 | 分類 碳化硅SiC
近期，在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)期間，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）正式發(fā)布2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準： T/CASAS 036—2025《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度測定方法 輝光放電質(zhì)譜法》 T/CASAS 0...  [詳內(nèi)文]

兩家碳化硅大廠公布今年一季度財報
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 28 日 16:01 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
2025年第一季度，全球半導(dǎo)體行業(yè)面臨著周期性波動的挑戰(zhàn)，但碳化硅行業(yè)內(nèi)的兩大廠商——意法半導(dǎo)體（ST）和X-fab均在這一領(lǐng)域取得了顯著進展。意法半導(dǎo)體通過優(yōu)化制造布局和推進卡塔尼亞8英寸SiC工廠的建設(shè)，進一步鞏固了其在碳化硅市場的領(lǐng)先地位；而X-fab則憑借其在碳化硅業(yè)務(wù)上...  [詳內(nèi)文]